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公开(公告)号：CN103080367A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041189.3
申请日：2011-05-12
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/3464 , C23C14/505 , C23C14/54 , C23C14/542 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01J37/32733 , H01J37/34 , H01J37/3429 , H01J37/3435 , H01J37/3473 , H01J2237/20214 , H01J2237/24578 , H01J2237/332
摘要： 本发明提供溅射设备，在具有在平坦基板表面上形成具有均匀厚度的多层膜的功能的同时，该溅射设备能够确保在整个浮雕结构上，即使在形成有浮雕结构的基板上，也能够均匀地形成沉积在浮雕结构的壁面或侧面部上的膜。根据本发明一个实施例的溅射设备包括用于保持基板（21）的基板保持件（22）、布置在与基板保持件（22）的斜向相对的位置处的阴极单元（40）、检测保持在基板保持件上的基板的旋转位置的位置传感器（23）和根据所检测的旋转位置来调整基板的旋转速度的保持件旋转控制器（51）。保持件旋转控制器（51）控制旋转速度以使得在阴极单元（40）位于作为浮雕结构的处理面的纵向的第一方向侧的情况下的基板旋转速度小于在当阴极单元（40）位于第二方向侧的情况下的基板旋转速度,所述第二方向沿基板旋转方向与第一方向垂直。
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公开(公告)号：CN103046008A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210543933.6
申请日：2009-09-29
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/3464 , H01F41/18 , H01J37/3266 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3414
摘要： 一种溅射方法，在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备：基板保持架(22)，其保持基板(21)，使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转；基板磁场形成装置（30），其配置于基板(21)的周围，在基板(21)的处理面上形成磁场；阴极(41)，其配置于基板(21)的斜上方，放电电力供给至该阴极(41)；位置检测装置(23)，其检测基板(21)的旋转位置；以及控制装置(50)，其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。
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公开(公告)号：CN101944482B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010167894.5
申请日：2008-12-26
申请人： 佳能株式会社 , 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , C23C14/14
CPC分类号： H01L21/28229 , C23C14/185 , C23C14/34 , C23C14/5853 , C23C14/5893 , H01L21/02074 , H01L21/28185 , H01L21/3105 , H01L21/3145 , H01L21/31645 , H01L21/321 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成至少包含金属原子、硅原子和氧原子的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表面部分氧化以形成二氧化硅膜；第二步，在非氧化气氛中在二氧化硅膜上形成金属膜；第三步，在非氧化气氛中加热以使构成金属膜的金属原子扩散到二氧化硅膜中；和第四步，使包含扩散的金属原子的二氧化硅膜氧化以形成包含金属原子、硅原子和氧原子的膜。
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公开(公告)号：CN101792896B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910266359.2
申请日：2009-12-24
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/3407 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J37/34
摘要： 本发明涉及一种溅射设备，该溅射设备包括附装有靶的可旋转的旋转构件、连接端子和馈电端子。连接端子布置在旋转构件的沿着旋转构件的旋转轴线的方向的端部上并且电连接至靶。馈电端子经由连接端子向靶供应电力。当旋转构件在馈电端子与旋转构件的该端部接触的同时旋转时，切换馈电端子与连接端子之间的电连接或绝缘状态。
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公开(公告)号：CN101778961B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880010317.6
申请日：2008-09-30
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/0063 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/3435
摘要： 本发明提供即使对于较大的基板也能获得具有均一性的品质优异的膜并且抑制粒子和结瘤的产生的溅射设备和薄膜形成方法。本发明的溅射设备包括：真空容器(9)；基板保持件(7)，其用于支撑基板(6)；阴极机构，其被定位成与基板(6)相对，以及第二气体导入机构，其用于将气体导入到真空容器(9)中。阴极机构具有彼此之间形成有间隙的多个靶材(1a)至(1c)和彼此之间形成有间隙的多个垫板(2a)至(2c)。多个靶材两两之间的间隙(14)比多个垫板两两之间的间隙(15)小。另外，间隙(14)与间隙(15)的至少一部分重叠。第二气体导入机构经由间隙(15)和间隙(14)导入气体。
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公开(公告)号：CN101471255B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810190692.5
申请日：2008-12-26
申请人： 佳能株式会社 , 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/28185 , H01L21/28229 , H01L21/3145 , H01L21/31645 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518
摘要： 本发明公开了形成介电膜的方法。在硅衬底上形成包括金属硅酸盐的介电膜的方法包括：第一步，使硅衬底的表层部分氧化并形成二氧化硅膜；第二步，将离子照射在二氧化硅膜的表面上并将二氧化硅膜的表层部分制成具有Si-O结合切断的反应加速层；第三步，在非氧化气氛中将金属膜层叠在反应加速层上；和第四步，使金属膜氧化并形成将金属从金属膜扩散到二氧化硅膜的金属硅酸盐膜。
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公开(公告)号：CN101911296B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200880124911.8
申请日：2008-06-18
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , Y10S438/90
摘要： 相变存储元件，包含：由具有钙钛矿结构的材料形成的钙钛矿层，和相变记录材料层，其位于所述钙钛矿层的至少一侧，且当通过所述钙钛矿层供应电流时相变为晶态和非晶态之一。
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公开(公告)号：CN102005212B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010273157.3
申请日：2010-09-02
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： B25J9/042 , B25J15/0052 , H01L21/67173 , H01L21/67712 , H01L21/6776 , H01L21/67766 , Y10S414/141
摘要： 本发明涉及一种包括用于衬底转移的机械手的真空处理设备以及一种衬底转移方法。根据本发明的机械手包括驱动机构、可转动地连接到驱动机构的第一臂、可转动地连接到第一臂的第二臂、和可转动地布置在第二臂的远端处的X状的端部执行器。在端部执行器的四个远端中，两个远端包括可以沿着一个方向保持衬底的保持单元，并且剩余的两个远端包括可以沿着相反的方向保持衬底的保持单元。
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公开(公告)号：CN101996919B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010262547.0
申请日：2010-08-24
申请人： 佳能安内华股份有限公司
CPC分类号： H01L21/682 , C23C14/042 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3485
摘要： 本发明提供基板保持设备、掩模定位方法以及真空处理设备，以及能够减少粒子的产生并且以高精度定位掩模的掩模定位机构，其中，真空处理设备包括该掩模定位机构。根据本发明的一个实施方式的掩模定位机构包括：基板保持件，当基板被传送时，该基板保持件能上下移动，并且在该基板保持件上形成有四个锥状销；和掩模，在该掩模中形成有槽。锥状销能够分别被插入槽中。锥状销包括一对长锥状销和一对短锥状销。每一对锥状销都被布置成隔着基板彼此面对。形成于长锥状销的锥状面和形成于短锥状销的锥状面被定位在不同的高度。
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公开(公告)号：CN101765905B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200780053807.X
申请日：2007-05-15
申请人： 佳能安内华股份有限公司
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/304 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28229 , C23C14/02 , C23C14/165 , C23C14/5853 , H01L21/02046 , H01L21/02049 , H01L21/31645 , H01L29/517 , Y10S438/906
摘要： HfO等的介电绝缘膜由包括以下的方法形成：暴露半导体基板表面上的氟自由基，清洁该基板表面，用氟自由基或氢化物(SiH4等)进行氢封端处理，用Hf等溅射和进行氧化/氮化。这些步骤在不将基板暴露于大气下进行，因此使得可以获得具有滞后小的C-V曲线并且实现具有有利器件特性的MOS-FET。
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