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公开(公告)号：CN105453274A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480001313.7
申请日：2014-05-20
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/054 , H01L31/044 , H02S20/32
CPC分类号： Y02E10/52
摘要： 一种聚光光伏模块，包括：被提供为与外壳的底表面接触的柔性印刷电路；以及由被布置的多个透镜元件形成的主聚光部，每个透镜元件聚集阳光，其中柔性印刷电路包括：绝缘基底材料和导电图案；被提供在该图案上以便分别与透镜元件对应的多个发电元件；具有绝缘性能和不高于预定值的低吸水率的作为覆盖层的盖层，盖层覆盖并密封包括在绝缘基底材料上的图案的导电部；以及具有绝缘性能和不高于预定值的低吸水率的粘合剂层，粘合剂层将绝缘基底材料和覆盖层粘结在一起。
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公开(公告)号：CN102959736B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180032436.3
申请日：2011-06-15
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/18 , H01L31/1844 , Y02E10/544
摘要： 提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括1.3μm和2.0μm波长的近红外区域中具有灵敏度。在1.3μm波长处的灵敏度与在2.0μm波长处的灵敏度的比率不小于0.5但不大于1.6。
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公开(公告)号：CN101922045B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010202934.5
申请日：2010-06-10
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： H01L29/872 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02008 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/205
摘要： 本发明提供了GaN单结晶体及其制造方法和半导体器件及其制造方法，由此，当生长GaN单结晶体时以及当生长的GaN单结晶体被加工成基板等形式时，以及当至少单层的半导体层形成在基板形式的GaN单结晶体上以制造半导体器件时，将裂纹控制到最少。GaN晶体团(10)具有纤锌矿晶体结构，并且在30℃下，其弹性常数C11为348GPa至365GPa并且其弹性常数C13为90GPa至98GPa，或者其弹性常数C11为352GPa至362GPa。
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公开(公告)号：CN102084039B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200980125958.0
申请日：2009-06-25
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： G02B1/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B13/143 , Y10T428/24355 , Y10T428/2973
摘要： 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。
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公开(公告)号：CN102484076A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080038234.5
申请日：2010-08-23
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L29/2003
摘要： 本发明提供一种击穿电场强度较大且结晶缺陷较少的常关型III族氮化物半导体设备、及用于制作该III族氮化物半导体设备的III族氮化物半导体层积晶圆。III族氮化物半导体层积晶圆(10)包括：基板27，其由AlN构成且具有沿该AlN结晶的c轴的主面(27a)；第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)，其由含有Al的III族氮化物系半导体构成且设置在主面(27a)上；以及第二AlX2InY2Ga1-X2-Y2N层(15)，其设置在主面(27a)上，由带隙比第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)更大的III族氮化物系半导体构成，并且与第一AlX1InY1Ga1-X1-Y1N层(13)形成异质结。
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公开(公告)号：CN102137960A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980134190.3
申请日：2009-08-26
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： C30B29/38 , B24B1/00 , C30B33/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02021 , C30B25/00 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/02013 , H01L21/02389
摘要： 一种制造氮化物衬底(10)的方法，其提供有以下步骤。首先，生长氮化物晶体。然后，从该氮化物晶体切割包括前表面(11)的氮化物衬底(10)。在该切割步骤中，切割氮化物衬底(10)，使得在与前表面(11)正交的轴和m轴或a轴之间形成的偏离角大于零。当在c轴方向上生长氮化物晶体时，在切割步骤中，沿着穿过氮化物晶体的前表面和后表面且没有穿过连接氮化物晶体的前表面的曲率半径中心与后表面的曲率半径中心的线段的平面，从氮化物晶体切割氮化物衬底(10)。
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公开(公告)号：CN102105835A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128974.5
申请日：2009-07-28
申请人： 住友电气工业株式会社
CPC分类号： G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F2202/101 , Y10T156/1075
摘要： 本发明公开了一种具有提高的性能保持寿命的波长变换元件。也公开了一种制造波长变换元件的方法。波长变换元件(10a)具有光波导(13)，并对从所述光波导(13)的一端(13a)侧输入的入射光(101)的波长进行变换，使得从所述光波导(13)的另一端(13b)侧输出出射光(102)。所述波长变换元件(10a)包含由AlxGa(1-x)N(0.5≤x≤1)构成的第一晶体(11)和组成与所述第一晶体(11)相同的第二晶体(12)。所述第一晶体和第二晶体(11，12)形成畴相反结构，在所述畴反转结构中极化方向沿所述光波导(13)周期性反转。所述畴相反结构对于所述入射光(101)满足准相位匹配条件。所述第一晶体和第二晶体(11，12)中的至少一种晶体具有1×103cm-2以上且小于1×107cm-2的位错密度。
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公开(公告)号：CN101312165B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810130625.4
申请日：2005-07-01
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/306 , C30B33/00
摘要： AlxGayIn1-x-yN衬底及其清洗方法，AlN衬底及其清洗方法提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底，其中当AlxGayIn1-x-yN衬底的直径为2英寸时，AlxGayIn1-x-yN衬底一个表面上晶粒大小至少为0.2μm的粒子数至多为20，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。此外，提供了一种AlxGayIn1-x-yN衬底(51)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的该AlxGayIn1-x-yN衬底(51)表面光电子能谱中，C1s电子的峰面积和N1s电子的峰面积之间的比例至多为3，以及可以获得该AlxGayIn1-x-yN衬底的清洗方法。另外，提供了一种AlN衬底(52)，其中在通过X射线光电子能谱学方法以10°检测角获得的AlN衬底(52)表面的光电子能谱中，Al2s电子峰面积和N1s电子峰面积之间的比例至多为0.65，以及可以获得该AlN衬底的清洗方法。
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公开(公告)号：CN101644871A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164134.6
申请日：2009-08-06
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： G02F1/365
CPC分类号： G02F1/3558 , G02F1/353 , G02F2001/3548
摘要： 本发明提供一种制造波长变换器的方法和由此能够提高透射率的波长变换器。制造波长变换器(10a)的方法包括下列步骤。首先，生长晶体。然后，以使畴彼此相反的方式将所述晶体分割成两个以上的部分，从而形成第一晶体(11)和第二晶体(12)。接着，以形成畴相反结构且所述畴相反结构对于所述入射光束(101)满足准相位匹配条件的方式对所述第一晶体(11)和第二晶体(12)进行嵌合，在所述畴相反结构中所述第一晶体(11)和第二晶体(12)的极向沿光波导(13)周期性反转。
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公开(公告)号：CN101501822A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029411.1
申请日：2007-06-15
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , C30B29/38 , B08B3/08 , H01L33/00 , B08B3/12
CPC分类号： C30B29/403 , B08B3/12 , C30B33/00 , C30B33/10 , H01L21/02052 , Y10T428/25
摘要： 提供一种能够实现高质量外延膜的稳定生长的GaxIn1－xN衬底和用于获得GaxIn1－xN衬底的清洗方法。当GaxIn1－xN衬底具有2英寸直径时，存在于GaxIn1－xN衬底上且颗粒尺寸不小于0.2μm的颗粒数目不大于20。而且，在通过X射线光电子能谱法以10度的检测角获得的GaxIn1－xN衬底表面上的光电子能谱中，C1s电子和N1s电子峰面积之比(C1s电子的峰面积/N1s电子的峰面积)不大于3。
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