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公开(公告)号：CN104952972A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510174196.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。
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公开(公告)号：CN104730559A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134207.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法，具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置，包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主放大电路3、模拟数字转换电路4、单片机处理器5、显示模块6、报警模块7和USB接口模块8，采用CdZnTe材料作为感应核辐射粒子射线的核辐射吸收层，具有平面式叉指电极结构，在电源模块9中还设有输出的电压为5-50V的DC/DC电压转换模块，核辐射探测装置集成为能够安装在使用者随身携带的物品上的小型器件。本发明方便携带，能实时报警，可长期可持续供电，适合于野外作业，适用于国防军事和有核辐射的民用场合。
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公开(公告)号：CN102544230A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210039923.9
申请日：2012-02-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/22 , C23C14/06 , C23C16/448
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x
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公开(公告)号：CN118501886A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410555351.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开一种用于卫星激光测距的高精度高重复频率门控信号产生方法，属于激光测距领域。本发明具体包括：存储用户提供的内插系数；记录输入点火信号脉冲相对系统时钟的时间值，基于内插系数计算所需延时时长；将所述延时时长分为粗延时时长和细延时时长；计算粗延时周期与细延时时长并将其存入FIFOc与FIFOx；对输入信号进行延时处理，最终获得高精度高重复频率延时门控信号输出脉冲。本发明具有高精度、高重复频率、高实时性的延时信号输出、可实现超过100KHz重复率的延时信号输出，从而满足高精度、高重复频率卫星激光测距门控信号的技术需求。本发明可用于卫星激光测距系统距离门控信号产生、提高卫星激光测距系统观测效率，降低观测背景噪声。
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公开(公告)号：CN115369488B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202210835318.6
申请日：2022-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111312857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202010126593.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/02 , H01L31/0236 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种利用有机高分子材料降低钙钛矿探测器暗电流的方法，通过对关键材料，特别是有机材料的具体种类及用量的调控，并对相应辐射探测器制备的工艺流程及关键步骤所使用的参数条件进行了一定的改进，对热喷涂工艺所采用的温度及时间进行设置，达到能够满足商业需求的多晶卤化物钙钛矿光电探测器，其结构为ITO/多晶CsPbBr3/Au电极。本发明制作的无机钙钛矿CsPbBr3探测器具有较低的暗电流数量级，较高的信噪比以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单，成本低廉，过程低温可控，且所制备的CsPbBr3材料抗水氧能力优异，可将本发明方法运用于大规模商业生产，具有显著的产业化推广价值。
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公开(公告)号：CN115369488A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210835318.6
申请日：2022-07-16
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供一种溶液法生长的卤化物钙钛矿单晶表面的处理方法，包括以下步骤：使用溶液法生长得到钙钛矿单晶；向生长容器中注入第一清洗剂并去除生长溶液后，使钙钛矿单晶倒置并浸泡在第一清洗剂中，清洗生长溶液；清洗结束后，向生长容器中注入第二清洗剂并去除第一清洗剂，使钙钛矿单晶浸泡在第二清洗剂中，清洗第一清洗剂；清洗结束后，去除钙钛矿单晶表面的第二清洗剂，完成对钙钛矿单晶表面的处理。通过本发明提供的方法处理后的钙钛矿单晶表面平整、光滑、缺陷密度低，物理、电学、光学性能有全面的提高，可直接应用于器件材料、科研等领域，无需再次加工处理。
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公开(公告)号：CN113061971A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110214026.6
申请日：2021-02-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种温差定位诱导钙钛矿单晶的可控生长方法，基于溶液法，利用有机‑无机杂化钙钛矿在特定溶剂中的溶解度随着温度的上升有着明显下降的特点，在析晶点附近，人为制造温差，可控诱导成核，达到晶体的可控生长。由于聚四氟乙烯易加工、耐高温、耐腐蚀、导热系数低、传热慢，金属传热快，在金属与聚四氟乙烯交界处附近形成一定温差，且该范围区域的温度高于其他位置，使该区域溶解度降低，相对低于其他位置，以诱导在该区域成核。这种方法制备相比于常规逆温生长方法能实现可控成核，可控生长；原料利用率高；生长出来的晶体质量高，形状规则，受到应力小，该制备方法制备出来的单晶可制作出优异性能的光电探测器以及高能粒子探测器。
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