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公开(公告)号:CN107919160A
公开(公告)日:2018-04-17
申请号:CN201710463331.2
申请日:2017-06-19
申请人: 爱思开海力士有限公司
发明人: 沈荣辅
CPC分类号: G11C29/38 , G11C29/36 , G11C29/44 , G11C2029/3602 , G11C29/18 , G11C29/42 , G11C29/835 , G11C2029/1804
摘要: 一种半导体器件包括:模式数据发生电路,其产生模式数据;数据比较电路,其接收通过读取操作从包括在核心区域中的单元阵列输出的读取数据,以及将读取数据与模式数据进行比较以产生故障码;以及故障标志发生电路,其将故障码与设定码进行比较以产生故障标志。
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公开(公告)号:CN107038130A
公开(公告)日:2017-08-11
申请号:CN201710057211.2
申请日:2017-01-26
申请人: 渡边浩志
IPC分类号: G06F12/14
CPC分类号: G11C29/34 , G06F21/44 , G06F21/577 , G06F21/73 , G06F2221/034 , G09C1/00 , G11C7/24 , G11C29/022 , G11C29/025 , G11C29/027 , G11C29/1201 , G11C29/16 , G11C29/18 , G11C29/24 , G11C29/26 , G11C29/36 , G11C29/44 , G11C29/56008 , G11C29/78 , G11C29/783 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2029/1806 , G11C2029/4402 , G11C2029/5606 , H04L9/0866 , H04L9/3278 , H04L2209/12 , G06F12/1458
摘要: 本发明公开一种包括一半导体晶片的半导体装置,该半导体晶片包括一模组区域和一测试电路。该模组区域包括多个模组区块,各模组区块包括一记忆胞阵列及一周边记忆体区域,该记忆胞阵列具有冗余位元线,而该周边记忆体区域至少储存冗余位址。该测试电路读取该半导体晶片固有的冗余位址,该冗余位址的分布以乱数方式所产生的相关于该模组区域的部份或全部模组区块的位址。其中,该测试电路根据由一实体晶片认证(PCI)测量装置所接收的一指定码,而将一乱数输出至该半导体晶片,该乱数依据该半导体晶片固有的实体特性所产生。
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公开(公告)号:CN106971756A
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201710141184.7
申请日:2017-03-10
申请人: 上海华力微电子有限公司
发明人: 武建宏
CPC分类号: G11C29/1201 , G11C29/18 , G11C29/36 , G11C2029/3602
摘要: 本发明公开了一种提高芯片同测数的方法,其中,包括以下步骤:(1)在芯片之间的划片槽空隙处,放置BIST电路;(2)将BIST电路通过数据总线与周边芯片连接;(3)自动测试设备向BIST电路发送控制信号,选中连接的多个被测芯片,进行多芯片测试;(4)BIST电路将测试结果和数据寄存器状态反馈给自动测试设备,自动测试设备根据测试结果和数据寄存器确定每一个测试芯片的PASS/FAIL情况以及芯片内部的失效模式与位置,以此实现多芯片同测;(5)测试完毕后,在硅片切割挑片时,将BIST电路从划片槽中去除。本发明提供的提供一种提高芯片同测数的方法,可以实现多芯片同测,不增加额外的芯片面积。
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公开(公告)号:CN106683706A
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201710007589.1
申请日:2017-01-05
申请人: 郑州云海信息技术有限公司
发明人: 孙炳亮
摘要: 本发明公开一种NVDIIM_ADR功能测试方法,涉及数据保护测试领域;步骤包括:①使用img文件,制作测试系统U盘启动盘;②开机进入setup界面,进入boot菜单,设置第一启动项UEFI:Built‑in EFI Shell,设置第二启动项为U盘启动;③打开ADR功能,进入efi shell,执行memmap查询地址,Unknow‑DES‑Tydpe地址空间为NVDIMM的内存空间;④检查是否有数据存在,在shell下进入U盘启动;⑤执行nvutil–w,确认result数据写入成功,确认写入无误,模拟设备异常掉电,间隔一段时间后给设备重新上电;⑥上电完成后进入测试系统执行nvutil–r;⑦查看返回值,进行数据对比,判断ADR功能测试是否通过。
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公开(公告)号:CN106024067A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610364123.2
申请日:2016-05-27
申请人: 上海贝岭股份有限公司
IPC分类号: G11C29/18
CPC分类号: G11C29/18 , G11C2029/1806
摘要: 本发明公开了一种EEPROM的测试方法,包括以下步骤:S1、对0地址写入0xAA,读取0地址的数据,判断0地址读出的数据是否为0xAA,若否则测试不合格;S2、对0地址写入0x55,读取0地址的数据,判断0地址读出的数据是否为0x55,若否则测试不合格;S3、依次读取从0地址至N地址的数据,其中N为期望的EEPROM的字节容量;S4、判断N地址读出的数据是否为0x55,若否则测试不合格;S5、对0地址写入0xFF,读取0地址的数据,判断0地址读出的数据是否为0xFF,若否则测试不合格,若是测试合格。本发明能在批量测试同容量EEPROM时及时发现混入的其他容量的EEPROM。
