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公开(公告)号：CN100462845C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510115209.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法。该浸润式微影系统，包括液体以及一密封垫圈。此液体的特征提供一浸润流体以在晶圆上进行浸润式微影，此密封垫圈覆盖于晶圆的边缘的预设部位，当液体运用于浸润式微影制程中时，可以防止浸润液体透过晶圆的边缘的覆盖部位泄漏出来。
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公开(公告)号：CN100428055C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410083999.7
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外，掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版，可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用，从而提高成像的分辨率。
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公开(公告)号：CN101106080A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710002096.5
申请日：2007-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/30 , H01L21/324 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/26513 , H01L21/2686
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的热处理方法，包括：在半导体晶片的第一面上形成第一材料层；在该第一材料层上及该半导体晶片的第二面上形成第二材料层；对该半导体晶片实施快速退火工序。
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公开(公告)号：CN1979343A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610161883.X
申请日：2006-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统。其至少包括：一晶圆吸附器，用以容纳并以浸润式微影来处理位于其上的一晶圆；至少一密封环，用以密封该晶圆于该晶圆吸附器上；一密封环承载器，用以装载该密封环至该晶圆吸附器，或自该晶圆吸附器卸下该密封环；以及一真空模组，用以吸附该密封环至该晶圆和该晶圆吸附器。借由此些密封环的排列结构，浸润式微影系统可提供较佳的密封效果，以处理位于晶圆吸附器(Wafer Chuck)上的晶圆。
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公开(公告)号：CN1971417A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510113038.0
申请日：2005-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光罩及其制造方法与微影的方法。本发明提供一种光罩，包括一透明基板以及一吸收层，该吸收层紧邻于该透明基板。上述吸收层之中具有数个开口。此光罩还包括一波长缩短材料层，设置于该数个开口之中，其中该波长缩短材料层与该吸收层大体上形成一平坦表面；以及一薄膜，固定在该透明基板附近。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1963674A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510115209.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法。该浸润式微影系统，包括液体以及一密封垫圈。此液体的特征提供一浸润流体以在晶圆上进行浸润式微影，此密封垫圈覆盖于晶圆的边缘的预设部位，当液体运用于浸润式微影制程中时，可以防止浸润液体透过晶圆的边缘的覆盖部位泄漏出来。
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公开(公告)号：CN1963673A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510115208.9
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式微影曝光设备及方法，适用于在浸润式微影期间实质消除曝光液体中的微气泡。该设备包括光学系统，可透过光罩而将光投射至晶圆上。光学转移室邻近于上述的光学系统，以装载曝光液体。至少一百万赫级超音波板可动地接合在光学转移室，以在曝光液体中产生音波，并可以消除曝光液体中的微气泡。
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公开(公告)号：CN1955848A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610150030.6
申请日：2006-10-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了一种浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，所述光刻装置包括：一成像镜片模块、一基板平台、以及一洁净模块。上述基板平台是位于成像镜片模块下方，以握持一基板，而上述洁净模块是用于洁净光刻装置之用，其中该洁净模块是择自超声波单元、洗涤器、流体喷嘴、静电洁净机及上述装置的组合所组成的族群。本发明所述的浸润式光刻装置、光刻装置及其洁净方法，减少了由污染造成的缺陷产生以及良率降低等不良情况。
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公开(公告)号：CN1904726A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610090053.2
申请日：2006-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/36
Abstract: 本发明是有关于一种设计光罩布局与产生光罩图案的方法和系统，此方法包括利用复数个像素来表示光罩布局，其中每一像素具有一光罩透明度系数。初始化一控制参数，并产生此光罩布局的一代表。此方法透过一成本函数和一波兹曼几率函数(Boltzmann Probability Function)来决定是否接受光罩布局的代表，其中成本函数与光罩布局和目标基材图案有关，而波兹曼几率函数与成本函数及控制参数有关。重复产生光罩布局的代表的步骤和决定光罩布局的代表的接受步骤，直至稳定光罩布局。根据退火程序减少此控制参数。重复产生光罩布局的代表的步骤、决定步骤、重做步骤、和减少控制参数的步骤，直至最佳化此光罩布局。
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公开(公告)号：CN1289965C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200410090287.8
申请日：2004-11-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70983 , G02B1/105 , G02B1/111 , G02B1/113 , G02B1/115 , G02B1/14 , G02B13/143 , G03F7/70341
Abstract: 本发明揭露一种适用于液体浸润式微影制程的接物透镜以及制造此种接物透镜的方法。在一个实施例中，此接物透镜具有多个透镜组件，其中一个组件包括透明基材与抗腐蚀层。此抗腐蚀层形成且邻接于透明基材之上，并且位于微影制程所使用于的液体与透明基材之间，以保护透明基材免于液体的损害。
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