公开(公告)号：CN102696106B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180005676.4

申请日：2011-01-07

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 吴毅锋

IPC分类号： H01L23/58 ,  H02M3/155

CPC分类号： H01L24/43 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H02M7/003 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种电子部件包括：封装在单个封装体中的III-N晶体管以及III-N整流器件。III-N晶体管的栅极电极电连接到单个封装体的第一引脚或电连接到单个封装体的导电结构部分，III-N晶体管的漏极电极电连接到单个封装体的第二引脚并且电连接到III-N整流器件的第一电极，并且III-N整流器件的第二电极电连接到单个封装体的第三引脚。

公开(公告)号：CN102754206B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180009225.8

申请日：2011-02-02

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 普里米特·帕里克 ,  詹姆斯·霍尼亚 ,  小卡尔·C·布莱克 ,  罗伯特·科菲 ,  吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L27/0883 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/642 ,  H01L23/647 ,  H01L25/165 ,  H01L25/18 ,  H01L27/0605 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48195 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/30107 ,  H03K17/567 ,  H01L2924/00

摘要： 一种电子部件，其包括都包封在单个封装体中的高压耗尽型晶体管和低压增强型晶体管。所述高压耗尽型晶体管的源电极电连接到所述低压增强型晶体管的漏电极，所述高压耗尽型晶体管的漏电极电连接到所述单个封装体的漏引线，所述低压增强型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的栅引线，所述高压耗尽型晶体管的栅电极电连接到所述单个封装体的附加引线，且所述低压增强型晶体管的源电极电连接到所述单个封装体的导电的结构部分。

公开(公告)号：CN102714219B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080056241.8

申请日：2010-12-08

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 储荣明 ,  乌梅什·米什拉 ,  拉柯许·K·拉尔

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06183 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了一种III族氮化物器件，其包括III-氮化物层的堆叠、钝化层和导电接触。该堆叠包括具有2DEG沟道的沟道层、势垒层以及间隔层。一个钝化层在与沟道层相反的一侧上直接接触间隔层的表面并且是电绝缘体。III-氮化物层的堆叠和第一钝化层形成具有邻近第一钝化层的反侧和邻近势垒层的正侧的结构。另一钝化层位于该结构的正侧上。可以部分或整体地移除在形成工艺期间形成缓冲层的有缺陷的成核和应力管理层。

公开(公告)号：CN104300947A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410214282.5

申请日：2009-09-18

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 詹姆斯·霍尼亚 ,  吴毅锋

IPC分类号： H03K17/0814

CPC分类号： G05F1/70 ,  H03K17/08142 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/49117

摘要： 本发明描述了包括电感负载和开关器件的功率开关电路。开关器件可以是低侧开关或高侧开关。一些开关是晶体管，使得能够当在晶体管两端施加电压时阻断电压，或防止实质电流流过晶体管。

公开(公告)号：CN104201210A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410333643.8

申请日：2009-12-03

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 吴毅锋 ,  乌梅什·米什拉 ,  普里米特·帕里克 ,  储荣明 ,  伊兰·本-雅各布 ,  申立坤

IPC分类号： H01L29/861

CPC分类号： H01L29/0615 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及二极管以及包括该二极管的组件，平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

公开(公告)号：CN103503152A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021047.5

申请日：2012-02-29

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 尤瓦扎·多拉

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/76804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： 一种III-N半导体器件，其可以包括在III-N材料结构的表面上具有厚度的电极限定层。所述电极限定层具有带有侧壁的凹进部，所述侧壁包括多个阶梯。所述凹进部远离所述III-N材料结构的部分具有第一宽度，并且所述凹进部靠近所述III-N材料结构的部分具有第二宽度，第一宽度大于第二宽度。电极在所述凹进部中，所述电极包括在所述凹进部的侧壁之上的延伸部分。所述电极限定层的部分在所述延伸部分和所述III-N材料结构之间。所述侧壁相对于所述III-N材料结构的表面形成大约40度或更小的有效角。

公开(公告)号：CN103477543A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280010771.8

申请日：2012-02-27

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 詹姆斯·霍尼亚 ,  吴毅锋

IPC分类号： H02M1/12

CPC分类号： H03K17/687 ,  H02M1/126 ,  H02M7/5395 ,  H02P7/29 ,  H03K17/162 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  Y10T29/49105

摘要： 一种包括半桥的电子组件，所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行。所述半桥包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关的每个都具有切换频率，第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子，其中第一开关的第一端子和第二开关的第二端子都电连接至节点。该电子组件还包括具有3dB衰减频率的滤波器，所述3dB衰减频率小于所述开关的切换频率但大于所述电负荷的工作频率。所述滤波器的第一端子电耦合至所述节点，并且所述滤波器的3dB衰减频率大于5kHz。

公开(公告)号：CN102460710A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080030524.5

申请日：2010-05-12

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 乌梅什·米什拉 ,  李·麦卡蒂 ,  尼古拉斯·菲希坦鲍姆

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02581 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7787

摘要： 描述了一种III-N器件，其具有：缓冲层，在该缓冲层上的第一III-N材料层，在该第一III-N材料层上的相对于缓冲层的相反侧上的第二III-N材料层以及在该缓冲层和沟道层之间的分散阻挡层。该第一III-N材料层是沟道层，并且在该第一III-N材料层和该第二III-N材料层之间的组分差异使得在该第一III-N材料层中感应出2DEG沟道。在该沟道层和该分散阻挡层的界面处的负电荷薄片或分布将电子限制为远离该缓冲层。

公开(公告)号：CN102017160A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114639.X

申请日：2009-04-21

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 乌梅什·米什拉 ,  罗伯特·科菲 ,  申立坤 ,  伊兰·本-雅各布 ,  普里米特·帕里克

IPC分类号： H01L29/778

CPC分类号： H01L29/7784 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/365 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788

摘要： 本发明提供了一种Ⅲ-N半导体器件，其包括衬底和氮化物沟道层，该氮化物沟道层包括在栅极区域下方的部分区域和在栅极下方的一部分的相对侧上的两个沟道接入区。该沟道接入区可以是与栅极下方的区域不同的层。该器件包括与沟道层相邻的AlXN层，其中X是镓、铟或其组合物，并且优选地，在与沟道接入区相邻的区域中包括与AlXN层相邻的n掺杂GaN层。所述AlXN层中的Al的浓度、AlXN层厚度和n掺杂GaN层中的n掺杂浓度被选择为以在沟道接入区中感生2DEG电荷而在栅下方没有不任何实质的2DEG电荷，使得在没有切换电压施加到栅的情况下沟道是不导电的。

公开(公告)号：CN103477543B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280010771.8

申请日：2012-02-27

申请人： 特兰斯夫公司

发明人： 詹姆斯·霍尼亚 ,  吴毅锋

IPC分类号： H02M1/12

CPC分类号： H03K17/687 ,  H02M1/126 ,  H02M7/5395 ,  H02P7/29 ,  H03K17/162 ,  H03K17/567 ,  H03K17/6871 ,  Y10T29/49105

摘要： 一种包括半桥的电子组件，所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行。所述半桥包括第一开关和第二开关，第一开关和第二开关的每个都具有切换频率，第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子，其中第一开关的第一端子和第二开关的第二端子都电连接至节点。该电子组件还包括具有3dB衰减频率的滤波器，所述3dB衰减频率小于所述开关的切换频率但大于所述电负荷的工作频率。所述滤波器的第一端子电耦合至所述节点，并且所述滤波器的3dB衰减频率大于5kHz。