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公开(公告)号：CN107132472B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710372213.0
申请日：2017-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01R31/307 , H01L21/311
摘要： 本发明公开了一种用于分析深亚微米级SOI工艺芯片的腐蚀溶液及方法，其中，该方法包括：利用特性腐蚀溶液腐蚀掉待测芯片的器件层上的二氧化硅，特性腐蚀溶液包括：氢氟酸、二氧化硅刻蚀液、丙三醇和水；将腐蚀后的待测芯片用去离子水清洗后晾干；将晾干后的待测芯片放置于反性酸性染色溶液中进行染色处理，反性酸性染色溶液包括：氢氟酸、硝酸和冰醋酸；根据扫描电子显微镜采集的染色后的待测芯片的图像数据确定待测芯片的类型。该特性腐蚀溶液可以实现均匀腐蚀性，并且能有效的降低反应速度，保证成功率，且可以平整保留器件层；染色处理后的待测芯片非常平整，方便快速确定待测芯片的类型。
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公开(公告)号：CN106782671B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201611179122.7
申请日：2016-12-19
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G11C29/56
摘要： 本发明实施例公开了一种安全芯片进入测试模式的方法和装置。涉及集成电路的信息安全技术领域，解决现有技术中安全芯片进入测试模式的方案安全性较低，可行性较差，因在划片槽内放置信号或部件所导致的安全芯片无法满足先进低节点工艺要求，安全芯片的性能下降的技术问题。其中，该方法包括：获取所述安全芯片的测试标志字；根据所述测试标志字和第一关键码确定进入测试模式进入阶段；在所述测试模式进入阶段中，将EFUSE存储阵列熔断为第二关键字码；根据所述EFUSE存储阵列的熔断值和所述第二关键字码确定是否进入所述安全芯片的测试模式。
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公开(公告)号：CN107479610B
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201710905386.4
申请日：2017-09-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种快速响应LDO电路，包括：带隙基准电路、误差放大器、AB类驱动电路、功率管、响应电路、第一电阻和第二电阻；带隙基准电路的输出端与误差放大器的第一输入端和第二输出端与AB类驱动电路的第一输入端和第二输入端相连；AB类驱动电路的输出端与功率管的控制端相连；功率管的第一端均与电源相连，第二端依次通过第一电阻、第二电阻后接地；第一电阻和第二电阻之间的连接节点与误差放大器的第二输入端相连；响应电路的反馈端与功率管的第二端相连，且响应电路的两个输出端分别与AB类驱动电路的第一输入端和第二输入端相连。该电路可以加快环路的调整速度和响应速度，减小输出电压波动。
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公开(公告)号：CN108052838A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711183964.4
申请日：2017-11-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 武汉大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司 , 国网新疆电力公司检修公司 , 国网辽宁省电力有限公司
摘要： 本发明公开了一种芯片加密设计的泄漏定位系统及方法，其用于加密芯片设计的泄漏定位。该泄漏定位系统包括：解析模块、分析模块以及反馈模块。解析模块通过解析RTL文件和网表文件，获得实际硬件电路的层次结构和运算单元信息。分析模块与解析模块电性连接，所述分析模块根据所述实际硬件电路的层次结构和运算单元信息分析出泄露点精确位置，并计算出泄漏点定位成功率。反馈模块与解析模块和所述分析模块均电性连接，所述反馈模块将所述泄露点精确位置与RTL文件和网表文件进行比对，在RTL文件和网表文件中标注出泄漏点。本发明的芯片加密设计的泄漏定位系统可以更加精确地定位泄漏点。
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公开(公告)号：CN107170663A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610121476.X
申请日：2016-03-03
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力公司
摘要： 本发明公开了一种从封装体取出芯片的方法，包括：去除封装体的密封盖板，封装体的底部设有封装框架，且封装框架上通过粘片胶设有芯片，密封盖板设置于封装体的上部；向封装体内注入树脂并固化，对封装体进行塑封并形成铸件；对塑封后的铸件的底部进行研磨处理，去除封装体底部的封装框架；在预设温度范围内对研磨后的铸件进行加热处理，挖取出芯片；对挖取出的芯片进行强酸漂洗，预设时间后取出漂洗后的芯片。该方法不必加热到太高温度，就能从封装体中取出芯片；而且酸处理时间较短，不会腐蚀焊盘，可完好地取出芯片，芯片还可进行二次封装。
