公开(公告)号：CN107094371A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201580067666.1

申请日：2015-12-28

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 伯·范德伯格 ,  爱德华·艾伊斯勒

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/1475 ,  H01J37/05 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1478 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/152 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/31701

Abstract: 离子注入系统(110)使用质量分析器(126)来进行质量分析和角度校正。离子源沿束路径产生离子束(124)。质量分析器放置在离子源的下游，所述质量分析器对离子束执行质量分析和角度校正。位于孔径组件(133)内的分辨孔径(134)位于质量分析器部件的下游并位于束路径上。分辨孔径具有根据所选择的质量分辨率以及离子束的束包络的尺寸和形状。角度测量系统(156)位于分辨孔径的下游并获得离子束的入射角值。控制系统(154)根据来自角度测量系统的离子束的入射角值导出针对质量分析器的磁场调整。

公开(公告)号：CN106847659A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710037915.3

申请日：2017-01-18

Applicant: 加坦公司

Inventor： 科林·特雷弗 ,  马修·伦特 ,  亚历山大·约瑟夫·古本斯 ,  爱德华·詹姆斯 ,  雷伊·达德利·特韦斯顿 ,  罗伊斯·约瑟夫 ,  桑杰·帕瑞卡 ,  托马斯·沙

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28

Abstract: 本发明涉及一种电子能量损失光谱仪，包括一个直接检测传感器、一个高速快门及一个传感器处理器，其中所述传感器处理器用于将来自单个传感器读数的图像结合为一体并将来自所述传感器的二维图像转换为一维光谱，其中所述一维光谱输出至计算机，所述高速快门的操作与传感器成像的时间相结合；控制所述快门，从而允许减少对与单个传感器读数相应的图像的曝光。通过成像以不完全曝光的方式曝光多个图像，其中所述多个图像结合形成一个合成图像。多个图像由以不同的曝光时间曝光所述传感器形成的图像组成。

公开(公告)号：CN104040681B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201280065644.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 盛达欧米科有限公司

Inventor： 比约恩·万贝里

IPC: H01J49/48 ,  G01N23/227 ,  H01J37/05 ,  H01J49/00

CPC classification number: H01J49/48 ,  G01N23/2273 ,  G01N2223/085 ,  H01J37/05 ,  H01J49/0031 ,  H01J49/06 ,  H01J49/061 ,  H01J49/484 ,  H01J2237/0535

Abstract: 本发明涉及一种用于确定与从粒子发出样本(11)发出的带电粒子相关的至少一个参数的方法，例如，涉及粒子的能量、起始方向、起始位置或转速的参数。该方法包括以下步骤：通过透镜系统(13)，将带电粒子束引导至测量区域的入口中，并检测粒子在测量区域内的位置，其表示所述至少一个参数。此外，该方法包括以下步骤：在粒子束进入测量区域之前，使粒子束在相同的坐标方向上至少偏转两次。从而，能以这样的方式控制粒子束在测量区域(3)的入口(8)处的位置和方向，使得，一定程度上消除对样本(11)的物理操纵的需求。接着，这允许有效地冷却样本，使得能改进能量测量中的能量分辨率。

公开(公告)号：CN104103479B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201310114301.2

申请日：2013-04-02

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 郭楠 ,  曹志伟

IPC: H01J37/05

Abstract: 本发明公开了一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，所述轭铁包围形成的离子飞行管道内设有束板，所述束板上开有多个穿透束板的离子通道，每个所述离子通道对应一特定质荷比离子的偏转半径。本发明能够一次性析出多种离子，实现了阱注入工艺多种离子的一次性注入，提高了离子注入的效率，降低了制造周期，提高了生产效率。

公开(公告)号：CN103367084B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201310110403.7

申请日：2013-04-01

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 希尔顿·F·格拉维斯 ,  土肥正二郎 ,  本杰明·托马斯·金

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/1475 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明涉及用于带形离子束的离子束弯曲磁体。本发明提供适合于容纳且弯曲带形离子束的改进的弯曲磁体，所述带形离子束的横截面轮廓具有垂直于弯曲磁体的弯曲平面的主尺寸。离子束弯曲磁体提供了通过磁体的弯曲的路径以用于将带形离子束弯曲，所述带形离子束具有其垂直于磁体的弯曲平面的主横截面尺寸。磁体包括铁磁性轭，所述铁磁性轭围绕束路径且具有由四个成角度的边形成的横截面内轮廓。这些边与通过磁体的带形束的主尺寸成角度，使得轭的内轮廓在带形束的中心中相对宽而在带形束的顶部和底部边缘附近相对窄。靠着轭的内表面的电导体提供了沿轮廓的成角度的边的每单位长度均匀分布的电流，从而在磁体轭内提供了大体上均匀的磁性弯曲场。

公开(公告)号：CN104051211A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410243508.4

