公开(公告)号：CN1272220A

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：CN99800848.6

申请日：1999-05-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  浅井道生

IPC: H01J61/30 ,  H01J9/24

CPC classification number: H01J61/30 ,  H01J9/266

Abstract: 发光容器包括形成放电空间的躯干、插入电极构件的末端部分,其由透光性陶瓷材料一体性地形成。在躯干的至少是中央区域的壁厚形成为比末端部分和末端部分与躯干之间的交界区域的壁厚还薄。末端部分的内径约为2mm以下。

公开(公告)号：CN105190839B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201580000704.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  C04B35/115 ,  C04B37/02

Abstract: 构成处理基板的透光性多晶氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，透光性多晶氧化铝的气孔率为0.01％以上、0.1％以下。处理基板的接合面侧的表面区域中所含的大小为0.5μm以上的气孔数量为表面区域中所含的大小为0.1μm以上、0.3μm以下的气孔数量的0.5倍以下。

公开(公告)号：CN110462804A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880015995.5

申请日：2018-01-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 野村胜 ,  宫泽杉夫

IPC: H01L21/56

Abstract: 临时固定基板(2)具备：固定面(2a)，其用于粘接多个电子部件并利用树脂模塑进行临时固定；和底面(2b)，其处于固定面的相反侧。在观察临时固定基板(2)的横截面时，临时固定基板按照固定面(2a)从临时固定基板朝上而呈凸状的方式翘曲，并满足式(1)。0.45≤W3/4/W≤0.55…(1)(将在观察临时固定基板的横截面时的固定面的宽度设为W，将固定面相对于临时固定基板的翘曲的基准面的高度达到固定面相对于基准面的高度的最大值的3/4以上的区域的宽度设为W3/4。)。

公开(公告)号：CN105074868B

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201480009140.3

申请日：2014-02-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫 ,  堀裕二 ,  多井知义 ,  服部良祐

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H03H3/08 ,  H03H9/145 ,  H03H9/25

Abstract: 复合基板(10)由半导体基板(12)和绝缘性的支撑基板(14)粘合而成。支撑基板(14)为由相同绝缘材料制作的第1基板(14a)和第2基板(14b)以用刀片可剥离的强度接合而成，半导体基板(12)粘合在第1基板(14a)中与第2基板(14b)的接合面相反一侧的表面上。

公开(公告)号：CN105144851B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201580000543.6

申请日：2015-02-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/111 ,  H05K3/00

Abstract: 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。

公开(公告)号：CN108886870A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780006847.2

申请日：2017-02-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 井出晃启 ,  高垣达朗 ,  宫泽杉夫

IPC: H05K1/11 ,  H01L23/13 ,  H05K1/09 ,  H05K3/40

Abstract: 设置在陶瓷基板的贯通孔内的贯通导体11具有：金属多孔体20、形成于金属多孔体20的气孔16A～16D的玻璃相17、19以及气孔内的空隙30、31。在贯通导体11的横截面处，气孔的面积比率为5～50％。在沿着陶瓷基板的厚度方向B观察贯通导体11并将其分为第一主面11a侧的第一部分11A和第二主面侧11b的第二部分11B时，第一部分11A中的玻璃相的面积比率大于第二部分11B中的玻璃相的面积比率，第一部分11A中的空隙的面积比率小于第二部分11B中的空隙的面积比率。

公开(公告)号：CN105308718B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201480023299.0

申请日：2014-03-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C04B35/10 ,  C04B35/115 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/786 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  Y10T428/24413

Abstract: 操作基板1，由作为烧结助剂至少含有镁的透光性氧化铝陶瓷形成。操作基板1的相对于施主基板5的接合面1a上的镁浓度，在操作基板1的平均镁浓度的一半以下。

公开(公告)号：CN105190838B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201580000420.2

申请日：2015-01-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L29/16 ,  C04B35/115 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B37/001 ,  C04B37/005 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/062 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/588 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0649 ,  Y10T428/24355

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板(1)由多晶氧化铝形成，操作基板(1)的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为20～55μm，操作基板的中央部(20)的晶粒的平均粒径为10～50μm，操作基板的外周边缘部(8)的晶粒的平均粒径为中央部(20)的晶粒的平均粒径的1.1倍以上、3.0倍以下。

公开(公告)号：CN105144851A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201580000543.6

申请日：2015-02-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 高垣达朗 ,  岩崎康范 ,  宫泽杉夫 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/111 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K1/115 ,  C04B35/111 ,  C04B35/119 ,  C04B35/634 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6023 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  H01B3/12 ,  H01B17/56 ,  H05K1/03 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/00 ,  H05K3/0014 ,  H05K3/0029 ,  H05K2201/09009 ,  Y10T428/24273

Abstract: 提供排列有导体用贯通孔(2)的绝缘基板(1)。绝缘基板(1)的厚度为25～100μm，贯通孔(2)的直径为20μm～100μm。绝缘基板(1)具备有主体部分(5)和露出于所述贯通孔(2)的露出区域(4)。绝缘基板(1)由氧化铝烧结体构成。氧化铝烧结体的相对密度在99.5％以上，氧化铝烧结体的纯度在99.9％以上，构成主体部分(5)的氧化铝烧结体粒子(5a)的平均粒径为3～6μm，构成露出区域(4)中的氧化铝烧结体的氧化铝粒子呈板状，板状的氧化铝粒子(4a)的平均长度为8～25μm。

公开(公告)号：CN105074870A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480019693.7

申请日：2014-12-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 宫泽杉夫 ,  岩崎康范 ,  高垣达朗 ,  井出晃启 ,  中西宏和

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  C01F7/02 ,  C01P2006/60 ,  C04B35/10 ,  C04B35/115 ,  C04B35/64 ,  C04B37/001 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/786 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/70 ,  C04B2237/704 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/15 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68381

Abstract: 半导体用复合基板的操作基板2A由多晶透光性氧化铝构成，多晶透光性氧化铝的氧化铝纯度为99.9％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的前方全光线透过率的平均值为60％以上，多晶透光性氧化铝在200～400nm波长范围内的直线透过率的平均值为15％以下。