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公开(公告)号：CN100409460C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200610028171.0
申请日：2006-06-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种高性能的紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明方法采用传统的、现有的热丝化学气相淀积装置，在硅片衬底上(100)晶面上淀积金刚石薄膜，再在此金刚石薄膜层上蒸镀一定厚度的金电极，并经光刻工艺形成指宽和间距均为25微米的叉指状梳状电极，并用镁铝丝引线引出，最终制成金刚石膜紫外光探测器。此金刚石膜紫外光探测器能达到的性能指标为：暗电流＜1nA/cm2，响应时间接近10-10秒，其综合性能优于其他紫外光探测器。
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公开(公告)号：CN1928166A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610029238.2
申请日：2006-07-21
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种在硅基片上通过间歇式循环工艺生长金刚石薄膜的方法，属无机非金属材料化学气相沉积工艺技术领域。本发明利用传统的、现有的热丝化学气相沉积装置，采用间歇压循环工艺生长金刚石薄膜的方法，即间歇性地通入氢气对金刚石薄膜进行刻蚀，以减少薄膜中石墨的含量；本发明方法可制得具有优良电学性能的、适合于制作探测器的金刚石薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1259269C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200410016260.4
申请日：2004-02-12
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器复合基板的制造方法，它是采用射频等离子体辅助化学气相沉积法由D263玻璃上沉积类金刚石膜而制成。对光学玻璃D263预处理，放入高真空反应室中沉积，然后在氮气气氛炉中退火处理而制得复合基板。本发明通过施加偏压、增加磁场和退火处理来获得高质量类金刚石膜/D263玻璃复合基板，可克服薄膜与衬底应力大、结合力差等问题，使探测器电荷积累效应小和基板稳定性好。本发明制作工艺简单、制作周期快、成本低廉和实用性强。
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公开(公告)号：CN1558711A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410016257.2
申请日：2004-02-12
Applicant: 上海大学
IPC: H05K1/03
Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器基板的制造方法，它是采用热丝化学气相沉积法由硅基片上沉积CVD金刚石膜而制成。先对n型(100)单晶硅基片预处理，然后放入热丝化学气相沉积装置的真空反应室中充入反应气体乙醇和氢气，经氢等离子体清洗、碳化、偏压增强成核、生长四个过程制得基板毛胚，再经激光法抛光和清洁处理而制得。本发明通过控制金刚石晶粒的择优生长和采用激光抛光法两种途径获得高质量、低表面粗糙度的金刚石薄膜基板，可克服目前探测器电荷积累效应大和基板不稳定性，是一种理想的微条气体室探测器基板。本发明制作工艺简单、成本低廉、实用性强和无毒无害。
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公开(公告)号：CN1547043A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109274.6
申请日：2003-12-11
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种微条粒子探测器及其制备方法。本发明的微条粒子探测器，包括衬底及其表面涂层以及顶电极和背电极，衬底采用[100]硅片；在该衬底的上表面是[100]定向的金刚石薄膜涂层；在金刚石薄膜涂层的表面是顶电极，顶电极由铬金复合而成，并经光刻处理成条宽和间距均为25μm的微条电极，每条微条电极有镁铝丝引线引出；衬底的下表面是背电极，该背电极也是铬金复合电极。本发明的探测器的制备方法包括如下步骤：氢等离子原位刻蚀、硅表面渗碳、成核过程、金刚石表面生长过程和表面蒸镀铬金复合电极。本发明的粒子探测器生产成本低，有利于工业化生产。且本发明的探测器的各项性能完全可与探测器级天然金刚石相媲美。因而具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118604671A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410587956.X
申请日：2024-05-13
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/52 , G01R19/145 , G01R1/073 , G01R15/04
Abstract: 本发明公开了一种像素型碲锌镉探测器漏电流测试治具及其使用方法，属于像素型碲锌镉探测器电学性能测试领域。本发明包括探针卡盘、第一弹簧探针、第一接触电极、沉金PAD、转接板、第二弹簧探针，探针卡盘中间位置设置测试线缆接口、第一探针固定孔、采集信号输出口，探针卡盘外围设置第二探针固定孔，测试线缆接口通过分压电路与第一探针固定孔、第二探针固定孔电连接，第一弹簧探针、第二弹簧探针分别安装在第一探针固定孔中、第二探针固定孔中，第一探针固定孔、第二探针固定孔通过信号采集电路与采集信号输出口电连接。本发明通过分压电路使测试治具在同一时间对碲锌镉探测器各像素点进行加压，提高测试效率，提升测试结果可靠性。
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公开(公告)号：CN111192822B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
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公开(公告)号：CN115799281A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211379432.9
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L27/146 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸碲锌镉厚膜像素阵列探测器及其制备方法，还涉及这种具有像素阵列结构的大尺寸碲锌镉厚膜探测器的制备方法。所述探测器采用衬底‑背电极‑半导体‑面电极的叠层结构的组合形式。相较于传统碲锌镉探测器，本方法采用碲锌镉厚膜、像素阵列结构的面电极以及导电氧化物薄膜电极，所制备的探测器尺寸大、具有空间分辨能力且服役性能好。本发明制备的探测器对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN111900213B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010771822.5
申请日：2020-08-04
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L31/18 , C23C14/18 , H01L27/146 , C23C14/24 , C23C14/58
Abstract: 一种CdMnTe(简称CMT)成像探测器及其制备方法，其中所述的探测器由CMT晶体制备而成，并于晶体两端真空蒸镀Ti/Au复合电极构成平面探测器结构，并在此基础上设置了弗里希栅极结构，从而改变了权重势分布，使得收集性能得到提高的同时兼顾了漏电流的影响；其中所述的制备方法，在完成晶体制备的过程中建立了对诸如Cd空位等点缺陷补偿控制、对组分过冷造成的固液界面的不稳定的控制，并进一步通过设置的三步回溶步骤、形成对固液界面的形貌控制。本发明的一种CMT成像探测器及其制备方法，通过同时从晶体生长工艺与器件制备工艺两个方面作考量，形成对探测器性能的良好响应。
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公开(公告)号：CN114584092A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111532861.0
申请日：2021-12-15
Applicant: 上海大学
IPC: H03H3/007
Abstract: 本发明公开了一种金刚石简谐振子制备的工艺方法，通过离子注入法将高能粒子注入高温高压(HTHP)单晶金刚石(SCD)衬底形成类石墨的损伤层；在HTHP‑SCD衬底上外延生长SCD层，同时类石墨的损伤层转变成石墨改性层；高温高真空退火处理外延生长SCD层和石墨改性层以减少缺陷；光刻工艺在外延SCD层表面制作相应的图形并制备金属掩模版；干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合刻蚀掉金属掩模版和石墨改性层，形成镂空结构，从而得到金刚石简谐振子。本发明制备的金刚石简谐振子具有非常优异的稳定性和可重复性，可广泛应用于量子器件、化学传感、生物传感、温度探测、质量探测和磁探测等领域。
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