公开(公告)号：CN114242571A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111496268.5

申请日：2021-12-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 张文婷 ,  安运来 ,  杨霏 ,  刘瑞 ,  朱涛 ,  桑玲 ,  田丽欣 ,  张朋 ,  罗松威 ,  杜泽晨

IPC分类号： H01L21/04

摘要： 本发明提供一种半导体结构的制备方法。所述半导体结构的制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成第一外延层；在所述第一外延层背离所述半导体衬底的一侧表面形成扩散膜，所述扩散膜中具有扩散原子；形成所述扩散膜之后，进行退火处理以使得所述扩散原子进入所述第一外延层中，所述扩散原子适于填补所述第一外延层中的原子空位。本发明将所述扩散膜中的扩散原子导入所述第一外延层填补所述第一外延层内部的空位，在降低所述第一外延层内的深能级缺陷，达到提升载流子寿命目的同时，避免了对所述第一外延层表面产生损伤，且实施方便，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN111710599A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010620297.7

申请日：2020-06-30

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 夏经华 ,  桑玲 ,  田亮 ,  查祎英 ,  张文婷 ,  田丽欣 ,  安运来 ,  牛喜平 ,  罗松威 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/263

摘要： 本发明涉及碳化硅器件领域，具体涉及一种碳化硅欧姆接触的制备方法；包括以下步骤：对碳化硅样片进行标准清洗；采用非反应性等离子体对碳化硅样片进行离子轰击；在碳化硅样片上制备欧姆接触金属层；对制备有欧姆接触金属层的碳化硅样片进行退火处理。通过采用等离子体对碳化硅样片表面进行离子轰击，改变了碳化硅样片的表面状态，在碳化硅和金属界面引入了一系列的受控界面态，从而使得可以在受控的条件下，降低金属和碳化硅之间的有效势垒高度，进而对金属与碳化硅之间的载流子跃迁或遂穿起到有效地辅助作用，提高载流子通过势垒的输运效率，显著提高碳化硅与金属的欧姆接触效果，降低接触电阻，形成良好的碳化硅欧姆接触。

公开(公告)号：CN111697079A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010658595.5

申请日：2020-07-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司

发明人： 田丽欣 ,  罗松威 ,  夏经华 ,  张文婷 ,  安运来 ,  杨霏

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/08

摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种SiC MOSFET器件结构。所述SiC MOSFET器件结构，包括：衬底；外延层，形成在所述衬底之上；P阱区，形成在所述外延层之内；以及形成在所述P阱区之内的两个相邻N+源区；所述N+源区的表面掺杂浓度大于或等于内部掺杂浓度。本发明提供的SiC MOSFET器件结构，通过改变N+源区的掺杂浓度，提升N+源区的电阻，进而在提高器件的短路能力同时又能保证导通能力基本不退化。

公开(公告)号：CN109904087A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910029734.5

申请日：2019-01-14

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 李玲 ,  李永平 ,  李嘉琳 ,  吴昊 ,  张红丹 ,  赛朝阳 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明提供一种半导体晶圆表面颗粒度的检测方法和装置，在半导体晶圆上刻录定位框；确定颗粒度检测工艺前后所有定位框中颗粒数的增加量；基于所述增加量判断颗粒数是否符合预设条件，不需要晶圆颗粒度检测专用设备，也不需要在专门的实验室，即可实现半导体晶圆表面颗粒度的检测，不受检测条件的影响，应用广泛；本发明采用显微镜确定每个定位框中的颗粒数，由于显微镜成本比晶圆颗粒度检测专用设备低，降低了检测成本，简化了检测过程；相比整个半导体晶圆全部检测，采用定位框可节省时间、提高效率，且刻有定位框的半导体晶圆清洗后可用于下一次检测，避免浪费。

公开(公告)号：CN109212399A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810906443.5

申请日：2018-08-10

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司

发明人： 查祎英 ,  金锐 ,  李玲 ,  董少华 ,  吴鹏飞 ,  张璧君 ,  杨霏 ,  潘艳

IPC分类号： G01R31/26

摘要： 本发明公开了一种半导体器件高温电特性测试装置及方法，该装置包括：脉冲电源、恒温加热设备、电特性测试设备，在第一预设时间内，脉冲电源向待测器件提供电流脉冲，恒温加热设备对待测器件进行加热；在第一预设时间后，脉冲电源与待测器件的连接断开，恒温加热设备对待测器件进行调温，使待测器件的结温达到并保持目标温度；电特性测试设备对待测器件进行高温电特性测试。通过实施本发明，使待测器件在自身损耗和恒温加热装置的共同作用下加热，升温速度快；电特性测试设备在器件升温过程中不与器件接触，避免受高温影响；脉冲电源与电特性测试设备在测试期间断开，避免两个设备相互影响，使得测试过程更加安全，且可以连续的长时间快速大批量测试。

