公开(公告)号：CN103035702B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN104183636A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410171412.1

申请日：2014-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 美浓浦优一 ,  冈本直哉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其包括：在衬底上由氮化物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上由氮化物半导体形成的第二半导体层；在第二半导体层中或者在第二半导体层和第一半导体层中形成的栅极沟槽；在栅极沟槽处形成的栅电极；以及在第二半导体层上形成的源电极和漏电极。栅极沟槽具有形成为比栅极沟槽的底部的中部更浅的底部的端部。栅极沟槽的侧壁的一部分由包括a面的表面形成。底部的中部为c面。底部的端部形成从c面到a面的斜面。

公开(公告)号：CN103035703A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210270679.7

申请日：2012-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 牧山刚三 ,  冈本直哉 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H02M7/537

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

公开(公告)号：CN102651387A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210044499.7

申请日：2012-02-23

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H02M1/42

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法以及电源，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的第一化合物半导体层；形成在第一化合物半导体层上的第二化合物半导体层；以及形成在第一化合物半导体层上的上电极，其中在第一化合物半导体层的位于第一化合物半导体层与第二化合物半导体层之间的界面处的区域中产生二维空穴气，以使得具有随着距上电极的距离增加而降低的空穴浓度。

公开(公告)号：CN101506958B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200680055684.9

申请日：2006-09-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 多木俊裕 ,  冈本直哉

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/28247 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种场效应晶体管，包括：半导体层叠结构，其包括由氮化物半导体构成的载流子传输层；栅电极，其与所述载流子传输层中的沟道区域对应地形成于所述半导体层叠结构上，并在第一侧具有第一侧壁面，在第二侧具有第二侧壁面；绝缘膜，其直接形成于所述栅电极上，覆盖所述第一侧壁面和第二侧壁面中至少一方；第一欧姆电极，其形成于所述半导体层叠结构上的所述栅电极的所述第一侧；第二欧姆电极，其形成于所述半导体层叠结构上的所述栅电极的所述第二侧；和钝化膜，其包括第一部分和第二部分，该第一部分从所述第一欧姆电极朝向所述栅电极延伸，以便覆盖所述半导体层叠结构的表面中的所述第一欧姆电极与所述栅电极之间的区域，该第二部分从所述第二欧姆电极朝向所述栅电极延伸，以便覆盖所述半导体层叠结构的表面中的所述第二欧姆电极与所述栅电极之间的区域，所述绝缘膜至少与所述第一和第二钝化膜部分接触、且具有与所述钝化膜不同的成分。

公开(公告)号：CN101335247A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810127301.5

申请日：2008-06-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括在绝缘衬底上形成GaN层和n型AlGaN层，然后在这些层上形成栅电极、源电极和漏电极。接着在源电极、GaN层和n型AlGaN层中形成开口至少到达绝缘衬底的表面。然后在开口中形成镍(Ni)层。之后从后侧进行干法蚀刻工艺，同时用镍(Ni)层充当蚀刻阻挡层，在绝缘衬底中形成导孔到达镍(Ni)层。然后形成导孔布线，导孔布线从导孔的内部延伸到绝缘衬底的后表面。本发明能够减少与形成导孔相关的产量下降现象。