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公开(公告)号：CN102124578A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201080001340.6
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L33/325 , H01S5/3202
Abstract: 一种III族氮化物半导体光元件(11a)，包括：III族氮化物半导体基板(13)，具有与基准平面(Sc)成有限的角度的主面(13a)，基准平面(Sc)与c轴方向上延伸的基准轴(Cx)正交；和量子阱结构的活性层(17)，被设置于III族氮化物半导体基板(13)的主面(13a)上，并包含由III族氮化物半导体构成的阱层(28)及由III族氮化物半导体构成的多个势垒层(29)，主面(13a)显示半极性，活性层(17)具有1×1017cm-3以上且8×1017cm-3以下的氧浓度，多个势垒层(29)在与阱层(28)的III族氮化物半导体基板一侧的下部界面(28Sd)接触的上部界面附近区域(29u)含有浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下的氧以外的n型杂质。
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公开(公告)号：CN102034910A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010501542.9
申请日：2010-09-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2302/00
Abstract: 本发明提供III族氮化物半导体光元件、外延衬底及III族氮化物半导体发光元件的制作方法。III族氮化物半导体光元件(11a)中，衬底(13)的主面(13a)从与沿该第一III族氮化物半导体的c轴延伸的基准轴Cx正交的面，以63度以上且小于80度的范围的倾斜角向第一III族氮化物半导体的m轴方向倾斜。有源层(17)产生580nm以上800nm以下的波长范围的光。有源层(17)的半导体外延层(19)包含含有铟作为III族构成元素的III族氮化物半导体。第二III族氮化物半导体包含InGaN等。半导体外延层(19)的铟含量为0.35以上0.65以下。半导体外延层(19)的膜厚方向相对基准轴Cx倾斜。
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公开(公告)号：CN1782142B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200510125396.3
申请日：2005-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/68771 , C23C16/303 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B29/403 , H01L21/67103 , H01L21/68 , H01L21/68764
Abstract: 本发明涉及减小III族氮化物沉积物影响的MOCVD装置用晶片导向器。晶片支架(15)包括一个或多个第一区域(15a)和围绕第一区域(15a)的第二区域(15b)。每个第一区域(15a)包括用于支撑其上沉积有氮化物半导体的晶片(19)的表面。在MOCVD设备(11)和(13)中，将晶片导向器(17)提供在晶片支架(15)第二区域(15b)上。晶片导向器(17)配备有用于覆盖第二区域(15b)的防护罩(17a)和用于接纳在第一区域(15a)上的晶片(19)的一个或多个开口(17b)。防护罩(17a)具有限定开口(17b)并引导晶片(19)的侧表面(17c)，并且将晶片(19)接纳于每个开口(17b)中。将晶片(19)装载在暴露于该开口(17b)中的每个晶片支架(15)第一区域(15a)的支撑表面上。
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公开(公告)号：CN101958511A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010228912.6
申请日：2010-07-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3202
Abstract: 一种形成于半极性的主面上的长波长的III族氮化物半导体激光二极管，抑制活性层的结晶质量下降，并获得稳定的振荡模式。III族氮化物半导体激光二极管(11)具有：III族氮化物基板(13)，其具有半极性的主面(13a)；n型包层(15)，由含Al的III族氮化物构成；活性层(17)；p型包层(19)，由含Al的III族氮化物构成；第1导光层(21)，设置于n型包层和活性层之间；第2导光层(23)，设置于p型包层和活性层之间。导光层(21、23)包括由GaN构成的第1层(31、35)和由InGaN构成的第2层(33、37)，各导光层中的第1及第2层的总厚度大于0.1μm。
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公开(公告)号：CN101661986A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910170459.5
申请日：2009-08-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及制造氮化物半导体光学器件和外延晶片的方法。其中，在步骤S106中，在将生长炉内的温度保持为T W 的同时，在时刻t4和t5之间在半极性主面上生长In X Ga 1-X N阱层。在步骤S107中，在所述阱层的生长完成之后，立即在温度T W 下开始生长保护层以覆盖所述阱层的主面。所述保护层由氮化镓基半导体构成，所述氮化镓基半导体的带隙能量大于所述阱层的带隙能量且等于或小于阻挡层的带隙能量。在步骤S108中，在生长所述阻挡层之前，将所述炉子的温度由温度T W 变化至T B 。在将所述炉子的温度保持为温度T B 的同时，在时刻t8和t9之间在所述保护层上生长由氮化镓基半导体构成的阻挡层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101626058A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140218.6
申请日：2009-07-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种可以降低空穴从活性层的溢出而提高量子效率的III族氮化物类半导体发光元件以及用于该III族氮化物类半导体发光元件的外延晶圆。活性层(19)位于p型GaN类半导体区域(15)和空穴阻挡层(17)之间，因此空穴(H)从p型GaN类半导体区域(15)供给到活性层(19)。空穴阻挡层(17)的厚度(D17)小于GaN类半导体层(13)的厚度(D13)。空穴阻挡层(17)的带隙(G17)大于GaN类半导体区域(23)的带隙的最大值，因此空穴阻挡层(17)对要从活性层(19)溢出的空穴起到障壁(ΔG H )的作用。因此，空穴阻挡层(17)降低了从活性层(19)溢出并到达GaN类半导体区域(23)的空穴的量。
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公开(公告)号：CN101440479A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810177922.4
申请日：2008-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/08
Abstract: 本发明提供了有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器，利用所述反应器，在使得沉积膜厚度均匀的同时，能够提高膜的沉积效率。MOCVD反应器(1)安装有基座(5)和导管(11)。基座(5)具有用于加热和承载衬底(20)的承载面。导管(11)用于将反应气体G引导到衬底(20)。基座5可以旋转，同时承载面朝向导管(11)内部。导管(11)具有管道(11b)和(11c)，其在点A4上游的导管端处合并。导管(11)的高度沿反应气体G流动方向，从点P1至点P2朝向导管下游端单调降低，从点P2至点P3保持不变，从点P3朝向下游单调降低。点P1位于点A4的上游，而点P3位于基座5上。
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公开(公告)号：CN1896344A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610093660.4
申请日：2002-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B31/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00
CPC classification number: C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。
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公开(公告)号：CN1670916A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510005741.X
申请日：2005-01-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02625
Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。
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公开(公告)号：CN102668279B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080058983.4
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
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