公开(公告)号：CN102034863A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200910057965.3

申请日：2009-09-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元 ,  陈国庆 ,  李若加 ,  颜进甫 ,  邢溯 ,  黄晓橹 ,  杨勇胜

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/324 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/78696

摘要： 一种用于具有包围栅结构的集成电路的系统和方法。该集成电路系统包括具有全包围栅圆柱形(GAAC)纳米线沟道而电介质层介于其间的晶体管。在半导体线图案的中部中的圆柱形纳米线沟道连接在同一线图案的两个相反端部定位的源和漏区。提供一种用于制造具有GGAC晶体管的集成电路系统的方法，该方法包括：在SOI晶片的隐埋氧化物层上形成SOI层线图案；在线图案的中部下方形成空腔并且将中部成形为圆柱形成形的沟道；形成包围圆柱形沟道区的栅电极而栅电介质层介于其间，栅电极朝着线图案竖直地定位于隐埋氧化物层上；在栅电极和沟道的任一侧上、在线图案的两个相反端部形成源区/漏区。

公开(公告)号：CN102024494A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910195630.8

申请日：2009-09-11

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 季明华 ,  肖德元

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L29/739

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/0475 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436

摘要： 本发明提供了绿色晶体管、电阻随机存储器及其驱动方法，其中所提供的一种电阻随机存储器包括由存储单元所组成的存储阵列，所述存储单元包括一个存储电阻以及一个选通管；所述存储电阻的一端连接位线，另一端连接选通管；所述选通管为绿色晶体管，栅极连接字线，源极或漏极与存储电阻电连接。本发明利用绿色晶体管作为存储单元的选通管，与现有的电阻随机存储器以传统场效应晶体管作为选通管相比，位线以及字线仅需提供较低的电压即可，便能够提供较大的读、写操作电流，具有较强的驱动能力。同时能够减小存储器上选通管的功耗，而增强存储电阻上的功耗以获得良好的加热或者相变效果。

公开(公告)号：CN101964346A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200910055410.5

申请日：2009-07-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 季明华 ,  秦立瑛 ,  肖德元

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/739 ,  H01L21/84 ,  G05F3/30

摘要： 一种双极晶体管、双极晶体管的形成方法和驱动双极晶体管的方法及包含双极晶体管的带隙基准电路，其中，所述双极晶体管包括：绝缘体上硅；基区、发射区和集电区；基区栅介质层，位于顶层硅上对应于基区位置；基区栅电极，位于基区栅介质层上；发射极，通过第一接触孔与发射区电学连接；集电极，通过第二接触孔与集电区电学连接；还包括：基区控制电极，通过第三接触孔与基区栅电极电学连接。形成这种双极晶体管的工艺与传统的标准CMOS工艺完全兼容；而且双极晶体管的发射区/集电区结电容较小，通过在基区控制电极上施加电压形成基区电流，无需额外基区接触孔工艺，具有较小的输入电容。

公开(公告)号：CN101958344A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910054949.9

申请日：2009-07-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元 ,  季明华 ,  吴汉明

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

摘要： 一种绿色场效应晶体管及其制造方法，其中所述绿色场效应晶体管包括：绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括硅基底、依次位于硅基底上的埋氧层和顶层硅；位于顶层硅内互相隔离且掺杂类型相异的源极、漏极；位于源极、漏极之间的沟道体，所述沟道体呈圆柱形，一端连接源极，另一端连接漏极，从柱心向外依次包括源连接体、口袋注入层；所述源连接体与源极电连接，所述口袋注入层与漏极电连接。位于沟道体的口袋注入层表面上的栅极结构，包括栅介质层以及栅介质层表面的栅电极。本发明所述绿色场效应晶体管具有高度的响应速度，灵敏的开关特性，且满足了小尺寸下器件按比例缩小后降低能耗的需求，避免了一系列二级效应的产生。

公开(公告)号：CN101958248A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910054959.2

申请日：2009-07-16

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 吴关平 ,  肖德元

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L21/82 ,  H01L27/24 ,  H01L23/52 ,  G11C11/56

摘要： 一种PN结二极管、相变随机存储器及其制作方法。其中，相变随机存储器的制作方法，包括下列步骤：提供P型半导体衬底，所述P型半导体衬底内形成有掩埋N阱；在掩埋N阱表面注入N型离子形成N型扩散层；在P型半导体衬底上形成层间介质层，在所述层间介质层中形成有与掩埋N阱位置对应的通孔；向通孔内填充满多晶硅后，向多晶硅中注入P型离子，形成P型多晶硅插塞；在P型多晶硅插塞上依次形成第一电极、相变层和第二电极。本发明不但节省了费用，还简化了步骤，提高了制作效率。

