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公开(公告)号：CN118624668A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410697764.4
申请日：2024-05-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种分辨碲锌镉晶体(111)A面与(111)B面的方法，其包括以下步骤：S1：将碲锌镉(CdZnTe或CZT)晶圆定向切割成晶片，研磨后备用；S2：使用抛光液对S1中打磨后的CZT晶片进行机械抛光，随后清洗、干燥；S3：使用蓝膜覆盖CZT晶片表面，在上表面裁剪出两条用于形成条形电极的暴露区域，随后在暴露区域滴加氯化金溶液形成条形电极；随后在下表面按同样操作形成两条条形电极；S4：分别测量S3中上表面两电极之间和下表面两电极之间的漏电流，根据上表面和下表面的漏电流性能确定CZT晶体的(111)A面与(111)B面。与现有技术相比，本发明采用非破坏性的电学测试进行CZT晶片表面的漏电流测试，不会对CZT晶片表面产生破坏，且更安全环保。
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公开(公告)号：CN118036327A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410302984.2
申请日：2024-03-18
Applicant: 上海大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明属于CdZnTe晶体探测器领域，具体涉及一种CdZnTe探测器模型及其应用，本发明利用半导体器件仿真软件Sentaurus TCAD构建CdZnTe探测器模型，基于该探测器模型系统地对CdZnTe晶体中深能级缺陷对空间电荷分布、内电场分布以及电子输运的影响规律进行模拟分析，模拟分析结果表明在CdZnTe晶体中深施主能级位置为Ev+0.78eV，浓度为1×1012cm‑3时，在100V的外加偏压下可以实现最佳的探测器的电荷收集效率；提高照射的亚禁带光的波长或光照强度，并在低于‑20℃的温度下可进一步降低晶体同一位置的电离深施主能级浓度和空间电荷的浓度，使得内部电场更为平坦，更有效地提高了探测器的电荷收集效率，本发明模拟分析结果为CdZnTe探测器的性能优化提供了重要的理论指导。
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公开(公告)号：CN111192822B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010024306.6
申请日：2020-01-10
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/02 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种硅片和化合物半导体晶片的低温键合方法，使用新的物质石墨烯作为键合介质实现CdZnTe与硅的键合，包括如下步骤：准备硅片,对硅片进行标准湿式化学凊洗法(RCA清洗法)清洗；然后准备CdZnTe晶片，对CdZnTe晶体进行倒角，物理抛光和化学机械抛光等表面处理工艺；然后将石墨烯转移至Si表面，或者将石墨烯转移至CZT表面，或者将石墨烯转移至CZT和Si表面，对两个晶体进行低温退火键合，避免过高的键合的问题，键合质量高，性能优异。
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公开(公告)号：CN108615786A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810538191.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉辐射敏感场效应晶体管及其制备方法，在碲锌镉衬底上形成辐射敏感场效应晶体管，该器件的栅极绝缘层为高阻碲锌镉薄膜，加强了探测器对于高能射线的捕获能力和灵敏度。低阻碲锌镉衬底作为沟道层，与绝缘层晶格常数匹配，增加了器件的稳定性。对于低阻碲锌镉衬底进行离子注入工艺，引入高浓度的杂质陷阱，可以有效调节器件的阈值电压，减小源漏接触电阻，增加器件灵敏度。该RadFET结构探测器工艺简单，对于碲锌镉晶体要求较低，适用于辐射剂量的探测，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105182855B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510610802.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679881B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti‑TiN‑Mo背电极/Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层/Cd1‑xZnxS阻挡层i‑ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层；(4)在吸收层上制备Cd1‑xZnxS阻挡层；(5)在Cd1‑xZnxS阻挡层上依次淀积i‑ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i‑ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i‑ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。.本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN107275440A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710438002.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1868 , H01L31/02167
Abstract: 本发明公开了一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，该方法包括a.抛光；b.腐蚀；c.制备金电极；d.表面钝化四个步骤，其中最后表面钝化具体步骤是：将在真空腔内采用阳极层离子源对步骤c所得的金电极的CZT晶体表面沉积DLC薄膜，其具体步骤为：向真空腔内通入Ar气，真空腔内气压为10-3～10－4Pa，开启阳极层离子源对CZT表面清洗8～10min；然后通入C2H2气体，保持温度为20～25℃在金电极的CZT晶体表面沉积厚度为5～10nm左右的DLC薄膜，即得到表面钝化的碲锌镉晶片。该方法采用DLC薄膜钝化CZT表面进行钝化能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶片表面电阻率，降低碲锌镉（CdZnTe，CZT）探测器的表面漏电流，提高CZT探测器的电学性能。
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公开(公告)号：CN105679881A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti-TiN-Mo背电极/Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层/Cd1-xZnxS阻挡层i-ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层； (4)在吸收层上制备Cd1-xZnxS阻挡层；(5)在Cd1-xZnxS阻挡层上依次淀积i-ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i-ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i-ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105182855A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510610802.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G05B19/042 , G05B2219/25338
Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN103993355A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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