公开(公告)号：CN101981663B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200980111161.5

申请日：2009-03-30

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  国家科学研究中心

发明人： 克莱蒙特·巴里尔 ,  皮埃尔·法乌 ,  布鲁诺·肖德雷 ,  奥利维尔·玛吉特

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  C23C18/38

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1698 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/208 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874

摘要： 本发明涉及一种用于在底材(5)上形成底层的方法，所述底层能够使金属层随后沉积，所述方法包括在包含来自乙氧基硅烷类或硅氧烷类和铜脒化物或镍脒化物的材料的浴液(7)中浸入底材。

公开(公告)号：CN102482778A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080040226.4

申请日：2010-09-09

申请人： 埃其玛公司

发明人： 文森特·梅费里克 ,  多米尼克·祖尔

IPC分类号： C23C18/20 ,  C23C18/30

CPC分类号： C23C18/1882 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1879 ,  C23C18/2066 ,  C23C18/30 ,  C23C18/32 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76898

摘要： 本发明涉及对衬底表面进行活化的溶液和方法，所述表面包含至少一个由聚合物形成的区域，活化的目的是随后用通过无电方法沉积的金属层覆盖所述表面。根据本发明，这一组合物包含：A)由一种或多种钯复合物形成的活化剂；B)由一种或多种有机化合物形成的粘合剂，所述有机化合物选自含至少两个缩水甘油基官能团的化合物和含至少两个异氰酸酯官能团的化合物；C)由一种或多种溶剂形成的溶剂体系，所述溶剂体系能够溶解所述活化剂和所述粘合剂。应用：制造电子器件、比如特别是集成电路(尤其是三维集成电路)。

公开(公告)号：CN101981663A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111161.5

申请日：2009-03-30

申请人： 意法半导体(图尔)公司 ,  国家科学研究中心

发明人： 克莱蒙特·巴里尔 ,  皮埃尔·法乌 ,  布鲁诺·肖德雷 ,  奥利维尔·玛吉特

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  C23C18/38

CPC分类号： H01L21/288 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1698 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/208 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874

摘要： 本发明涉及一种用于在底材(5)上形成底层的方法，所述底层能够使金属层随后沉积，所述方法包括在包含来自乙氧基硅烷类或硅氧烷类和铜脒化物或镍脒化物的材料的浴液(7)中浸入底材。

公开(公告)号：CN101784696A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880104363.2

申请日：2008-11-14

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 中岛诚二 ,  早瀬哲生 ,  森哲也

IPC分类号： C23C18/18 ,  C23C18/20 ,  H01B13/00

CPC分类号： C23C18/14 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1667 ,  C23C18/1678 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  Y10T428/31678 ,  Y10T428/31681 ,  Y10T428/31692

摘要： 本发明所涉及的金属膜的制造方法，包括以下步骤：使用含有具有3个以上反应基团的加成聚合性化合物、具有酸性基团的加成聚合性化合物、和具有亲水性官能团的加成聚合性化合物的底层组合物形成有机膜的有机膜形成步骤；将所述酸性基团转化为金属(M1)盐的金属盐生成步骤；通过使用金属(M2)离子水溶液进行处理，将所述酸性基团的金属(M1)盐转化为金属(M2)盐的金属固定步骤，所述金属(M2)离子水溶液含有离子化倾向比所述金属(M1)离子低的金属(M2)离子；将所述金属(M2)离子还原，在所述有机膜表面形成金属膜的还原步骤；将所述金属膜进行氧化的氧化步骤。由此，提供了能够在任意的基材上低成本地形成金属膜以及金属图案，能够解决溅镀法中存在的问题点的金属膜的制造方法、由该方法制造的金属膜以及其应用。

公开(公告)号：CN101335206A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810090216.6

申请日：2008-04-01

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 ,  财团法人工业技术研究院

发明人： 那须昭宣 ,  陈玄芳 ,  W-J·李 ,  陈易聪

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC分类号： H05K3/181 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1841 ,  C23C18/30 ,  C23C18/40 ,  H05K3/244 ,  H05K2201/0344 ,  H05K2203/0716 ,  H05K2203/072

摘要： 本发明涉及在平板显示器制造工艺中在基底上制造铜层的方法和装置，其中铜无电极地沉积在基底上以形成铜互连层。使用铜溶液在基底上形成铜互连层，该铜溶液含有：作为铜源的CuSO45H2O，作为络合剂的酒石酸钾钠或柠檬酸三钠，作为还原剂的乙醛酸盐/酯、乙醛酸或磷酸钠，作为稳定剂的硫有机化合物，和pH调节剂。

公开(公告)号：CN1433572A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN00818901.3

申请日：2000-09-13

申请人： 纳托尔公司

发明人： 西普利亚·E·乌邹 ,  哈默云·塔里 ,  布伦特·巴绍尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  C25D3/38

CPC分类号： C25D5/00 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1651 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1848 ,  C23C18/31 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/22 ,  C25D5/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/11 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/3011

摘要： 本发明涉及一种方法，它用于制造高性能的芯片互连件及包装件，它通过提供下述方法，以更为有效率且节省时间的方式，把导电材料沉积在基片孔穴中。它的实现，在于选择性地从基片顶部表面上去除种晶层的一些部分，且接着把导电材料沉积在基片孔穴中，在该孔穴中余留着种晶层的一些部分。另一种方法则包括，在基片顶部表面上形成氧化层，使得导电材料不形成于基片顶部表面上地沉积在孔穴中。本发明还公开了形成多层级互连件以及对应结构的方法。