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公开(公告)号:CN101461028B
公开(公告)日:2010-09-29
申请号:CN200780020822.4
申请日:2007-06-14
申请人: 瓦里安半导体设备公司
发明人: 约瑟·P·迪宰桔雷斯契
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号: H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/30488
摘要: 一种离子植入机,包括离子束产生器,配置所述离子束产生器以产生离子束且向工件引导离子束,其中离子束与工件之间的相对运动在此工件的前表面上产生扫描图案。扫描图案在此工件的此前表面的至少一部分上具有振荡图案。
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公开(公告)号:CN1855365B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200610079373.8
申请日:2006-04-03
申请人: FEI公司
发明人: P·D·卡勒森
IPC分类号: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/68 , H01L21/66 , H01J37/304 , H01J37/305
CPC分类号: G01N23/2251 , H01J37/304 , H01J2237/24592 , H01J2237/2817 , H01J2237/31
摘要: 一种通过面下成像来定位或末端指示微观结构的方法,该面下成像使用具有足够能量的电子束以穿透表面并产生面下图像。对于末端指示来说,当该面下图像在已知的电子能量变得相对清楚时,使用者知道他正接近掩埋的特征。对定位来说,面下图像可以由基准点或其它特征形成,以便确定该器件上射束的位置。
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公开(公告)号:CN100583377C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200580038756.4
申请日:2005-09-08
申请人: 艾克塞利斯技术公司
IPC分类号: H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号: H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
摘要: 一种离子注入机,用于产生扁带或带状束,其具有一种扫描装置,该扫描装置对由一源所发射的离子进行横向扫描,以提供移动至一注入室内的薄离子束。一工件支撑件将工件定位于注入室之内,且一驱动器使得该工件支撑件垂直于该扁带的平面而上下移动,以通过该薄的带状离子束,以实现对工件的受控束处理。一控制器包括:第一控制输出,其耦合至扫描装置,将对该离子束的横向扫描范围限制成小于一最大量,并由此将对该工件的离子处理限制到该工件的一指定区域;及第二控制输出,其耦合至该驱动器,同时将该工件的上下移动范围限制成小于一最大量,且使得离子束冲击工件的受控部分。
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公开(公告)号:CN100437882C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200380102559.5
申请日:2003-10-30
申请人: 迈普尔平版印刷IP有限公司
发明人: 马尔科·扬-哈科·威兰 , 波特·扬·卡姆弗彼科 , 亚历山大·哈德瑞克·文森特·范费恩 , 彼得·克瑞特
IPC分类号: H01J37/302 , H01J37/317 , H01J37/304 , G03F7/20
CPC分类号: H01J3/02 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/06 , H01J37/3177 , H01J2237/0435 , H01J2237/06308 , H01J2237/06375 , H01J2237/3045
摘要: 本发明涉及一种用于将图案转移到目标的表面上的电子束曝光设备,包括:用于产生多个电子小射束(5a、5b)的小射束发生器;用于接收所述多个电子小射束的调制阵列,包括用于调制电子小射束的强度的多个调制器;控制器,可操作地连接于所述调制阵列,用于单独地控制所述调制器;调节器,可操作地连接于每个调制器,用于单独地调节每个调制器的控制信号;包括静电透镜的阵列(7)的聚焦电子光学系统,其中每个透镜将由所述调制阵列传输的相应的单个小射束聚焦于小于300nm的横截面,以及用于以使得图案将被转移到其上的其曝光表面处于聚焦电子光学系统的第一焦平面中的方式固定所述目标的目标固定器。
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公开(公告)号:CN101167153A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200580044926.X
申请日:2005-11-03
申请人: 瓦里安半导体设备公司
发明人: 葛登·C·恩吉尔 , 爱德华·D·梅克英特 , 汤玛斯·A·夏德福
IPC分类号: H01J37/304 , H01J37/317 , H01J37/244 , G01T1/29
CPC分类号: G01T1/29 , H01J37/304 , H01J37/3171
摘要: 本发明提供用于测量一离子束的一轮廓的方法及其装置。该装置包括:一离子束电流感测器(124)的阵列(22),每一离子束电流感测器回应于前述离子束的入射离子而产生一感测器讯号;一移动机构(112),其用以使前述离子束电流感测器阵列相对于前述离子束沿一移动路径移动;以及一控制器(114),其用以获取由前述离子束电流感测器在沿前述移动路径的多个位置处所产生的感测器讯号,其中前述所获取的感测器讯号表示前述离子束的一个二维轮廓。
