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公开(公告)号：CN108702135A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201680068359.X
申请日：2016-11-08
申请人： AMS有限公司
CPC分类号： H03F1/26 , H03F3/005 , H03F3/423 , H03F3/4521 , H03F3/45645 , H03F2200/129 , H03F2200/264 , H03F2200/372 , H03F2200/555 , H03F2200/75 , H03F2203/45012 , H03F2203/45082 , H03F2203/45088 , H03F2203/45091 , H03F2203/45116 , H03F2203/45134 , H03F2203/45156 , H03F2203/45171 , H03F2203/45174 , H03F2203/45176 , H03F2203/45208 , H03F2203/45221 , H03F2203/45244 , H03F2203/45352 , H03F2203/45416 , H03F2203/45434 , H03F2203/45461 , H03F2203/45481 , H03F2203/45512 , H03F2203/45544 , H03F2203/45551 , H03F2203/45561 , H03F2203/45616
摘要： 本发明公开了一种放大器装置，其包括：具有第一晶体管对的第一差分级，具有第一和第二晶体管对的第二差分级，每对的共源极连接被耦接到第一差分级的相应晶体管的漏极端。放大器装置还具有第一互补差分级和第二互补差分级，其中第一互补差分级具有与第一差分级的晶体管对导电类型相反的晶体管对，第二互补差分级具有互补导电类型的第一和第二晶体管对。相对于第一和第二差分级，第一和第二互补差分级对称地连接。第二互补差分级的互补晶体管对称地连接到第二差分级的晶体管，使得形成相应的第一、第二、第三和第四电流路径。一对输出端耦接到第一和第四电流路径。每级的晶体管的栅极端耦接到相应的一对输入端。
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公开(公告)号：CN107852169A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680045302.8
申请日：2016-08-09
申请人： 思睿逻辑国际半导体有限公司
CPC分类号： H03M1/14 , G06F3/16 , G11C27/024 , H03F3/005 , H03F3/45475 , H03F3/45959 , H03F2203/45421 , H03F2203/45512 , H03F2203/45544 , H03F2203/45551 , H03M1/124 , H03M1/1295 , H03M3/458 , H03M3/494 , H03M3/496 , H04R3/00 , H04R19/04 , H04R29/004 , H04R2499/11
摘要： 一种处理ADC中的麦克风输入以确定麦克风配置的方法是在两个处理路径中处理麦克风输入信号，其中一个处理路径处理差分输入信号之间的差值，并且另一个处理路径处理差分输入信号的平均值。这些处理路径的输出可以被组合以生成表示来自麦克风的模拟信号的数字信号。数字信号包含在麦克风周围的环境中的音频的数字版本，但是还可以用于检测麦克风拓扑并配置处理路径的各方面以匹配检测到的麦克风拓扑。一种用于ADC的装置可以将这两个处理路径实现为两个Δ-Σ调制器环路。
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公开(公告)号：CN104807537B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201510040964.3
申请日：2015-01-27
申请人： 恩智浦有限公司
IPC分类号： G01H11/06
CPC分类号： G01R29/26 , G01R1/30 , H03F3/45475 , H03F2200/261 , H03F2200/372 , H03F2203/45418 , H03F2203/45528 , H03F2203/45544 , H03F2203/45594 , H03F2203/45701
摘要： 本发明涉及具有单放大路径的共模噪声传感器，包括：第一端子和第二端子，用于从电源接收相应的第一和第二信号；放大器级，连接到第一端子和第二端子并具有输出；以及电阻器网络，连接到放大器级，电阻器网络被布置为使放大器级的输出被配置为提供输出信号，输出信号中第一信号和第二信号中的差模噪声比第一信号和第二信号中的共模噪声优先被抑制。
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公开(公告)号：CN107800391A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710718480.9
申请日：2017-08-21
申请人： 联发科技股份有限公司
CPC分类号： H04L27/366 , H03C3/08 , H03D7/166 , H03F1/14 , H03F1/3205 , H03F1/3211 , H03F1/3264 , H03F3/21 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F2200/21 , H03F2200/213 , H03F2200/228 , H03F2200/249 , H03F2200/471 , H03F2200/489 , H03F2200/492 , H03F2200/534 , H03F2200/75 , H03F2201/3218 , H03F2203/45036 , H03F2203/45101 , H03F2203/45112 , H03F2203/45134 , H03F2203/45136 , H03F2203/45138 , H03F2203/45146 , H03F2203/45151 , H03F2203/45156 , H03F2203/45168 , H03F2203/45172 , H03F2203/45208 , H03F2203/45256 , H03F2203/45292 , H03F2203/45312 , H03F2203/45356 , H03F2203/45374 , H03F2203/45386 , H03F2203/45402 , H03F2203/45436 , H03F2203/45544 , H03F2203/45596 , H03F2203/45622 , H04B2001/0408 , H03F3/211 , H03F2203/21121 , H03F2203/45021 , H03F2203/45031 , H03F2203/45142
摘要： 本发明提供一种补偿电路，该补偿电路适用于功率放大器，以及，补偿电路包括变容二极管、电压传感器和控制电路。变容二极管耦接于功率放大器的输入端。电压传感器用于检测该功率放大器的输入信号的幅度，以产生检测结果。控制电路耦接于变容二极管和电压传感器，用于根据检测结果控制变容二极管的偏置电压，以调整变容二极管的电容。相应地，本发明还提供了一种补偿方法及放大电路。采用本发明，能够提高功率放大器的线性度。
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公开(公告)号：CN103999364B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201280062016.4
申请日：2012-12-17
申请人： 美国亚德诺半导体公司
发明人： H·R·塞缪尔斯
IPC分类号： H03F3/45 , H03F3/68 , G01P15/125 , G01P15/18
