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公开(公告)号：CN103946271B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201380003965.X
申请日：2013-02-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G65/40 , C08G75/23 , H01L21/312
Abstract: 本发明的课题是提供使电绝缘性、耐热性、耐溶剂性、干法回蚀特性同时实现的钝化膜。作为解决本发明课题的手段涉及一种钝化膜形成用组合物，其包含具有下述式(i)：(式中，T0表示磺酰基、氟代亚烷基、环状亚烷基、具有取代基的亚芳基、或可以具有取代基的亚芳基与氟代亚烷基或环状亚烷基的组合。)的单元结构的聚合物，在该聚合物的末端、侧链、或主链具有至少一个具有式(2‑A)、式(2‑B)或这两种结构的基团。聚合物可以具有下述式(1)的单元结构。AA式。
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公开(公告)号：CN105324402B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201480034929.4
申请日：2014-06-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: C08G14/06 , C08G14/12 , C08G73/06 , C08K3/013 , C08L61/34 , C08L63/00 , C09J161/34 , C09J179/02 , H01L23/295 , H01L23/296 , H01L23/3142 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是提供一种新的热固性树脂组合物。作为解决本发明课题的手段为一种热固性树脂组合物，其包含具有下述式(1‑a)：(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子、碳原子数1～4的烷基、苯基或碳原子数3～6的环状烷基，X表示单键或2价有机基团，Y表示2价有机基团。)所示的重复结构单元和下述式(1‑b)：(式中，Q表示碳原子数1～5的亚烷基、氢原子的至少1个可以被卤原子取代的亚苯基、或含有至少1个氮原子的5元环或6元环的2价饱和杂环基，R3表示氢原子或甲基。)所示的末端结构的聚合物。
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公开(公告)号：CN103946271A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003965.X
申请日：2013-02-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08G65/40 , C08G75/23 , H01L21/312
CPC classification number: C08G75/20 , C08G8/02 , C08G65/40 , C08G65/48 , C09D161/16 , C09D171/12 , C09D181/06 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/56 , H01L21/76898 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L29/06 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是提供使电绝缘性、耐热性、耐溶剂性、干法回蚀特性同时实现的钝化膜。作为解决本发明课题的手段涉及一种钝化膜形成用组合物，其包含具有下述式(i)：(式中，T0表示磺酰基、氟代亚烷基、环状亚烷基、具有取代基的亚芳基、或可以具有取代基的亚芳基与氟代亚烷基或环状亚烷基的组合。)的单元结构的聚合物，在该聚合物的末端、侧链、或主链具有至少一个具有式(2-A)、式(2-B)或这两种结构的基团。聚合物可以具有下述式(1)的单元结构。AA式
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公开(公告)号：CN101248391B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200680031047.8
申请日：2006-08-15
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 为了防止伴随抗蚀剂图形的微细化的抗蚀剂图形在显影后的塌陷，本发明的课题在于提供一种形成光刻用涂布型下层膜的组合物，其应用于利用薄膜抗蚀剂进行的多层膜工序，具有小于光致抗蚀剂、半导体基板的干蚀刻速度，在加工基板时，对加工基板具有充分的抗蚀刻性。为了解决上述课题，本发明提供一种形成在利用多层膜的光刻工序中使用的涂布型下层膜的组合物，其含有下述聚合物，所述聚合物含有乙烯基萘类单元结构和下述丙烯酸类单元结构，所述丙烯酸类单元结构含有芳香族性羟基或含羟基酯。进而提供一种形成涂布型下层膜的组合物，其含有下述丙烯酸类单元结构，所述丙烯酸类单元结构含有含脂肪族环状化合物的酯或含芳香族化合物的酯。
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公开(公告)号：CN1954265B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200580015398.5
申请日：2005-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/168
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，其用于形成在半导体器件制造的光刻工序中使用的、可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：具有至少2个乙烯基醚基的化合物、具有至少2个酚性羟基或羧基的碱可溶性化合物、光酸发生剂和溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102981368A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210511476.2
申请日：2005-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/168
Abstract: 本发明的课题在于提供一种形成防反射膜的组合物，其用于形成在半导体器件制造的光刻工序中使用的、可通过光致抗蚀剂用碱性显影液进行显影的防反射膜，还提供一种使用该形成防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成防反射膜的组合物，其包含：具有至少2个乙烯基醚基的化合物、具有至少2个酚性羟基或羧基的碱可溶性化合物、光酸发生剂和溶剂。
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公开(公告)号：CN1977220B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200580021444.2
申请日：2005-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F12/14 , C08F216/06 , C08F216/14 , C08F220/28 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/094 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/091 , G03F7/11
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：在构成聚合物的单元结构中、具有摩尔比0.3以上的含有被卤原子取代的萘环的单元结构的聚合物，和溶剂。
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公开(公告)号：CN101622580A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006374.7
申请日：2008-02-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2059
Abstract: 本发明的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有10质量％的卤原子。
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公开(公告)号：CN100547487C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200380105388.1
申请日：2003-10-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其用于对在半导体器件的制造中使用的波长的光显示良好的光吸收性，具有很高的防反射光效果，与光致抗蚀剂层相比较具有较大的蚀刻速度有机防反射膜。具体地，本发明提供一种形成防反射膜的组合物，其特征在于，含有具有羟基烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪三酮化合物、低聚物化合物或高分子化合物。
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公开(公告)号：CN101010634A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029529.5
申请日：2005-08-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明的目的在于提供形成下层防反射膜的组合物，该组合物用于形成在制造半导体器件的光刻工艺中使用的下层防反射膜，所述下层防反射膜在光致抗蚀剂的显影中使用的碱性显影液的作用下能够显影，并提供使用该形成下层防反射膜的组合物的光致抗蚀剂图案的形成方法。本发明的形成下层防反射膜的组合物含有，聚酰胺酸、具有至少两个环氧基的化合物、对波长为365nm的光的摩尔吸光系数为5000～100000(1/mol·cm)的吸光性化合物、和溶剂。
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