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公开(公告)号:CN1148436A
公开(公告)日:1997-04-23
申请号:CN96190157.8
申请日:1996-02-01
申请人: 加里福尼亚大学董事会
IPC分类号: G06F19/00 , H01J37/304 , B23K26/00
CPC分类号: H01J37/3056 , H01J2237/30411
摘要: 本发明公开了一种可以在没有化学辅助的环境下取得高值高宽比的超高真空聚焦离子束微研磨设备及其工艺。一个超高真空腔(10)包括多个通口,用于观察目标衬底,对目标衬底进行镀膜,插入或者操作目标衬底,以及对目标衬底进行各种分析。通口(12)可以是一个具有用于摄影通口的通口(14)。此外,本发明公开了一种采用微研磨工艺制作的耐久的数据存储介质,该耐久的数据存储介质可以存储诸如数字字符或字母字符以及图形形体或图形字符。
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公开(公告)号:CN117980820A
公开(公告)日:2024-05-03
申请号:CN202280061098.4
申请日:2022-09-08
申请人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
IPC分类号: G03F1/74 , H01J37/304 , H01J37/305
摘要: 本发明有关于一种使用聚焦粒子束(227)修复样品(205、300、1500)的至少一个缺陷(320)的方法,包括以下步骤:(a)产生(1850)至少一个第一局部导电牺牲层(400、500)于该样品(205、300、1500)上,其中该第一局部导电牺牲层(400、500)具有第一部分(410、510)和至少一个第二部分(420、530、540、550、560),其中该第一部分(410、510)与该至少一个缺陷(320)相邻,且其中该第一部分(410、510)和该至少一个第二部分(420、530、540、550、560)导电连接彼此(570、580);以及(b)产生(1860)至少一个第一参考标记(425、435、445、455、535、545、555、565)于该第一局部导电牺牲层(400、500)的该至少一个第二部分(420、530、540、550、560)上,以用于在该至少一个缺陷(320)被修复时校正该聚焦粒子束(227)相对于该至少一个缺陷(320)的漂移。
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公开(公告)号:CN117836893A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202280056456.2
申请日:2022-06-23
申请人: 应用材料股份有限公司
发明人: 乔治·M·葛梅尔 , 艾利克·唐纳德·威尔森
IPC分类号: H01J37/304 , H01J37/08 , H01J37/244 , H01J37/317
摘要: 本发明提供一种方法,包含:接收点离子射束的点射束轮廓;接收点离子射束的线性扫描射束轮廓;基于点射束轮廓和线性扫描射束轮廓而产生计算的校准点轮廓;以及基于计算的校准点轮廓而实施点离子射束的调整的扫描轮廓。
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公开(公告)号:CN111624857B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202010118952.9
申请日:2020-02-26
申请人: 纽富来科技股份有限公司
发明人: 松井秀树
IPC分类号: G03F7/20 , G03F9/00 , H01J37/304 , H01J37/317
摘要: 一种带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置,实施方式所涉及的带电粒子束描绘方法一边使基板移动一边对其照射带电粒子束,对将上述基板的描绘区域以宽度W分割而成的多个条带的每个依次描绘图案。在该方法中,将针对每个条带一边以设定的条带偏移量在上述条带的宽度方向上使上述条带的基准点偏移并且切换上述基板的移动方向、一边以多重度2n描绘上述多个条带的处理设为1次行程,进行S次上述行程的描绘处理,在上述行程的每个,以设定的行程偏移量在上述条带的宽度方向上使上述行程中的上述条带的基准点偏移而进行描绘,其中,n为1以上的整数,S为2以上的整数。
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公开(公告)号:CN111564352B
公开(公告)日:2024-02-06
申请号:CN202010088500.0
申请日:2020-02-12
申请人: 日本电子株式会社
发明人: 小塚心寻
IPC分类号: H01J37/244 , H01J37/248 , H01J37/30 , H01J37/304 , G01R19/00
摘要: 本发明提供一种离子束电流测定装置及计算方法、试样制成装置。不扰乱离子源内的离子化状态地计算出离子束电流值。本发明的一个方式具备:高压施加电路,其基于电压条件,向离子源的阳极与阴极之间施加电压来向阳极供给输出电流;气体流量调整机构,其调整向离子源内导入的成为离子材料的气体的流量;存储器,其记录有表示气体的流量与向引出电极流动的引出电流的值之间的关系的信息;以及运算处理部,其基于存储器中记录的信息来求出与气体的流量对应的引出电流,从由高压施加电路向阳极供给的输出电流的值减去引出电流的值,来计算离子束的电流值。
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