CPC分类号： H03F1/26 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/082 , H03F3/04 , H03F3/45071 , H03F3/45475 , H03F3/68 , H03F2200/129 , H03F2200/171 , H03F2200/261 , H03F2200/333 , H03F2203/45512 , H03F2203/45544
摘要： 一种放大器系统，具有用于放大来自多个不同通道的多个输入信号的放大器、以及每个都在操作上与放大器耦接以接收来自放大器的放大输入信号的多个解调器。每个解调器都被配置为解调来自该多个不同通道的单个通道的单个放大的输入通道信号。因而，该系统还具有与每个解调器耦接的、用于减轻噪声的多个滤波器。
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公开(公告)号：CN105281689B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510276259.3
申请日：2015-05-26
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03F3/211 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H03F1/0272 , H03F1/52 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/4508 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/405 , H03F2200/534 , H03F2200/537 , H03F2200/541 , H03F2200/555 , H03F2203/21139 , H03F2203/45394 , H03F2203/45544 , H03F2203/45591 , H03F2203/45594 , H03F2203/45596 , H01L2924/00014
摘要： 本申请案涉及一种包括异质结双极晶体管hbt及互补金属氧化物半导体cmos装置的混合功率放大器。异质结双极晶体管HBT混合型RF(射频)功率放大器包含：第一装置，所述第一装置包含用于接收RF信号的输入端子、用于放大所接收RF信号的前置驱动器级，及输出端子，所述输入端子、所述前置驱动器级及所述输出端子安置于第一衬底中或上方；及第二装置，所述第二装置具有主要级，所述主要级具有安置于第二衬底中或上方的HBT放大器电路以进一步放大由所述前置驱动器级放大的RF信号。由所述主要级进一步放大的所述RF信号通过所述第一装置的所述输出端子输出。
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公开(公告)号：CN106253892A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610405868.9
申请日：2016-06-08
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： H03K19/0185 , H04B1/40
CPC分类号： H03K19/018514 , H03F3/195 , H03F3/3001 , H03F3/3028 , H03F3/3033 , H03F3/3037 , H03F3/45201 , H03F3/45475 , H03F3/505 , H03F2200/21 , H03F2200/42 , H03F2200/451 , H03F2200/498 , H03F2200/69 , H03F2200/75 , H03F2203/45136 , H03F2203/45168 , H03F2203/45224 , H03F2203/45258 , H03F2203/45301 , H03F2203/45496 , H03F2203/45544 , H03F2203/45596 , H03F2203/45656 , H03F2203/45674 , H04B1/40 , H04B2001/0425 , H03K19/0185
摘要： 本发明实施例公开了缓冲器电路，其包括：第一信号晶体管；电流源，电流源的第一端被耦接至第一信号晶体管的第一端，电流源的第二端被耦接至第一晶体管的控制端；第二信号晶体管，第二信号晶体管的第二端被耦接至电流源的第二端，第二信号晶体管的第一端被耦接至第一信号晶体管的第二端；第三信号晶体管，第三信号晶体管的第二端被耦接至第二信号晶体管的第一端；缓冲器输入端；第一偏置电路，将缓冲器输入端交流耦接至第二信号晶体管的控制端；第二偏置电路，将第二信号晶体管的第二端交流耦接至第三信号晶体管的控制端；以及缓冲器输出端，被耦接至第二信号晶体管的第一端。本发明实施例的缓冲器电路可以更低的功率消耗来驱动一个低阻抗负载。
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公开(公告)号：CN105281678A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510272118.4
申请日：2015-05-25
申请人： 安华高科技通用IP(新加坡)公司
CPC分类号： H03F3/45179 , H03F1/14 , H03F3/193 , H03F3/245 , H03F2203/45318 , H03F2203/45544 , H03F2203/45546 , H03F2203/45562
摘要： 本发明涉及使用MOS装置对寄生电容的中和。一种设备包括：放大器，所述放大器包括具有寄生栅极到漏极电容的至少一个金属氧化物半导体MOS晶体管；及至少一个MOS中和装置，其具有经配置以补偿所述至少一个MOS晶体管的所述寄生栅极到漏极电容的中和电容。
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公开(公告)号：CN103219954A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310019405.5
申请日：2013-01-18
申请人： 联发科技股份有限公司
CPC分类号： H03F3/193 , H03F3/3022 , H03F3/45188 , H03F3/72 , H03F2200/294 , H03F2203/30084 , H03F2203/30117 , H03F2203/45544
摘要： 本发明实施例提供一种放大器电路及改善放大器电路的动态范围的方法，该放大器电路包括第一AB类放大器以及第二AB类放大器。第一AB类放大器用以接收输入信号，且放大该输入信号以产生第一输出信号，第二AB类放大器用以接收第一输出信号，且放大该第一输出信号以产生位于输出节点之上的最终输出信号。当输入信号之功率大于临界电平时，第二AB类放大器将在第一AB类放大器的开启期间位于一关闭状态，并且第一AB类放大器将在第二AB类放大器的开启期间位于关闭状态。本发明实施例能够明显增加该射频接收器系统的动态范围。
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公开(公告)号：CN102650533A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043553.6
申请日：2012-02-24
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H04R19/04 , G01C19/5776 , G01P15/125 , H03F3/183 , H03F3/45071 , H03F2200/03 , H03F2203/45112 , H03F2203/45116 , H03F2203/45544 , H04R1/04 , H04R3/00 , H04R19/005
摘要： 本发明公开了具有活动部分和偏置的传感器。提供方法和设备，其中利用至少两个不同电压来交替地偏置包括至少两个电极和活动部分的传感器。
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