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公开(公告)号：CN118441258A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410870818.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/35 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种联动式快接晶圆镀膜装置，包括外筒、内筒、载台、第一盖板、第一驱动件、顶针、顶板和旋转驱动件，旋转驱动件用于驱使载台自转，载台上设有活动孔，顶针受限于活动孔中；第一驱动件能够同时驱使第一盖板和顶板上升，以便于第一进出口开放、顶针接取晶圆；第一驱动件又能够同时驱使第一盖板和顶板下降，以便于第一进出口封闭、晶圆落到载台上；顶板与顶针通过接触而非连接的方式实现联动，载台的旋转与顶板的升降不会相互干扰，采用一个升降驱动件即可实现顶板对顶针的顶升以及第一盖板对第一进出口的封闭，从而实现快速的载台接料和反应区域封闭、进而提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN118422149A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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公开(公告)号：CN117995657B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410405126.0
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆预处理方法及晶圆预处理装置，晶圆预处理方法包括升温步骤、降温步骤和自清洁步骤，升温步骤能够加热晶圆、实现对晶圆的去杂或者调温，降温步骤能够冷却晶圆、实现对晶圆的调温，自清洁步骤能够清洁反应腔、清除残余污染物；晶圆预处理装置利用一个反应腔实现了上述晶圆预处理方法，通过单机设备满足多样的晶圆预处理需要，并通过自清洁机构实现自理、避免腔内沉积污染物影响对晶圆的预处理。
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公开(公告)号：CN117867454A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410278561.1
申请日：2024-03-12
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的装置，包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件；溅射腔用于晶圆覆膜；升降载台部包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸附件的气路；副腔位于溅射腔的一侧面并连通于溅射腔；盖件运转于溅射腔和副腔之间，所述盖件顶部中心处设置有排气孔；其中，当所述盖件运转至溅射腔内时，所述盖件罩住晶圆并在盖件和静电吸附件之间形成辅热腔室，热气从气路进入辅热腔室内，先后流经晶圆背面、晶圆侧面、晶圆正面，最后从排气孔排出辅热腔室。本申请实现晶圆表面均匀受热受压，减少金属膜回流填孔的时间，提高晶圆镀膜的效率。
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公开(公告)号：CN117497461B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311846883.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114645245B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210426440.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高金属膜沉积台阶覆盖率的装置，涉及物理气相沉积技术领域。装置包括：腔体，其内设置有真空腔室，所述腔体的顶部设置有靶材放置位置，所述靶材放置位置用于放置靶材；晶圆台，设置在所述腔体的底部，所述晶圆台用于放置晶圆，所述靶材在预设工艺下被溅射至所述晶圆表面；其中，所述腔体的高度为90～200mm之间的任意一值，以增加所述靶材与所述晶圆之间的距离。通过本发明能够改善铝膜的填孔性能，缩短加工时间。
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公开(公告)号：CN117230431A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311516808.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆镀膜设备，包括工作室、承载机构、第一作业板、第二作业板、供气装置、供电装置、抽气装置、散热板、风扇和加热棒；通过供气装置、第一作业板、第二作业板和抽气装置，能够调控反应腔内的压力、确保反应气体均匀地作用于晶圆；通过散热板、风扇和加热棒，能够调控反应腔内的温度，确保晶圆在所需温度下进行反应；本申请提供的CVD晶圆镀膜设备高效集成了气控、温控和电场发生等机构，能够有效、可靠地构建晶圆气相沉积镀膜所需的环境，提高镀膜效率、优化镀膜效果。
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公开(公告)号：CN116884890A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311150299.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，包括刻蚀筒和控压部；刻蚀筒内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座，所述ESC底座上设置用于吸附晶圆的ESC；控压部包括控压内环和控压外环，所述控压内环的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道，所述控压外环位于控压内环外表面，所述控压外环的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道；其中，所述控压外环与所述控压内环之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道与至少部分所述内环出气通道连通并形成控压通道。本申请能够均匀控制等离子的流向分布，更加精准的控制工艺腔体内部压力。
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公开(公告)号：CN114645245A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210426440.8
申请日：2022-04-21
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高金属膜沉积台阶覆盖率的装置，涉及物理气相沉积技术领域。装置包括：腔体，其内设置有真空腔室，所述腔体的顶部设置有靶材放置位置，所述靶材放置位置用于放置靶材；晶圆台，设置在所述腔体的底部，所述晶圆台用于放置晶圆，所述靶材在预设工艺下被溅射至所述晶圆表面；其中，所述腔体的高度为90～200mm之间的任意一值，以增加所述靶材与所述晶圆之间的距离。通过本发明能够改善铝膜的填孔性能，缩短加工时间。
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公开(公告)号：CN113862626A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111074839.6
申请日：2021-09-14
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种材料处理方法及设备，涉及材料技术领域。材料处理方法包括：将置于真空腔中的待处理材料移动至第一预设位置；采用所述加热装置对所述待处理材料进行加热，所述加热装置位于所述真空腔内；将加热完成后的所述待处理材料移动至第二预设位置；采用所述冷却装置对加热完成后的所述待处理材料进行冷却，所述冷却装置位于所述真空腔内。本发明能够实现在同一个真空腔内对材料进行热处理和冷处理，并能够对热处理后的材料快速降温，以保证磁控溅射的成膜质量。
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