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公开(公告)号：CN102376611A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110217098.2
申请日：2011-07-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L23/3157 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/68386 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81007 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2924/0001 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/31504 , H01L2924/00014 , H01L2924/01083 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用膜、半导体背面用切割带集成膜、用于生产半导体器件的方法和倒装芯片型半导体器件。本发明涉及一种倒装芯片型半导体背面用膜，其在倒装芯片连接至被粘物上的半导体元件背面上形成，其中热固化前的倒装芯片型半导体背面用膜在其热固化时，在23℃-165℃范围内的体积收缩率为100ppm/℃-400ppm/℃。
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公开(公告)号：CN102220092A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110099960.4
申请日：2011-04-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/20 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , H01L21/561 , H01L23/3164 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2224/16225 , H01L2224/81007 , H01L2224/81191 , H01L2924/14 , Y10T428/2809 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述压敏粘合剂层的至少一部分已通过用放射线照射而预先固化。
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公开(公告)号：CN101245152B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710005976.8
申请日：2007-02-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , C08F220/36 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C08G2170/40 , C09J4/06 , C09J7/385 , C09J175/16 , C09J2203/326 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2924/3025 , Y10T428/28 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明涉及要施用于处在未完全被自然氧化膜覆盖状态下的活性面上切割用压敏粘着带或片。该粘着带或片包括基材，和布置在所述基材的至少一侧上的辐射硬化性压敏粘着剂层，其中所述的压敏粘着剂层含有重均分子量为500,000或500,000以上的丙烯酸系聚合物(A)和至少一种辐射聚合性化合物(B)，该辐射聚合性化合物(B)选自具有一个或多个含碳-碳双键的基团的氰脲酸酯和具有一个或多个含碳-碳双键的基团的异氰脲酸酯，其中相对于100重量份的丙烯酸系聚合物(A)，辐射聚合性化合物(B)为5-150重量份。
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公开(公告)号：CN101942278A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010223680.5
申请日：2010-07-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/68 , H01L21/304 , B32B27/00 , C09J133/00
CPC classification number: C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2400/226 , C09J2423/006 , C09J2467/006 , C09J2479/086 , Y10T428/264 , Y10T428/269 , Y10T428/2848
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体晶圆切割用粘合片和使用该粘合片的半导体晶圆的切割方法，所述半导体晶圆切割用粘合片即使在半导体晶圆的表面存在凹凸等的情况下，也能够良好地追随于该凹凸，能够防止粘合片粘贴面的浸水、污染、芯片飞溅、碎裂等。一种半导体晶圆切割用粘合片，该半导体晶圆切割用粘合片至少由基材、中间层和粘合剂层层压而成，所述中间层通过熔点为50～100℃的热塑性树脂形成，所述基材的熔点高于所述中间层的熔点。
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公开(公告)号：CN101831253A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010133392.0
申请日：2010-03-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , C09J133/066 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明涉及半导体晶片保护用无基材压敏粘合片、使用压敏粘合片研磨半导体晶片背面的方法和生产压敏粘合片的方法。本发明提供半导体晶片保护用无基材压敏粘合片，其在研磨半导体晶片背面时粘贴至该半导体晶片正面，该压敏粘合片由压敏粘合剂层组成，其中该压敏粘合剂层由UV固化型压敏粘合剂形成，该UV固化型压敏粘合剂包含主要由丙烯酸类单体可聚合化合物形成的聚合物，所述粘贴至半导体晶片正面的压敏粘合剂层表面的压敏粘合力大于其相反面的压敏粘合力，和该压敏粘合剂层具有0.01MPa至500MPa的初始弹性模量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101638566A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910160246.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09J133/06 , C09J133/14 , C09J4/00 , C09J7/02 , C09J9/00
CPC classification number: C09J133/066 , C08L2312/06 , Y10T428/2809
Abstract: 本发明的目的在于提供一种再剥离型粘合剂，该粘合剂能够通过由放射线照射引起的固化反应充分地降低粘合力，同时能够减少液体渗入性，从而能够将液体等导致的粘合力下降或粘合剂的断裂以及半导体晶片等的污染最小化。一种再剥离型粘合剂，包含放射线反应性聚合物和放射线聚合引发剂，其中，所述放射线反应性聚合物具有来自于由式CH 2 ＝CR 1 COOR 2 (式中，R 1 表示氢原子或甲基，R 2 表示碳原子数6以上的烷基)表示的一种以上单体的侧链和具有一个碳碳双键的侧链，并且所述单体以构成所述放射线反应性聚合物主链的全部单体的50摩尔％以上的比例聚合。
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公开(公告)号：CN101542689A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000519.2
申请日：2008-04-15
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/67132 , C09J7/20 , C09J2201/20 , C09J2205/31 , H01L21/67092 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明的目的在于：提供一种粘合片，该粘合片通过在喷水激光切割中使来自液体流的液体具有更加良好且稳定的透过性来防止在芯片或IC部件等的剥离时产生缺损等缺陷，从而可实现对极薄的半导体晶片或材料的加工。本发明的粘合片是在基材膜12上层叠粘合剂层11而成的喷水激光切割用粘合片，其中，基材膜12是由纤维形成的网状结构。
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公开(公告)号：CN101177598A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710185072.8
申请日：2007-11-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2103/50 , B26F3/004 , C09J7/21 , C09J7/22 , C09J2201/20 , C09J2203/326 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , Y10T428/26 , Y10T428/28 , Y10T442/10
Abstract: 本发明提供一种粘合片，其在喷水激光切割中，通过使来自液体流的液体的透过性更加良好并且稳定化，在芯片或IC部件等的剥离时不会产生缺损等缺陷，并且能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。该喷水激光切割用粘合片在基材膜上叠层了粘合剂层，基材膜包括由纤维形成的网状物。
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公开(公告)号：CN101134877A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710146802.3
申请日：2007-08-24
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/146 , B23K26/40 , B23K2103/50 , C09J7/20 , C09J2201/20 , C09J2203/326 , C09J2407/00 , C09J2409/00 , C09J2423/006 , C09J2433/00 , H01L2221/68327 , Y10T428/15 , Y10T428/28 , Y10T428/2852
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种粘合片，在随着半导体晶片等的切割技术的变迁，对切割用粘合片的粘合力的临界意义发生了变化的状况下，该粘合片可以确保切割时晶片等的良好粘结边防止芯片或部件从粘结胶带上剥离，同时，剥离切割后的芯片或IC部件等没有产生缺损等缺陷，能够进行极薄的半导体晶片或材料的加工。本发明涉及一种喷水激光切割用粘合片，其是在基材膜上叠层粘合剂层而形成的喷水激光切割用粘合片，构成粘合剂层的粘合剂是能量线固化型粘合剂，粘合片具有1.5N/20mm以上的粘合强度。
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公开(公告)号：CN1865376A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610079200.6
申请日：2006-05-16
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B7/12 , C09J7/385 , C09J2203/326 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/28 , Y10T428/2809 , Y10T428/2891
Abstract: 本发明提供一种用于切割的压敏粘合片及使用其的工件的加工方法。本发明的切割用压敏粘合片包括基膜和至少一个设置在基膜上的压敏粘合剂层，并在切割工件时使用，其特征在于，所述压敏粘合剂层含有丙烯酸类聚合物，该丙烯酸类聚合物包含按重量至少5％的、侧链上具有烷氧基的单体单元。通过所述构成，能够提供即使经过长时间的情况下，仍然良好地表现拾取性的切割用压敏粘合片以及使用它的工件的加工方法。
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