带轴的陶瓷加热器
    52.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114175851B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202080050721.7

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 一种带轴的陶瓷加热器,具备:陶瓷板,其埋设有电阻发热体;中空的陶瓷轴,其接合于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面;导电膜,其以沿着陶瓷轴的内周面的方式沿轴向设置;凹部,其以从陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面到达电阻发热体的端子的方式设置,所述端子的下表面在该凹部的底面露出,并且导电膜的表面在该凹部的侧面露出;以及连接构件,其填充于凹部,将端子的下表面与导电膜的表面电连接。

    晶片载放台
    53.
    发明公开
    晶片载放台 审中-实审

    公开(公告)号:CN117897804A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202280005270.4

    申请日:2022-06-23

    Abstract: 晶片载放台10具备:陶瓷基材20,其上表面具有晶片载放面22a,且内置有电极26;金属陶瓷复合材料制的冷却基材30,其内部形成有冷媒流路32;以及金属接合层40,其将陶瓷基材20的下表面和冷却基材30的上表面接合。冷却基材30中的比冷媒流路32更靠下侧的厚度为13mm以上,或者为冷却基材30整体的厚度的43%以上。

    静电卡盘
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113574652B

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202080021416.5

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 静电卡盘(2)具备:具有晶片载置面(4a)的陶瓷制的板(4);在厚度方向上贯通板(4)的顶针孔(10、20、30);用于产生静电力的正负一对电极(正极(6)和负极(8))。板(4)具有假想地分割为顶针孔的数量的分割区域(A1、A2、A3)。正极(6)和负极(8)在每个分割区域具有以从接近顶针孔的正极起点和负极起点分别出发并遍及整个分割区域的方式并列地设置的正负一对涡旋状电极部(16、18、26、28、36、38)。正极(6)是将各分割区域的正的涡旋状电极部(16、26、36)在板(4)的外周部连结而成的,负极(8)是将各分割区域的负的涡旋状电极部(18、28、38)在板(4)的中央部连结而成的。

    晶片载放台
    55.
    发明公开
    晶片载放台 审中-实审

    公开(公告)号:CN116469744A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202211257455.2

    申请日:2022-10-14

    Abstract: 本发明提供一种晶片载放台,即便接合端子较细,也确保了与电极的接合强度,并且,抑制了在陶瓷基材产生裂纹。晶片载放台(10)具备:陶瓷基材(20)、电极(FR吸附用电极(27))、接合端子(供电端子(82))、以及电极取出部(272)。陶瓷基材(20)在上表面具有晶片载放面(22a)。FR吸附用电极(27)植入于陶瓷基材(20)。供电端子(82)自陶瓷基材(20)的下表面插入于陶瓷基材(20),且贯穿设置于FR吸附用电极(27)的贯通孔(271)。电极取出部(272)沿着贯通孔(271)的周缘空开间隔地按比FR吸附用电极(27)厚的方式设置有2个以上,且内周面(272a)与供电端子(82)的侧面接合。

    晶片载放台
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115995374A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202210702212.9

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 本发明提供一种晶片载放台,减少了其对晶片的均热性的影响。晶片载放台(10)具备:陶瓷基材(20)、冷却基材(30)、接合层(40)、附带有台阶的孔(81)、附带有台阶的绝缘管(84)、以及供电端子(82)。附带有台阶的孔(81)具有细径的孔上部(81a)、粗径的孔下部(81b)及孔台阶部(81c),孔上部(81a)从冷媒流路(31)的形成区域(37)通过。附带有台阶的绝缘管(84)插入于附带有台阶的孔(81),且具有细径的管上部(84a)、粗径的管下部(84b)及管台阶部(84c)。供电端子(82)的上端与电极(27)接合。

    陶瓷加热器
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112840741B

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202080005516.9

    申请日:2020-09-15

    Abstract: 本发明的陶瓷加热器在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面,从晶片载置面侧起依次在氧化铝基板中埋设有设置于每个区域的电阻发热体以及向电阻发热体供电的多级跳线,且具备将电阻发热体和跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向跳线供电而向外部取出的供电导通孔。发热体连结导通孔的电阻率小于电阻发热体的电阻率。发热体连结导通孔的热膨胀系数与氧化铝基板的热膨胀系数之差的绝对值小于电阻发热体的热膨胀系数与氧化铝基板的热膨胀系数之差的绝对值。

    晶片载置台
    58.
    发明公开
    晶片载置台 审中-实审

    公开(公告)号:CN115705989A

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202210709442.8

    申请日:2022-06-21

    Abstract: 本发明提供一种晶片载置台。本发明的课题在于高效地进行由偏压用高频引起的离子向聚焦环的引入。晶片载置台(10)具备陶瓷基材(20)、冷却基材(30)和接合层(40)。陶瓷基材(20)在具有圆形的晶片载置面(22a)的中央部(22)的外周具备具有环状的聚焦环载置面(24a)的外周部(24)。冷却基材(30)含有金属。接合层(40)用于接合陶瓷基材(20)与冷却基材(30)。陶瓷基材(20)的外周部(24)的厚度为1mm以下,且未内置电极。

    静电卡盘加热器
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108028221B

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN201780003051.1

    申请日:2017-07-11

    Abstract: 静电卡盘加热器具备:静电卡盘;小区形成区域,其具有多个配线有小加热器电极的小区;电源,与多个小加热器电极并联连接;以及小区控制装置,其以根据针对每个小加热器电极所设定的相对于可供给输出的输出比例,向各小加热器电极供给所希望的电力的方式进行控制。多个小加热器电极之中配线在包含冷点的小区的小加热器电极的电阻值设定得比其他小加热器电极低。

    半导体制造装置用构件及其制法
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114864433A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210066855.9

    申请日:2022-01-20

    Abstract: 本发明提供一种将上部板、中间板和下部板金属接合而成的半导体制造装置用构件及其制法,该构件的接合性良好且不易破损。本发明的半导体制造装置用构件(10)具备:陶瓷制的上部板(20),其具有晶片载置面(22)、且内置有相互平行的静电电极(24)及上部辅助电极(26);中间板(30),其经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反一侧的面(23);以及下部板(40),其经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合于上部板(20)的面相反一侧的面、且内置有相互平行的加热电极(44)和下部辅助电极(46)。

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