研磨液及研磨方法
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101037585B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200710095820.3

    申请日:2003-04-28

    Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水,pH为2~5,其中,氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上,以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上;或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上,以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大,蚀刻速度小,并且研磨磨擦小,因此,可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。

    金属用研磨液以及研磨方法

    公开(公告)号:CN101058712A

    公开(公告)日:2007-10-24

    申请号:CN200710104637.5

    申请日:2003-06-13

    Abstract: 本发明提供了一种金属用研磨液,其含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂以及水,所述金属防蚀剂是具有氨基三唑骨架的化合物和具有咪唑骨架的化合物中的至少一种。通过使用该研磨液,在半导体器件的配线形成工序中,能够在保持低的蚀刻速度的同时,充分提高研磨速度,抑制金属表面的腐蚀和碟陷现象的发生,能够形成可靠性高的金属膜埋入的图案。

    研磨液及研磨方法
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101037585A

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200710095820.3

    申请日:2003-04-28

    Abstract: 本发明涉及研磨液及使用该研磨液的研磨方法。所述研磨液含有氧化剂、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂、及水,pH为2~5,其中,氧化金属溶解剂包括除乳酸、苯二甲酸、富马酸、马来酸及氨基乙酸五种以外的可以第一个解离的酸基的解离常数(pka)为小于3.7的酸(A组)、该A组的铵盐和A组的酯中的一种或以上,以及上述五种酸、pka为大于等于3.7的酸(B组)、该B组的铵盐和B组的酯中的一种或以上;或者金属防蚀剂包括具有三唑骨架的芳族化合物的组(C组)的一种或以上,以及具有三唑骨架的脂肪族化合物、具有嘧啶骨架的化合物、具有咪唑骨架的化合物、具有胍骨架的化合物、具有噻唑骨架的化合物及具有吡唑骨架的化合物的组(D组)的一种或以上。由于金属的研磨速度大,蚀刻速度小,并且研磨磨擦小,因此,可以生产率高地得到金属配线的碟状凹陷及侵蚀小的半导体元件。

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