申请日：2014-06-04

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 孙雪平 ,  张赛 ,  易文杰 ,  彭立波

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

Abstract: 本发明公开了一种高温高能离子注入机离子光学系统，包括离子源，所述离子源产生的离子通过引出系统后形成离子束，所述离子束依次通过质量分析器和分析光栏，所述分析光栏分析提纯后的离子束经过一对垂直扫描电极板，所述垂直扫描电极板将经分析提纯后的离子束扫描成扇形状束带，所述扇形状束带通过30°平行束透镜后形成平行的带状束，所述平行的带状束通过加速管加速后，经高温靶盘注入晶片。本发明能保证注入离子种类和能量精度，满足注入工艺需要晶片加热的要求。

公开(公告)号：CN103367084A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310110403.7

申请日：2013-04-01

Applicant: 日新离子机器株式会社

Inventor： 希尔顿·F·格拉维斯 ,  土肥正二郎 ,  本杰明·托马斯·金

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/05 ,  H01J37/1475 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/31701

Abstract: 本发明涉及用于带形离子束的离子束弯曲磁体。本发明提供适合于容纳且弯曲带形离子束的改进的弯曲磁体，所述带形离子束的横截面轮廓具有垂直于弯曲磁体的弯曲平面的主尺寸。离子束弯曲磁体提供了通过磁体的弯曲的路径以用于将带形离子束弯曲，所述带形离子束具有其垂直于磁体的弯曲平面的主横截面尺寸。磁体包括铁磁性轭，所述铁磁性轭围绕束路径且具有由四个成角度的边形成的横截面内轮廓。这些边与通过磁体的带形束的主尺寸成角度，使得轭的内轮廓在带形束的中心中相对宽而在带形束的顶部和底部边缘附近相对窄。靠着轭的内表面的电导体提供了沿轮廓的成角度的边的每单位长度均匀分布的电流，从而在磁体轭内提供了大体上均匀的磁性弯曲场。

公开(公告)号：CN102804328A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028969.X

申请日：2010-06-18

Applicant: 特温克里克技术公司

Inventor： G.里丁 ,  T.H.斯米克 ,  K.珀泽 ,  J.D.吉莱斯皮 ,  H.格拉维什

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/317 ,  F16J15/00 ,  H01J37/02

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/166 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2006 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202

Abstract: 一种用于使硅从硅晶片剥落的氢离子植入器使用大的扫描轮(14)，所述扫描轮在其周缘周围承载50+个晶片并且绕着轴线旋转。在一个实施方式中，轮的旋转轴线固定，并且氢离子的带状束(101)在轮的周缘上指向下方。带状束在轮上的晶片的整个径向宽度上方延伸。束是由离子源(16)生成的，离子源提供具有至少100mm主截面直径的提取带状束。离子源可以使用无芯鞍形类型的线圈(112、112a-c)，以便提供约束离子源中的等离子体的均匀场。带状束可以穿过90度弯曲的磁体(17)，所述磁体在带状平面中弯曲所述束。

公开(公告)号：CN101630623B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910164111.5

申请日：2004-04-26

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 野路伸治 ,  佐竹彻 ,  曾布川拓司 ,  金马利文 ,  田山雅规 ,  吉川省二 ,  村上武司 ,  渡边贤治 ,  狩俣努 ,  末松健一 ,  田部丰 ,  田岛凉 ,  远山敬一

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/05 ,  H01L21/66 ,  G01N23/225

Abstract: 本发明提供一种用于进一步提高SEM方式的检查装置的检查速度、即提高生产率的方式。检查基板的表面的检查装置在电子源(25·1)产生的电子形成交叉后，向试样W的方向以期望的倍率成像来形成交叉。在使该交叉通过时用开口从该交叉中去除作为噪声的电子，将该交叉设为期望的倍率，将该交叉调整为平行的电子束并以期望的断面形状来照射基板。形成电子束，使得此时的电子束的照度不匀在10％以下。从试样W放出的电子由检测器(25·11)来检测。

公开(公告)号：CN101390186B

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200780006879.9

申请日：2007-02-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·M·特罗普

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/153 ,  G01N23/20 ,  G01N23/227

CPC classification number: H01J37/153 ,  H01J37/05 ,  H01J37/252 ,  H01J37/295 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/1534 ,  H01J2237/2538 ,  H01J2237/2544

Abstract: 提供一种像差校正显微镜仪器。所述仪器具有用于接收第一非色散的电子衍射图形的第一磁偏转器(206)。第一磁偏转器还被构造为在第一磁偏转器的出射面(A2)内投影第一能量色散的电子衍射图形。在第一磁偏转器的出射面内设置有静电透镜(224)。第二磁偏转器(222)基本上与第一磁偏转器相同，其被设置用于接收来自静电透镜的第一能量色散的电子衍射图形。第二磁偏转器还被构造为在第二磁偏转器的第一出射面(B2)内投影第二非色散的电子衍射图形。电子反射镜(226)被构造为用于校正第二非色散的电子衍射图形内的一个或多个像差。电子反射镜被设置用于将第二非色散的电子衍射图形反射到第二磁偏转器，用于在第二磁偏转器的第二出射面(B3)内投影第二能量色散的电子衍射图形。