公开(公告)号：CN115706005A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110925271.8

申请日：2021-08-12

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 刘瑞 ,  吴军民 ,  杨霏

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种MOSFET器件的制备方法，包括：提供半导体基底；在半导体基底上形成掺杂导电离子的栅极材料层；对栅极材料层进行退火处理，退火处理使栅极材料层背离半导体基底的至少部分表面形成氧化层；进行退火处理之后，对栅极材料层进行腐蚀清洗处理以去除氧化层；去除氧化层之后，对栅极材料层进行刻蚀以形成栅电极层。MOSFET器件的制备方法有效降低了MOSFET器件失效的风险。

公开(公告)号：CN113629130A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202010386337.6

申请日：2020-05-09

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司厦门供电公司

发明人： 桑玲 ,  查祎英 ,  金锐 ,  王耀华 ,  杨霏 ,  田丽欣 ,  夏经华 ,  张文婷 ,  安运来 ,  赛朝阳 ,  吴军民

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/265

摘要： 本发明提供一种半导体功率器件及其制作方法，半导体功率器件包括半导体层(1)、截止环(2)、有源区(3)、场限环终端(4)和介质层(5)；场限环终端(4)包括多个场限环区域，每个场限环区域包括多个场限环，截止环(2)、有源区(3)和场限环终端(4)设置于半导体层(1)的正面，所述介质层(5)设置于场限环终端(4)的正面，多个场限环区域形成场限环终端，提高了场限环终端(4)的保护效率和半导体功率器件的可靠性；不同场限环承受的电压相当，避免电场集中于有源区主结处或最后一个场限环，大大提高了半导体功率器件的击穿电压，增强了半导体功率器件的可靠性和稳定性。

公开(公告)号：CN112820769A

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN202011626480.4

申请日：2020-12-31

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国家电网有限公司

发明人： 田丽欣 ,  杨霏 ,  吴军民

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，碳化硅MOSFET器件包括由下至上依次层叠的衬底基片、缓冲层、漂移层，还包括：多个P阱区，P型控制区，p+型基区，n+型源区，栅氧化物层，分裂栅电极，钝化介质层，源电极层，漏电极层，肖特基电极，本方案，利用分裂栅电极与位于分裂栅电极之间的P型控制区的耦合作用，降低栅氧化物电场并有效降低高漏源电压下的饱和电流密度，提高器件的短路耐受能力。除此之外，通过分裂栅的设置降低器件的栅漏电容，以降低SiC基DMOSFET的开关损耗。

公开(公告)号：CN112002637A

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN202010686412.0

申请日：2020-07-16

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 田亮 ,  杨霏 ,  夏经华 ,  查祎英 ,  田丽欣

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/304

摘要： 本发明涉及一种大功率电力电子器件晶圆的裂片方法，包括：将所述晶圆正面的刻蚀区域采用等离子刻蚀的方式形成裂片凹槽，采用裂片机从所述晶圆背面对准所述裂片凹槽进行裂片，形成裂片道，基于所述裂片道对所述晶圆进行扩膜，本方法有效解决传统砂轮划片的划片道较宽、耗材损耗高、崩边不容易控制和激光划片导致的钝化层损伤、可靠性降低的技术问题。

公开(公告)号：CN111952172A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010627783.1

申请日：2020-07-01

申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国网福建省电力有限公司 ,  国网福建省电力有限公司厦门供电公司

发明人： 杨霏 ,  张文婷 ,  安运来 ,  查祎英 ,  罗松威 ,  夏经华 ,  田丽欣 ,  桑玲 ,  田亮 ,  牛喜平 ,  吴军民 ,  刘文亮 ,  郭熠昀

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

摘要： 本发明提供一种基于键合工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT，在SiC衬底表面依次形成N-过渡层、N-漂移层、N+缓冲层和P+集电层；采用键合工艺对所述P+集电层和键合基片进行键合，之后去除SiC衬底和N-过渡层，或先去除SiC衬底和N-过渡层，之后采用键合工艺对所述P+集电层和键合基片进行键合；采用减薄工艺去除部分键合基片，并形成栅极、发射极和集电极，通过键合工艺减小了碎片概率，提高SiC IGBT的良品率，降低了SiC IGBT的生产成本；且P+集电层掺杂浓度高，降低了SiC IGBT的损耗，提高了SiC IGBT的导通特性；本发明提高了SiC IGBT所需外延材料的质量，减小导通电阻，进一步降低了SiC IGBT的损耗。