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公开(公告)号：CN101567389A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910141534.5
申请日：2004-05-24
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/28194 , H01L21/28202 , H01L21/28211 , H01L29/045 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66734
摘要： 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。
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公开(公告)号：CN100533684C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200580028448.3
申请日：2005-08-25
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大阳日酸株式会社 , 大见忠弘
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/768 , H01L21/31
摘要： 本发明提供等离子体成膜方法及其装置，使用水分含量为60×10-9体积比以下的C5F8气体，形成碳氟化合物膜，得到热稳定性优异的碳氟化合物膜。在C5F8气体的供给源(1)、与对于晶片(W)使C5F8气体等离子体化并形成碳氟化合物膜的成膜处理部(3)间，设置有填充了具有亲水性或还原作用的表层的物质的精制器(2)，通过将C5F8气体通入精制器(2)，去除C5F8气体的水分，例如将水分含量为20×10-9体积比左右的C5F8气体导入成膜处理部(3)，形成碳氟化合物膜。这样，进入形成的碳氟化合物膜的水分的量极少，在后面的加热工序中不容易发生由膜中的水分所引起的氟的脱离，能够提高膜的热稳定性。
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公开(公告)号：CN100492600C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200480032469.8
申请日：2004-11-02
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32724
摘要： 本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
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公开(公告)号：CN100483566C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480003650.6
申请日：2004-02-03
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 大见忠弘
CPC分类号： H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要： 本发明目的在于降低Sr2(Ta1-xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。本发明是一种铁电膜的制造方法，具有膜形成工序和加热工序，在膜形成工序中，在处理室的至少目标物周边的内侧表面由与目标物同样的构成材质形成的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而产生的目标原子沉积在衬底上，从而形成铁电膜；在加热工序中，加热所述铁电膜并进行氧化。
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公开(公告)号：CN100480656C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200480017295.8
申请日：2004-06-10
CPC分类号： G01L19/02 , G01L9/065 , G01L19/0023 , G05D7/0635
摘要： 本发明提供一种对压力传感器的时效零点漂移进行自动修正，能够不限于其工作期间对压力进行准确检测的压力传感器、使用该压力传感器的压力控制装置以及流量控制装置。具体地说，作为一种采用对流体压力进行测定的半导体压敏元件的压力传感器，将来自压力传感器的传感器输出电压通过放大器向外部输出，并将所述传感器输出电压通过D/A转换器输入给压力传感器时效零点漂移修正机构，在该时效零点漂移修正机构的传感器输出判定机构中判定所述传感器输出电压是否大于设定值，对压力传感器的动作条件进行判定，当所述传感器输出电压大于设定值时，将压力传感器的时效零点漂移消除。
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公开(公告)号：CN100467880C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200580002863.1
申请日：2005-01-13
IPC分类号： F15B13/043 , G05D16/20 , F16K47/02
CPC分类号： F16K47/02 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762 , Y10T137/7842 , Y10T137/86389 , Y10T137/86397 , Y10T137/86461
摘要： 本发明的课题在于实现，通过极为简单的装置和操作能够在不产生水击的情况下在短时间内将流体通路快速打开。本发明的无水击打开装置包括：致动器动作式阀，设置在流体通路中；电/气转换装置，向致动器动作式阀提供两阶段式致动器动作压力(Pa)；振动传感器，拆装自如地固定于所述致动器动作式阀的上游侧管路；调节箱，被输入由振动传感器检测到的振动检测信号(Pr)，并且，向电/气转换装置输出对所述两阶段式致动器动作压力(Pa)的阶跃动作压力(Ps’)的大小进行控制的控制信号(Sc)，通过该控制信号(Sc)的调整而使电/气转换装置输出下述阶跃动作压力(Ps’)的两阶段式致动器动作压力(Pa)，所述阶跃动作压力(Ps’)使得振动检测信号(Pr)大致为零。
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公开(公告)号：CN100455158C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN02826884.9
申请日：2002-10-11
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32238 , H01J37/32192
摘要： 通过提高微波的传播效率，得到能扩宽可形成等离子体加工条件范围的等离子体加工装置和处理装置。等离子体加工装置是具有用等离子体进行处理的处理室(1，2)和将微波导入处理室的微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)的等离子体加工装置，微波导入单元(3a～6a，3b～6b，19a，19b)包括使微波透过的电介质构件(5a，5b，19a，19b)。与微波透过的电介质构件的透过方向大致垂直方向上的电介质构件的断面形状，是可使大致单一模式的微波透过的形状。在设透过电介质构件的单一模式的微波的波长为λ，任意整数为m时，透过方向上的电介质构件的厚度T，满足(λ×(2m+0.7)/4)≤T≤(λ×(2m+1.3)/4)这样的条件。
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公开(公告)号：CN101215684A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710198636.1
申请日：2004-02-03
申请人： 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31691 , C01G35/00 , C01G35/006 , C01P2006/42 , C23C14/088
摘要： 本发明提供一种铁电膜的制造装置，其中，在容纳被处理体的处理室中，使等离子体中的离子冲击目标物，并使通过该冲击而飞出的目标原子沉积在被处理体上，从而在被处理体上形成铁电膜；所述处理室的内侧表面的至少目标物周边部分是由与所述目标物相同的构成材质形成的。本发明目的在于降低Sr2(Ta1－xNbx)O7(0≤x≤1)的铁电膜的介电常数并且增大矫顽电场。
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公开(公告)号：CN100380580C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200480003583.8
申请日：2004-01-29
CPC分类号： H01L21/28167 , H01L21/02008 , H01L21/02027 , H01L21/02381 , H01L21/02428 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02658 , H01L29/045
摘要： 本发明是用来制造{110}面的载流子移动度，特别是作为n型FET的载流子的电子的移动度显示出高的值的半导体集成电路元件用的半导体基板，不使用特别的洗净而是使用以往的RCA洗净、或不进行自由基氧化而以原子级使表面平坦化，而提供一减低表面粗糙度的硅半导体基板及其制造方法。本发明是以{110}面或以{110}面倾斜后的面作为主面的硅半导体基板，在其表面具有平均地沿着 方向的原子级的阶梯。
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公开(公告)号：CN100370339C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410031748.4
申请日：2004-03-25
申请人： 株式会社丰田自动织机 , 大见忠弘
IPC分类号： G02F1/13357 , H05B33/00
CPC分类号： G02F1/133385 , G02F1/133603 , H01L23/38 , H01L27/14658 , H01L51/529 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。
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