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公开(公告)号：CN206991158U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720932378.4
申请日：2017-07-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
摘要： 本实用新型公开了一种具有高安全特性的高速芯片时钟发生器，其包含：晶体振荡器、多条键合线以及SOC芯片。晶体振荡器用以提供低频时钟信号；SOC芯片与晶体振荡器采用多芯片封装技术封装到一个封装管壳腔体中，且SOC芯片包含：锁相环模块，其通过多条键合线与晶体振荡器连接，且锁相环模块接收晶体振荡器的低频时钟信号；其中，锁相环模块将低频时钟信号倍频至高频时钟信号，并将高频时钟信号提供给SOC芯片作为基本工作时钟。借此，本实用新型的具有高安全特性的高速芯片时钟发生器，时钟信号具有较小的抖动，时钟质量可靠。
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公开(公告)号：CN207070061U
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201721122080.3
申请日：2017-09-01
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC分类号： H04L9/06
摘要： 本实用新型公开一种加密模块，包括：第一运算电路用于接收输入数据，对输入数据进行运算，将运算后的数据输出至第一逆运算电路和比较电路；第一逆运算电路用于对接收到的数据进行第一运算电路的逆运算，将运算后的数据输出至第二运算电路和比较电路；第二运算电路用于对接收到的数据进行与第一运算电路相同的运算，将运算后的数据输出至比较电路；比较电路对输入数据、第一运算电路运算后的数据、第一逆运算电路运算后的数据、第二运算电路运算后的数据进行比较处理，并输出处理后的结果。本实用新型提供的加密模块可有效检测多点的故障攻击行为，同时输出攻击者无法使用的结果以造成攻击的失效。
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公开(公告)号：CN112099763B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010945337.5
申请日：2020-09-10
申请人： 上海交通大学 , 北京智芯微电子科技有限公司
摘要： 一种用于SM2的快速安全硬件乘法器及其应用，包括：乘加模块、模乘控制器、用于存放计算中间结果的寄存器堆和减法器，其中：乘加模块包含两个独立的乘加器，每个乘加器对64位操作数执行(c，z)＝a+xy+b的运算，模乘控制器分别与乘加模块和寄存器堆相连并按时钟周期发送执行指令，乘加模块输出计算中间结果至寄存器堆，寄存器堆的输出端分别与乘加模块的输入端以及减法器的输入端相连以实现循环计算和结果输出，减法器的输出端与寄存器堆的输出端与对外接口相连以输出最终结果。本发明能够大幅度缩短Montgomery模乘运算延时的同时，针对算法中存在的侧信道攻击漏洞采取了有效的防护手段，使其在快速执行SM2底层运算的同时不会泄露隐私数据，具有快速、安全的特点。
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公开(公告)号：CN112710405B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011461453.6
申请日：2020-12-08
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号： G01K7/16
摘要： 本发明实施例提供一种温度传感器，属于传感器技术领域。所述温度传感器包括：具有谐振腔的基板；悬臂梁，该悬臂梁位于所述谐振腔中，一端固定在所述基板上；金属层，位于所述悬臂梁的表面，温度变化时，与悬臂梁共同作用产生静态弯曲量；惠斯通电桥，包括至少一个U型可变压阻，该可变压阻位于所述悬臂梁的固定端应力最大处，用于将所述静态弯曲量转换为电信号。通过本发明提供的技术方案，能够实现对环境温度的快速高灵敏度、高精度的检测。
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公开(公告)号：CN114722882A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210561341.0
申请日：2022-05-23
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
摘要： 本发明涉及电磁技术领域，公开了一种脉冲电场数据的处理方法与系统。所述处理方法包括：获取脉冲电场波形中的多个极大值点；对所述多个极大值点进行拟合，以获取所述脉冲电场波形的包络线；以及根据所述脉冲电场波形的包络线，获取所述脉冲电场波形的特征参数值。本发明可简单且有效地对开关设备等操作所产生的脉冲电场数据进行处理，以准确地获取相应的特征参数值，从而可及时监测二次设备周围的电磁环境的突变情况。
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