公开(公告)号：CN101930913A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910054101.6

申请日：2009-06-26

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元 ,  季明华 ,  吴汉明

IPC分类号： H01L21/283 ,  H01L21/8238

摘要： 本发明提供了一种用于CMOS工艺的金属栅电极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底分为NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域；在所述NMOS晶体管区域以及PMOS晶体管区域表面形成金属钽层，在此金属钽层基础上，先整体碳化形成TaCx层作为NMOS晶体管的金属栅电极，再局部氮化形成TaCxNy层作为PMOS晶体管的金属栅电极。本发明利用掩膜工序以及等离子掺杂，在同一层金属上分别形成金属栅电极的方式，大幅简化了工艺步骤，且得到的金属栅电极性质稳定易于工艺控制。

公开(公告)号：CN101783322A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910045966.6

申请日：2009-01-19

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元 ,  季明华

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/41

摘要： 一种CMOS晶体管及其制作方法，其中CMOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包含硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅；位于顶层硅上的含硅层，其导电类型与顶层硅相反；位于顶层硅和含硅层中央且环绕顶层硅和含硅层的栅介质层；位于栅介质层上的栅极；位于栅极两侧含硅层内的p型轻掺杂漏极；位于栅极两侧顶层硅内的n型轻掺杂漏极；位于栅极两侧的侧墙；位于含硅层和部分顶层硅两侧的侧墙；位于栅极和侧墙两侧含硅层内的p型源/漏极；位于栅极和侧墙两侧顶层硅内的n型源/漏极。本发明提高了芯片面积的利用率和降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101770952A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200810205383.0

申请日：2008-12-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L29/0847 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其形成方法。其中金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，位于栅极两侧的侧墙及位于栅极两侧半导体衬底内的源/漏极延伸区；在栅极两侧的半导体衬底内分别定义源极区及沿位线方向互相平行的至少两个漏极区；向源极区和漏极区注入离子，形成源极和至少两个漏极；于半导体衬底上形成层间绝缘层，且层间绝缘层覆盖栅极；在层间绝缘层内形成分别与源极、栅极及漏极连通的导电插塞。本发明降低了工艺成本以及制作时间，提高了制作效率。

公开(公告)号：CN101752455A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810204622.0

申请日：2008-12-15

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明提供太阳能电池的制造方法，包括步骤：在单晶衬底上沉积多晶硅层；从多晶硅层一侧向单晶衬底上注入氢离子，在所述单晶衬底内形成空洞；通过离子注入在所述多晶硅层内形成相互接触的P型多晶硅层和N型多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述单晶衬底的一侧上形成第一电极；对所述单晶衬底和多晶硅层进行热退火；剥离所述单晶衬底；在剥离了单晶衬底的多晶硅层远离所述第一电极的一侧上形成第二电极结构。与现有技术相比，本发明将形成太阳能电池PN结的多晶硅层生长在单晶衬底上，由于晶格常数匹配更佳，因而生长出的多晶硅层中晶粒尺寸较大，可以提高太阳能电池的性能。并且，单晶衬底可以剥离，因而可以降低制造成本。

公开(公告)号：CN101752413A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810203811.6

申请日：2008-12-01

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元 ,  季明华

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

摘要： 本发明涉及双极晶体管及其制造方法。其中，双极晶体管的制造方法包括步骤：提供半导体衬底；对所述的第一半导体材料层进行离子注入；刻蚀所述第一半导体材料层和埋入电介质层，形成半导体材料柱和电介质支撑柱；去除所述电介质支撑柱的中段；在所述衬底上沉积金属层至至少掩埋所述半导体材料柱；刻蚀所述金属层，形成金属基极；对半导体材料柱两端的暴露部分进行垂直轻掺杂；对半导体材料柱的暴露部分进行倾斜重掺杂。本发明对发射区和集电区先进行垂直轻掺杂再进行倾斜重掺杂，可以一次性形成与基区接触的重掺杂的发射区，以及在基区和重掺杂的集电区之间的轻掺杂的缓冲区，从而可以通过控制重掺杂角度来控制发射区和集电区之间的击穿电压。