公开(公告)号：CN104617103A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510001758.1

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和半导体装置。在液晶显示装置的像素部中，第一晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源和漏电极；氧化物绝缘层在第一源和漏电极上；像素电极经第一接触孔与第一源或漏电极电连接。在同一衬底上的驱动电路部中，第二晶体管包括第二栅电极、栅极绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源和漏电极；氧化物绝缘层在第二源和漏电极上；第三导电层在氧化物绝缘层上；第二氧化物半导体层夹在第二栅电极和第三导电层间；通过加工同一导电膜形成第一及第二栅电极和第一导电层；第二导电层包括第二和第三接触孔中的区域；第三接触孔包括重叠于第二接触孔的区域；第一导电层经第二导电层与第二源或漏电极电连接。

公开(公告)号：CN104395991A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034241.1

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN104380444A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380034567.4

申请日：2013-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22

Abstract: 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN103187262A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210577095.4

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN118829321A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410727130.9

申请日：2017-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  保坂泰靖 ,  井户尻悟 ,  冈崎健一 ,  安达広树 ,  久保田大介

IPC: H10K59/80 ,  H10K59/121 ,  H10K77/10

Abstract: 本发明提供一种成本低且产量高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的树脂层，在树脂层上形成在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，使用线状激光装置对树脂层照射光，将晶体管与形成用衬底分离。可以在树脂层中形成第一区域及其厚度比第一区域薄的第二区域或开口。当以与树脂层的第二区域或开口重叠的方式形成被用作外部连接端子等的导电层时，通过分离使该导电层露出。

公开(公告)号：CN118435724A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084944.4

申请日：2022-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K50/15 ,  H10K50/16 ,  H10K50/17 ,  H10K50/805 ,  H10K71/16

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件以及层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层、第一发光层上的第一公共电极以及第一公共电极上的第二公共电极。第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层、第二发光层上的第一公共电极以及第一公共电极上的第二公共电极。层设置在第一发光器件与第二发光器件之间。第二公共电极设置在层上。

公开(公告)号：CN111524967B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010201041.2

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN111742397B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980014757.7

申请日：2019-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中泽安孝 ,  冈崎健一 ,  大出贵之 ,  佐藤来

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786 ,  H10K71/00

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。

公开(公告)号：CN118202813A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280073307.7

申请日：2022-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村太纪 ,  杉泽希 ,  片山雅博 ,  后藤尚人 ,  冈崎健一

IPC: H10K59/122 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H10K50/84 ,  H10K50/844 ,  H10K59/38 ,  H10K71/00

Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。本发明是一种显示装置，该显示装置包括第一有机绝缘层、第一有机绝缘层上的第一无机绝缘层及第二无机绝缘层、第一发光元件、第二发光元件以及第二有机绝缘层。第一发光元件包括第一无机绝缘层上的第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极。第二发光元件包括第二无机绝缘层上的第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极。第二有机绝缘层设置在第一EL层与第二EL层之间，公共电极设置在第二有机绝缘层上。第一有机绝缘层在与第二有机绝缘层重叠的区域中具有凹部，第一无机绝缘层具有与凹部重叠的第一突出部，第二无机绝缘层具有与凹部重叠的第二突出部。

公开(公告)号：CN111656531B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN201980010136.1

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  及川欣聪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的导电体、与第二氧化物的顶面的一部分、第二氧化物的侧面的一部分及第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体、与第二绝缘体的顶面及第三氧化物的侧面的另一部分接触的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及与第三氧化物的顶面、第一绝缘体的顶面、导电体的顶面及第三绝缘体的顶面接触的第五绝缘体，第二氧化物具有第一区域、第二区域、第三区域、位于第一区域与第三区域之间的第四区域以及位于第二区域与第三区域之间的第五区域，导电体以与第三区域重叠的方式设置在第三区域的上方，第二绝缘体接触于第一区域及第二区域。