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公开(公告)号：CN102681336A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110463316.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/30
Abstract: 提供新的包含一种或多种具有碱-反应性基团的材料的光致抗蚀剂组合物，并且其对干燥光刻技术特别有用。特别优选的本发明的光致抗蚀剂在抗蚀剂涂层显影之后可以显示出减少的缺陷。
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公开(公告)号：CN102540703A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110462163.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺。一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
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公开(公告)号：CN102304068A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110128498.6
申请日：2011-03-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C07C309/17 , C07C303/32 , C07C381/12 , C07D307/00 , C07D307/88 , C07D327/04 , C07D333/46 , G03F7/004 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C303/32 , C07C309/06 , C07C309/07 , C07C309/12 , C07C309/19 , C07D313/00 , C07D315/00 , C07D327/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 光酸产生剂及含有该光酸产生剂的光致抗蚀剂。本发明涉及合成光酸产生剂化合物(“PAGs”)的新方法、新的光酸产生剂化合物和含有这些PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。在特别的方面，光酸产生剂具有1)SO3-基团，2)一个或多个氟化碳原子和3)一个或多个直接或间接地被酮酸酯基团取代的氟化碳原子。
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公开(公告)号：CN102279520A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110137538.3
申请日：2011-03-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C08F220/38
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 新聚合物和光致抗蚀剂组合物。提供了一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：树脂，所述树脂具有(i)一个或多个共价连接于树脂上的光酸产生剂基团，和(ii)一个或多个光酸不稳定基团，其中一个或多个光酸产生剂部分为一个或多个光酸不稳定基团的成分。本发明优选的聚合物适用于在短波长，如200nm以下，特别是193nm成像的光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN102207678A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110063151.8
申请日：2011-01-25
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： 刘骢 , C·吴 , G·泊勒斯 , G·P·普罗科波维奇 , C-B·徐
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , C07C271/16 , C07C269/04
CPC classification number: C07C271/16 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/32
Abstract: 包含含氮化合物的光致抗蚀剂。提供一种包含多个羟基部分的新含氮化合物以及包含该含氮化合物的光致抗蚀剂组合物。优选含氮化合物包含1)多个羟基取代基(即2个或更多个)和2)一个或多个光酸不稳定基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104749888B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201410858486.2
申请日：2014-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Abstract: 提供了修整光致抗蚀剂图案的组合物和方法。光致抗蚀剂修整组合物包括：基体聚合物，其包括从以下通式(I)的单体形成的单元，其中：R1选自氢、氟、C1‑C3烷基、和C1‑C3氟烷基；R2选自C1‑C15亚烃基；且R3选自C1‑C3氟烷基；不含氟的芳酸；和溶剂。所述组合物和方法特别适用于半导体设备的制造。
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公开(公告)号：CN110119067A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910409869.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： G·P·普罗科普维茨 , G·珀勒斯 , 刘骢 , C·吴 , C-B·徐
Abstract: 提供了新的光刻胶组合物，其包含一种组分，该组分包含热致酸生成剂和遏制剂。本发明优选的光刻胶可以包含：具有对光致酸不稳定的基团的树脂；光致酸生成剂化合物；以及至少一种热致酸生成剂和至少一种遏制剂，所述遏制剂用来改进线宽粗糙度和光刻速度。
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公开(公告)号：CN104570601B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201410577026.2
申请日：2014-10-24
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , C07D317/24 , C07C303/32 , C07C309/12 , C07C309/17
Abstract: 一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中a,b,c,d,e,x,L1,L2,L3,L4,R1,R2,X和Z‑如文中所定义。所述光致酸生成剂化合物在通常用于配制光刻胶组合物的溶剂和负性色调显影剂中具有良好的溶解性。本文还描述了一种包括光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物，包括所述光刻胶组合物的经涂覆的基材，以及使用该光刻胶组合物形成器件的方法。
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公开(公告)号：CN108983549A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201810661387.3
申请日：2014-03-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/12 , C07C2603/74 , C07D317/34 , C07D317/72 , C07D319/06 , C07D319/08 , G03F7/039 , G03F7/0392
Abstract: 产酸剂和含有其的光刻胶。本发明提供了产酸剂化合物，其包含氧代-1,3-二氧戊环部分和/或氧代-1,3-二噁烷部分。所述产酸剂特别用作光刻胶组合物的组份。
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公开(公告)号：CN104076601B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201410212479.5
申请日：2014-03-31
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0045 , C07C309/12 , C07C2603/74 , C07D317/34 , C07D317/72 , C07D319/06 , C07D319/08 , G03F7/039 , G03F7/0392
Abstract: 产酸剂和含有其的光刻胶。本发明提供了产酸剂化合物，其包含氧代‑1，3‑二氧戊环部分和/或氧代‑1，3‑二噁烷部分。所述产酸剂特别用作光刻胶组合物的组份。
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