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公开(公告)号：CN105182855B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510610802.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN107779953A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710821497.7
申请日：2017-09-13
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于溶液的无机卤化物闪烁晶体的生长方法，属于晶体材料制造技术领域，其步骤：(a).将有机溶剂N,N-二甲基甲酰胺(DMF)加入到平底烧瓶中，再加入无机卤化物晶体粉末，放在磁力搅拌机上搅拌，使其完全溶解,直至饱和；溶解后，将其过滤，得到长晶的无机卤化物溶液；(b).将步骤(a)的长晶的溶液放置在加热台上进行油浴加热，生长出正方体的无机卤化物单晶晶体；取出上述无机卤化物单晶晶体，对其进行抛光，用乙醇擦洗干净，获得无机卤化物闪烁晶体。该方法操作方便，所用原料成本低廉，能够从无机卤化物的溶液来析出高质量的单晶晶体。
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公开(公告)号：CN105679881B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti‑TiN‑Mo背电极/Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层/Cd1‑xZnxS阻挡层i‑ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1‑xNaxInS2/CuInS2/Cu1‑xAgxInS2吸收层；(4)在吸收层上制备Cd1‑xZnxS阻挡层；(5)在Cd1‑xZnxS阻挡层上依次淀积i‑ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i‑ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i‑ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。.本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN107275440A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710438002.2
申请日：2017-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1868 , H01L31/02167
Abstract: 本发明公开了一种核探测器碲锌镉晶片表面钝化的方法，该方法包括a.抛光；b.腐蚀；c.制备金电极；d.表面钝化四个步骤，其中最后表面钝化具体步骤是：将在真空腔内采用阳极层离子源对步骤c所得的金电极的CZT晶体表面沉积DLC薄膜，其具体步骤为：向真空腔内通入Ar气，真空腔内气压为10-3～10－4Pa，开启阳极层离子源对CZT表面清洗8～10min；然后通入C2H2气体，保持温度为20～25℃在金电极的CZT晶体表面沉积厚度为5～10nm左右的DLC薄膜，即得到表面钝化的碲锌镉晶片。该方法采用DLC薄膜钝化CZT表面进行钝化能够较好的降低表面漏电流，增加CZT晶片表面电阻率，降低碲锌镉（CdZnTe，CZT）探测器的表面漏电流，提高CZT探测器的电学性能。
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公开(公告)号：CN104377037B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201410686145.1
申请日：2014-11-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种具有高附着力的石墨烯厚膜电极的制备方法。它包括Hummers氧化还原法制备石墨烯粉体、球磨石墨烯粉体和手术刀法制备石墨烯厚膜三个主要步骤。本发明中利用液相无水乙醇和粘结剂松油醇与石墨烯粉体球磨，得到粘稠可控，颗粒均匀的石墨烯浆料；经涂抹于导电玻璃表面，最终得到的石墨烯厚膜电极，该厚膜电极附着力强，膜厚可控，性能优良。将该方法制备的石墨烯厚膜电极应用于染料敏化太阳能电池中，可得到优良的光电转换性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106057968A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610406750.8
申请日：2016-06-12
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022408
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯‑金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯‑金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN105895740A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610315723.X
申请日：2016-05-14
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用旋涂法在金刚石薄膜表面制备石墨烯层，再使用真空蒸镀或者电子束蒸发法在其表面制作金电极，制成石墨烯?金二层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的二层石墨烯?金二层欧姆电极是有较好的欧姆接触特性、较低的接触电阻率，明显提高器件的性能，且制备工艺较为简单。
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公开(公告)号：CN105679881A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610120003.8
申请日：2016-03-03
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法，该电池结构自下至上依次为：衬底/Ti-TiN-Mo背电极/Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层/Cd1-xZnxS阻挡层i-ZnO/Al:ZnO窗口层/Al(Ni)前电极，该方法步骤为：(1)衬底清洗及预处理；(2)在衬底上制备Ti/TiN/Mo背电极；(3)在Ti/TiN/Mo背电极上制备Cu1-xNaxInS2/CuInS2/Cu1-xAgxInS2吸收层； (4)在吸收层上制备Cd1-xZnxS阻挡层；(5)在Cd1-xZnxS阻挡层上依次淀积i-ZnO薄膜、Al：ZnO薄膜，制成i-ZnO/Al:ZnO窗口层；(6)采用真空热蒸法在i-ZnO/Al:ZnO窗口层上蒸镀Al(Ni) 前电极,获得铜铟硫基薄膜太阳能电池。本发明制备的铜铟硫基薄膜太阳能电池，该电池的背电极的与玻璃衬底及吸收层薄膜之间粘接的粘附性强，不易剥落，可靠性高，各层之间的串联电阻小，能提高光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN105182855A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510610802.9
申请日：2015-09-23
Applicant: 上海大学
IPC: G05B19/042
CPC classification number: G05B19/042 , G05B2219/25338
Abstract: 本发明提供一种DSP芯片出现失效时保护的汽车控制器及其控制方法，该汽车控制器包括速度传感器等，微处理器模块与MOSFET驱动电路连接；电流电压温度检测电路、调速刹车信号控制器、速度检测电路、外看门狗电路、档位输入器都与微处理器模块连接；微处理器模块与接触器驱动电路连接；接触器驱动电路与档位输入器、外看门狗电路、MOSFET驱动电路连接；速度检测电路与速度传感器连接；速度传感器与直流电机连接。本发明实现对汽车控制进行实时监控，提高控制器的安全可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN105140392A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510565633.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种具有反常阻变特性的碳基材料阻变存储单元及其制备方法，本发明碳基材料阻变存储单元包括衬底层、位于衬底层上的下电极层、位于下电极层上的阻变层、位于阻变层上的上电极层，阻变层为在非晶碳膜中掺杂有Fe的a-C/Fe薄膜阻变层，其中Fe的掺杂量为4 at%。本发明通过在非晶碳中掺杂Fe，使得不含氧的a-C/Fe薄膜阻变层具有磁性、具有反常阻变特性，且阻变性能稳定，使薄膜具有较高的矫顽力和巨磁阻等独特的磁性质和磁输运特性；结构简单，成本低廉。
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