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公开(公告)号：CN106024972A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610365955.6
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0264 , H01L21/02
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0264 , H01L21/02521 , H01L21/02631
摘要： 本发明公开了半导体结构、制备半导体结构的方法及其应用。该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底的上表面具有单晶结构；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物类单晶层，以便获得所述半导体结构。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有类单晶结构的稀土氧化物结构。
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公开(公告)号：CN105977136A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610366326.5
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
CPC分类号： H01L21/02422 , C23C14/0617 , C23C14/35 , C23C14/46 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L29/045 , H01L29/2003
摘要： 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底，所述衬底是由玻璃形成的；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，其中，所述第一氮化物半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并在玻璃衬底上获得具有晶体择优取向的氮化物半导体结构。具有晶体择优取向的氮化物半导体层有利于诱导后续在其上形成的其他氮化物结构，使其也具有晶体择尤取向。
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公开(公告)号：CN103972105A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410186686.8
申请日：2014-05-05
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/26513 , H01L29/1033 , H01L29/4232 , H01L29/66477
摘要： 本发明提出一种具有SiGe沟道的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有Si层的衬底；向Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层；在SiGe层之上形成栅堆叠结构，并在栅堆叠结构两侧形成源和漏。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGe沟道的场效应晶体管，其中SiGe沟道的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103972065A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410187137.2
申请日：2014-05-05
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/266 , H01L21/203
CPC分类号： H01L21/02532 , H01L21/02664
摘要： 本发明提供一种SiGe层的形成方法，包括以下步骤：提供顶部具有Si层的衬底；向Si层表层注入含有Ge元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGe层。该方法能够形成厚度较薄、质量较好的SiGe层，具有简便易行，成本较低的优点。
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公开(公告)号：CN103855033A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410063181.2
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/1033 , H01L29/161 , H01L29/167
摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成SiGe鳍形结构；向SiGe鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层；在SiGeSn层上形成栅堆叠结构。根据本发明的形成方法，可以得到具有厚度较薄、质量较好的SiGeSn沟道区的FinFET，该方法具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103840005A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410063293.8
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66795 , H01L29/167 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的鳍式场效应晶体管及其形成方法。其中该方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成SiGe鳍形结构；在SiGe鳍形结构之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出SiGe鳍形结构；向SiGe鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGeSn层。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的FinFET，其SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103839827A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410063192.0
申请日：2014-02-25
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/10
CPC分类号： H01L29/66568 , H01L29/0847 , H01L29/161 , H01L29/78
摘要： 本发明提出一种具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法。其中形成方法包括以下步骤：提供顶部具有SiGe层的衬底；在衬底之上形成栅堆叠或假栅；在栅堆叠或假栅两侧形成源区和漏区的开口，在开口位置露出SiGe层；向SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，在开口位置形成SiGeSn层。本发明的MOSFET的形成方法能够形成具有SiGeSn源漏的场效应晶体管，其中SiGeSn源漏的厚度较薄、晶体质量较好，因此晶体管具有良好的电学性能，且本方法具有简单易行、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN108022833A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711143838.6
申请日：2017-11-17
申请人： 清华大学
摘要： 本发明提出了制备半导体结构的方法、半导体结构及场效应晶体管。该方法包括：提供氮化物半导体层；在所述氮化物半导体层的上表面设置界面层，所述界面层含有铝元素；在所述氮化物半导体层上设置第一介质层，所述第一介质层是通过对所述界面层进行热氧化或热氮氧化而形成的，所述界面层至少部分转化为所述第一介质层；以及在所述第一介质层远离所述氮化物半导体层的表面设置金属层。由此，可以利用简单的生产工艺获得具有高质量、优异界面特性的介质层的半导体结构。
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公开(公告)号：CN106057641A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610366292.X
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L21/02 , H01L31/18 , H01L33/00 , H01L33/16 , H01L31/0392
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/02422 , H01L21/02483 , H01L21/02516 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L21/02631 , H01L31/03921 , H01L31/1808 , H01L33/0054 , H01L33/16
摘要： 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：提供衬底，所述衬底为玻璃；以及(2)在所述衬底的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；以及(3)在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。并且，稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列具有择优取向性。
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公开(公告)号：CN105914258A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610365953.7
申请日：2016-05-27
申请人： 清华大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L33/0054
摘要： 本发明提出了半导体结构以及制备半导体结构的方法。具体地，该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面设置石墨烯层；以及(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成第一氮化物半导体层，以便获得所述半导体结构，所述第一氮化物半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的第一氮化物半导体层。
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