公开(公告)号：CN101369584A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810134077.2

申请日：2008-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金锡必 ,  陈暎究 ,  金元柱 ,  柳寅儆 ,  朴允童

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置以及一种制造所述非易失性存储装置的方法，所述非易失性存储装置可具有较高的集成密度、改善的或最佳的结构和/或降低或最小化相邻的单元之间的干扰，并且不使用SOI基底。所述非易失性存储装置可包括：半导体基底，包括主体和从主体突出的一对翅片；埋入绝缘层，填充在所述一对翅片之间；一对浮置栅电极，在所述一对翅片的外表面上并且其高度比所述一对翅片的高度高；控制栅电极，在所述一对浮置栅电极上。

公开(公告)号：CN101320755A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810086763.7

申请日：2008-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  洪起夏 ,  朴允童 ,  申在光 ,  金锡必

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/0416 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

Abstract: 示例性实施例公开了非易失性存储装置及其操作方法。所述非易失性存储装置具有优良的操作性能并可以被制成高度集成的结构。示例性实施例的非易失性存储装置的包括：基底电极；半导体沟道层，在基底电极上；浮置栅电极，在基底电极上，其中，浮置栅电极的一部分面对半导体沟道层；控制栅电极，在浮置栅电极上，其中，在其间发生电荷隧穿的浮置栅电极的一部分和基底电极之间的距离小于半导体沟道层和基底电极之间的距离。

公开(公告)号：CN101290799A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810092453.6

申请日：2008-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  金锡必 ,  玄在雄 ,  成政宪 ,  李太熙

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其操作方法。该非易失性存储装置包括以NAND串设置在半导体基底上的存储晶体管。串选择晶体管设置在NAND串的第一端，接地选择晶体管设置在NAND串的第二端。位线在串选择晶体管的外部电连接到半导体基底，并连接到接地选择晶体管的栅电极。

公开(公告)号：CN101232025A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200810003982.4

申请日：2008-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  李太熙

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  G11C16/10

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储装置及其操作方法，示例实施例的非易失性存储装置能够具有提高的集成度和可靠性。示例实施例的非易失性存储装置可包括：第一控制栅极，在半导体基底上；第一电荷存储层，可位于半导体基底和第一控制栅极之间；源区，可限定在位于第一控制栅极的一侧的半导体基底中；第一辅助栅极，可位于第一控制栅极的另一侧，并可凹陷到半导体基底中第一漏区，可限定在位于第一辅助栅极的与第一控制栅极相对的一侧的半导体基底中；位线，可连接到第一漏区。

公开(公告)号：CN101009287A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610163183.4

申请日：2006-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  朴允童 ,  玄在雄 ,  金锡必 ,  李政勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种具有低触点电阻的NAND型非易失存储器件，及操作该器件的方法。该NAND型非易失存储器件包括：第一串与第二串，其每个的一端分别连接到公共位线与公共源线。第一串与第二串每个都具有串行连接的串选择晶体管、多个单位器件、以及源选择晶体管。字线分别连接到同一行的单位器件的控制栅极。第一串选择线与第二串选择线分别连接到第一串与第二串的串选择晶体管的栅极。第一源选择线与第二源选择线分别连接到第一串与第二串的源选择晶体管的栅极。

公开(公告)号：CN1963946A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610091210.1

申请日：2006-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  边成宰 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  金锡必 ,  玄在雄

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C16/0416 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。

公开(公告)号：CN1925119A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126323.0

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  朴东健 ,  赵恩锡 ,  成锡江 ,  崔炳镕 ,  金泰瑢 ,  李忠浩

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，所述半导体器件所包括的鳍型FET结构提供主体偏压控制，表现出与SOI结构相关的某些特征优点，提供增大的工作电流和/或降低的接触电阻。所述的制造半导体器件的方法包括：在第一绝缘膜的突出部分的侧壁上形成绝缘分隔体；通过以绝缘分隔体作为蚀刻掩模去除半导体衬底的暴露区域而形成第二沟槽，并由此形成与第一绝缘膜接触并由其支撑的鳍。在形成鳍之后，形成填充第二沟槽并支撑所述鳍的第三绝缘膜。之后，去除第一绝缘膜的一部分，以开放鳍之间的空间，在所述空间内可以形成包括栅极电介质、栅电极和额外接触、绝缘和存储节点结构的额外结构。

公开(公告)号：CN1901201A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610108020.6

申请日：2006-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  玄在雄 ,  边成宰 ,  李政勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种非易失存储装置及其制备方法，其通过减小每个位的面积和控制主体偏压而具有提高的集成度并/或提高的性能。该非易失存储装置可以使用至少一对鳍的外侧表面和/或上表面的表面部分作为至少一对沟道区域，该至少一对鳍从主体突出并彼此间隔开地沿一个方向延伸。至少一个控制栅电极可以形成来跨过该沟道区域，并且至少一对存储节点可以插入在控制栅电极和沟道区域之间的至少一个部分。

公开(公告)号：CN1652336A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510056566.7

申请日：2005-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  赵重来

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。

公开(公告)号：CN101192621B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710187399.9

申请日：2007-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  具俊谟

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/24

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器装置及其制造方法。在该非易失性存储器装置中，至少一个第一传导类型的第一半导体层可相互分隔开地形成在基底的部分上。多个第一阻抗变化存储层可接触至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁。多个第二传导类型的第二半导体层可置于至少一个第一半导体层的每个的第一侧壁和多个第一阻抗变化存储层之间，第二传导类型与第一传导类型相反。多个位线电极可连接到多个第一阻抗变化存储层的每个。