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公开(公告)号：CN111154126A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010047126.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石修饰氮化硼高柔性高导热复合薄膜的制备方法，涉及一种氮化硼复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的聚合物基复合薄膜热导率低的技术问题。本发明先将六方氮化硼进行剥离处理及表面改性，然后通过静电力结合上纳米金刚石颗粒，再和聚乙烯醇混合均匀得到混合液，均匀涂布至PET薄膜上，在加热条件下静置干燥，最后脱模所得的纳米金刚石氮化硼复合薄膜，具有大尺寸、高柔性、高导热率。并且生产快速成本低廉，具有极大的工业推广价值。本发明应用于制备高导热复合薄膜。
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公开(公告)号：CN107523828B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN110106496A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910537327.5
申请日：2019-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 一种半球形/共形内外表面异质膜层沉积的原子层沉积系统及其使用方法，涉及一种原子层沉积系统及其使用方法。本发明是要解决现有的原子层沉积系统只能进行平面衬底的膜层制备或非平面衬底所有表面膜层的制备，无法对半球形/共形内外表面进行异质膜层沉积的技术问题。本发明采用了前驱体换向阀、外壁前驱体进气口及内壁前驱体进气口，通过前驱体换向阀的调节，可以使前驱体只进入球形/共形基底内表面或外表面，从而实现在内外表面单独沉积，能够有效解决内外表面无法生长异质膜层的难题。本发明实现了在球形/共形内外表面均匀生长膜层，实现了基体上膜厚的不均匀性小于1％(Al2O3薄膜)。
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公开(公告)号：CN109742026A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910136716.7
申请日：2019-02-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/335 , H01L23/373 , H01L29/778
Abstract: 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
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公开(公告)号：CN108481766A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810341519.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种有机玻璃飞机座舱盖及舷窗的裂纹修复方法，它涉及一种玻璃的裂纹修复方法。本发明是要解决现有的有机玻璃飞机座舱盖及舷窗的裂纹修复方法需要从框架上拆卸有机玻璃，延长了维修时间，且处理后的有机玻璃机械性能下降的技术问题。本发明：一、水洗带有裂纹的有机玻璃去除表面污渍；二、样品的打磨；三、样品的清洗和烘干；四、样品表面喷涂修复液；五、样品表面修复液固化。本发明采用首先采用水砂纸进行快速打磨去除表面的裂纹，可实现有机玻璃的原位修复，并降低研磨量，提高原板质量；然后喷涂修复液以增加有机玻璃的透过率。此种方法修复后有机玻璃表面平滑性好、透过率高，同时该有机玻璃方法工艺操作简单、成本低，适合应急快速维修。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108165947A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810226135.8
申请日：2018-03-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 用于修补平面沉积膜层的自吸式磁控溅射系统及溅射方法，它涉及一种磁控溅射系统及溅射方法。本发明为了解决现有的大型平面结构件表面膜层发生脱落、起皮等现象后，存在不易进行再次镀膜修复，直接影响到结构件或是功能件的寿命和功能性的问题。本发明包括真空室组件、磁控靶挡板组件和磁控靶组件，磁控靶挡板组件通过控制第一手轮的旋转，使得挡板轴运动，同时万向节发生运动带动挡板的左右运动，实现遮挡溅射辉光的作用；磁控靶通过直靶支杆和靶支座固定在真空室桶内，采用屏蔽靶套套在永磁靶头上，防止溅射过程中辉光收到外界环境干扰。溅射方法包括准备工作、抽真空、起辉、镀膜修补和取下系统。本发明用于修补平面沉积膜层中。
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公开(公告)号：CN105177533B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510563596.0
申请日：2015-09-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/517 , C23C16/27
Abstract: 一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法，本发明涉及清洗MWCVD舱体的方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中沉积的金刚石、类金刚石及非晶碳层硬度耐磨度极高，且仪器本身特殊构造等因素造成难以将膜层除去的问题。方法：一、吹洗舱体；二、关舱；三、抽真空；四、原位清洗，即完成一种利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。本发明用于利用等离子体原位清洗MWCVD舱体的方法。
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公开(公告)号：CN105112869A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510547036.6
申请日：2015-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法，本发明涉及红外透明导电薄膜的制备方法。本发明要解决现有的红外探测器的保护罩红外透过率低以及表面霜雾会对成像的质量产生影响的问题。方法：一、清洗；二、准备工作；三、镀膜；四、关机，即完成钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。本发明用于钇掺杂氧化铜红外透明导电薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN104499047A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410794743.0
申请日：2014-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种异质外延生长大尺寸单晶金刚石的衬底及其制备方法。所述衬底自下而上依次为Si衬底、TiN单晶籽晶层、金属氧化物单晶薄膜层、铱单晶薄膜层。本发明设计并制备了一种可异质外延生长大尺寸单晶金刚石的叠层，特别地，在其中插入了TiN单晶籽晶层作为外延模板和过渡缓冲层，提高了氧化物及整个衬底外延层的晶向的取向一致度及生长质量，从而为生长高质量大尺寸单晶金刚石提供了可能；本发明由于使用了TiN缓冲层，整个外延叠层结构可以基于Si衬底进行，使得外延成本大大地降低，同时基于Si衬底生长金刚石，可以更好地与电子信息工业相匹配。
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公开(公告)号：CN101299444A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810064841.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 半导体结为碳材料的太阳能电池及制备方法，它涉及太阳能电池及制备方法。它解决了现有制备成本高、原材料紧缺、技术不成熟、效率低和污染环境的问题。本发明的铝膜层(2)设在基底(1)的上表面上，掺氮四面体非晶碳n型薄膜层(3)设在铝膜层(2)的上表面上，四面体非晶碳i型薄膜层(4)设在n型薄膜层(3)的上表面上，掺硼四面体非晶碳p型窗口(5)设在i型薄膜层(4)的上表面上。方法为一、在基底(1)的上表面上镀一铝膜层(2)；二、清洗、刻蚀；三、制备n型薄膜层(3)；四、制备i型薄膜层(4)；五、制备p型窗口(5)。本发明电池的材料资源广，化学性质稳定，电池的效率高；方法的成本低、技术成熟、对环境无污染。
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