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公开(公告)号:CN105957557A
公开(公告)日:2016-09-21
申请号:CN201610286196.4
申请日:2016-05-03
IPC分类号: G11C29/18
CPC分类号: G11C29/18
摘要: 本发明提供一种面向指令存储器的可靠性评估方法,通过统计和分析编译后应用程序中的指令类型及寻址模式,可用于各类应用程序的可靠性统计分析。本发明根据指令集体系结构ISA的定义,将指令字的二进制编码分为有效位和无效位两类,并且基于指令无效位发生翻转时不影响可靠性这一客观事实进行逐条指令的可靠性建模,定义了可靠性为未发生错误翻转,和/或所有的错误翻转皆发生在无效位中,从而在可靠性建模过程中考虑了当指令无效位发生翻转并不影响指令可靠性的客观事实,最后归一化后的程序指令可靠性进行指令存储器的MTTF评估。同时采用以应用程序中所有指令为基准对可靠性进行归一化处理,充分衡量高频指令对指令存储器MTTF的影响。
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公开(公告)号:CN104916305A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201410578397.2
申请日:2014-10-24
申请人: 爱思开海力士有限公司
IPC分类号: G11C7/22
CPC分类号: G11C5/04 , G11C7/1045 , G11C29/1201 , G11C29/18 , G11C29/26 , G11C2029/1206 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06596 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1441 , H01L2924/1443 , H01L2924/15192 , H01L2924/157
摘要: 一种半导体装置包括控制信号接收部。控制信号接收部可以通过从层叠芯片测试部、控制信号接口部和测试设置部之中的一个接收命令信号和地址信号来设置与存储器芯片的操作有关的信息。
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公开(公告)号:CN104517641A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201410522570.7
申请日:2014-09-30
申请人: 英飞凌科技股份有限公司
发明人: W·S·米朔
IPC分类号: G11C15/04
CPC分类号: G11C8/00 , G06F3/0644 , G06F12/00 , G06F12/02 , G06F12/0246 , G06F12/0615 , G06F12/0623 , G06F2212/2022 , G11C8/06 , G11C8/10 , G11C11/408 , G11C16/08 , G11C29/18
摘要: 本发明涉及用于对存储器器件进行简化寻址的系统和方法,所述存储器器件的总存储器容量可通过附加存储器容量或因子扩展至总扩展存储器容量,所述方法包括:将所述附加存储器容量划分成所述总存储器容量的二进制存储器片段的集合,使得所有二进制存储器片段的总和等于所述附加存储器容量,由基于二进制的寻址方案对所述二进制存储器片段中的每个二进制存储器片段进行寻址。
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公开(公告)号:CN103093805A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201210075524.8
申请日:2012-03-21
申请人: 海力士半导体有限公司
发明人: 秋新镐
IPC分类号: G11C8/04
CPC分类号: G11C8/18 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/18
摘要: 本发明提供了地址译码方法及使用该方法的半导体存储器件。所述半导体存储器件,包括:选通时钟发生器,所述选通时钟发生器被配置为响应于读取信号或写入信号而产生选通时钟信号,所述选通时钟信号具有根据被选择性使能的多个测试模式信号而受控的延迟时间;内部地址发生器,所述内部地址发生器被配置为响应于所述选通时钟信号的第一电平来锁存地址,并通过响应于所述选通时钟信号的第二电平将所述地址译码米产生内部地址;以及输出使能信号发生器,所述输出使能信号发生器被配置为将所述内部地址译码并产生被选择性使能的输出使能信号。
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公开(公告)号:CN1992075B
公开(公告)日:2010-05-19
申请号:CN200610171271.9
申请日:2006-12-28
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: G11C8/18 , G11C7/04 , G11C7/1045 , G11C7/1072 , G11C7/22 , G11C8/12 , G11C11/4076 , G11C11/4082 , G11C29/18
摘要: 一种半导体器件的地址转换器包括:时钟产生部分,用于当施加了电源时产生至少一个时钟信号;控制信号设置装置,用于在模式设置操作期间设置控制信号;极性选择信号产生部分,用于响应于所述至少一个时钟信号和所述控制信号,产生至少一个极性选择信号;和地址转换部分,用于响应于所述至少一个极性选择信号来转换从外部部分施加的地址的至少一位以输出转换的地址。
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