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公开(公告)号：CN113227904A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085779.2
申请日：2019-12-12
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： J·J·隆巴尔多 , R·P·奥尔布赖特 , D·L·哈勒 , V·A·佩雷斯-福尔肯 , A·贾奇
IPC: G03F7/20
Abstract: 描述了用于减少光刻系统中夹持结构的夹持面上的粒子污染物的方法和系统。诸如清洁用掩模版之类的衬底被压靠在夹持面上。在夹持发生之前或之后，所述衬底与所述夹持面之间建立温差，以促使粒子从所述夹持面转移到所述衬底。
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公开(公告)号：CN108475024B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201680077317.2
申请日：2016-12-06
Applicant: ASML控股股份有限公司 , ASML荷兰有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种检查设备，包括：衬底保持装置，其配置成保持衬底；孔装置；和光学系统，其配置成将第一测量辐射束引导至衬底上，该第一测量辐射束具有第一强度分布，且光学系统配置成在第一测量束被引导至衬底上的同时将第二聚焦辐射束引导至衬底上，该第二聚焦辐射束具有第二强度分布，其中第二强度分布的至少部分至少在衬底处和/或孔装置处与第一强度分布在空间上分离。
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公开(公告)号：CN107949810B
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201680041170.1
申请日：2016-06-17
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： L·J·A·范博克霍温 , C·C·瓦尔德 , M·L·范德加格 , J·G·C·库南
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种光刻设备(100)包括被配置用于支撑图形化装置(110)的图形化装置支撑结构(104)，被配置用于提供跨图形化装置的表面的气流(114)的气体入口(116)，以及被配置用于基于设定点调节气流温度的温度调节装置(134)。设备也包括被配置用于在光刻系统的操作使用期间测量指示了添加至图形化装置以及图形化装置和投影系统(106)透镜(124)之间空间(126)的热量的参数的传感器(132)。进一步，设备包括可操作地耦合至传感器并且被配置用于基于由传感器测得参数调节设定点以控制图形化装置温度的控制器(130)。
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公开(公告)号：CN112020677A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201980028130.7
申请日：2019-04-03
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： S·R·惠斯曼 , T·M·T·A·M·埃拉扎雷 , 林宇翔 , V·Q·特兰 , S·A·戈登 , J·L·克鲁泽 , C·J·马松 , I·M·P·阿尔茨 , K·肖梅 , I·策玛
Abstract: 对准传感器装置包括照射系统、第一光学系统、第二光学系统、检测器系统和处理器。照射系统被配置为沿照射路径透射照射光束。第一光学系统被配置为朝向衬底上的衍射目标透射照射光束。第二光学系统包括第一偏振光学器件，该第一偏振光学器件被配置为分离并且透射辐照度分布的。检测器系统被配置为基于从第一偏振分支和第二偏振分支输出的辐照度分布来测量衍射目标的重心。处理器被配置为测量由衍射目标中的不对称性变化引起的衍射目标的重心的偏移，并且基于重心偏移来确定对准传感器装置的传感器响应函数。
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公开(公告)号：CN111819498A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980017312.4
申请日：2019-02-07
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： P·V·凯尔卡
Abstract: 一种设置有抗反射涂层的衬底(50)，其中抗反射涂层由纳米结构层(52)组成。纳米结构可以通过如下方式来形成：沉积诸如SiO2等材料，并且然后使用与电感耦合等离子体源相结合的诸如反应离子蚀刻等工艺。还公开了制造工艺的其他方面。
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公开(公告)号：CN111512234A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880082603.7
申请日：2018-11-29
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/687
Abstract: 描述了用于在半导体光刻术期间减小粘附和控制晶片与晶片台之间的摩擦力的方法和系统，其中晶片台上的突节的顶部具有一具有纳米尺度形貌的层。
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公开(公告)号：CN111480113A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880080540.1
申请日：2018-11-27
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： 德克·S·G·布龙 , J·亚当斯 , A·本迪克塞 , R·雅克布 , A·贾奇 , V·V·N·N·P·科塔帕利 , J·H·里昂 , T·M·默德曼 , M·兰詹 , M·A·范德克尔克霍夫 , 熊绪刚
Abstract: 一种用于确定与用于光刻设备(LA)中的表膜(19)相关的状态的设备，该设备包括传感器(26、32、52、60)，其中，该传感器(26、32、52、60)被配置为测量与该表膜(19)相关的属性，该属性指示表膜状态。
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公开(公告)号：CN111316170A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880071423.9
申请日：2018-10-26
Applicant: ASML控股股份有限公司
Abstract: 一种光刻簇包括轨道单元和光刻设备。该光刻设备包括对准传感器和至少一个控制器。该轨道单元被配置为处理第一批次和第二批次。该光刻设备可操作地耦接到该轨道单元。该对准传感器被配置为测量校准晶片的至少一个对准标记类型的对准。至少一个控制器被配置为基于所测量的该至少一个对准标记类型的对准来确定用于校准该光刻设备的校正集合，并且将第一权重校正和第二权重校正应用于该校正集合，以用于分别处理该第一批次和该第二批次，以便使得在处理该第一批次和该第二批次期间的重叠漂移或跳动减少。
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公开(公告)号：CN111164514A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201880063039.4
申请日：2018-09-14
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种检查装置，包括光学系统，其被配置为向待测表面提供辐射的束并且从该表面接收重定向的辐射；以及检测系统，其被配置为测量重定向的辐射，其中光学系统包括用于处理辐射的光学元件，该光学元件包括被配置为产生辐射的减小的色偏的Mac Neille型多层偏振涂层。
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公开(公告)号：CN111065887A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880058932.8
申请日：2018-09-04
Applicant: ASML控股股份有限公司
Abstract: 提供了一种用于光束指向监测和补偿的光学系统。根据实施例，一种光束指向监测和补偿系统包括表面等离激元共振(SPR)光学元件(800)。SPR光学元件包括具有第一表面(806)和第二表面(802)的光学元件(801)。光学元件的第一表面和第二表面基本上彼此平行。SPR光学元件还包括第一金属层(803)，其设置在光学元件的第二表面上；电介质层(805)，其设置在第一金属层上；以及第二金属层(807)，其设置在电介质层上。
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