公开(公告)号：CN103237916A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057574.7

申请日：2011-11-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： 园田通 ,  川户伸一 ,  井上智 ,  桥本智志

IPC分类号： C23C14/00 ,  C23C14/24 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC分类号： H01L31/18 ,  C23C14/042 ,  C23C14/24 ,  C23C14/542 ,  H01L51/001 ,  H01L51/56 ,  H05B33/10

摘要： 防镀板（3）和挡板（4）的至少一部分由多个小片（3a、3b、4a、4b）连结而成，在各个小片（3a、3b、4a、4b）设置有能够将小片彼此连结和解除连结的连结部。

公开(公告)号：CN103094486A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210417447.X

申请日：2012-10-26

申请人： 乐金显示有限公司

发明人： 李世熙 ,  权纯甲

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/50 ,  C23C14/24

CPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/50 ,  C23C14/542 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5265 ,  H01L51/56

摘要： 本发明提供了一种发光二极管和制造该发光二极管的沉积装置，该发光二极管包括：第一电极，其包括反射金属层和形成在所述反射金属层上的透明导电材料层；发射材料层，其形成在所述第一电极上并且包括用主体以及第一掺杂物和第二掺杂物形成的发光层；以及第二电极，其形成在所述发射材料层上并且是半透明电极，其中，与所述第一掺杂物的光致发光（PL）光谱的峰值对应的第一波长比与所述第一掺杂物的电致发光（EL）光谱的峰值对应的第二波长短，与所述第二掺杂物的PL光谱的峰值对应的第三波长比与所述第二掺杂物的EL光谱的峰值对应的第四波长长。

公开(公告)号：CN103080367A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041189.3

申请日：2011-05-12

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 恒川孝二 ,  末永真宽 ,  金野武郎

IPC分类号： C23C14/34 ,  G11B5/39

CPC分类号： H01J37/3476 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/505 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3909 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3473 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/332

摘要： 本发明提供溅射设备，在具有在平坦基板表面上形成具有均匀厚度的多层膜的功能的同时，该溅射设备能够确保在整个浮雕结构上，即使在形成有浮雕结构的基板上，也能够均匀地形成沉积在浮雕结构的壁面或侧面部上的膜。根据本发明一个实施例的溅射设备包括用于保持基板（21）的基板保持件（22）、布置在与基板保持件（22）的斜向相对的位置处的阴极单元（40）、检测保持在基板保持件上的基板的旋转位置的位置传感器（23）和根据所检测的旋转位置来调整基板的旋转速度的保持件旋转控制器（51）。保持件旋转控制器（51）控制旋转速度以使得在阴极单元（40）位于作为浮雕结构的处理面的纵向的第一方向侧的情况下的基板旋转速度小于在当阴极单元（40）位于第二方向侧的情况下的基板旋转速度,所述第二方向沿基板旋转方向与第一方向垂直。

公开(公告)号：CN103046008A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210543933.6

申请日：2009-09-29

申请人： 佳能安内华股份有限公司

发明人： 北田亨 ,  渡边直树 ,  长井基将 ,  末永真宽 ,  金野武郎

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/542 ,  C23C14/3464 ,  H01F41/18 ,  H01J37/3266 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3414

摘要： 一种溅射方法，在基板(21)的处理面上形成磁场、使用高放电电力并通过斜入射溅射对磁性膜进行成膜的情况下，能够形成膜厚或表面电阻的面内分布的均匀性良好的膜。溅射装置(1)具备：基板保持架(22)，其保持基板(21)，使基板能够绕与基板处理面垂直的旋转轴进行旋转；基板磁场形成装置（30），其配置于基板(21)的周围，在基板(21)的处理面上形成磁场；阴极(41)，其配置于基板(21)的斜上方，放电电力供给至该阴极(41)；位置检测装置(23)，其检测基板(21)的旋转位置；以及控制装置(50)，其根据位置检测装置(23)所检测到的旋转位置来调整基板(21)的旋转速度。

公开(公告)号：CN102693903A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210080204.1

申请日：2012-03-23

申请人： 斯伊恩股份有限公司

发明人： 二宫史郎 ,  工藤哲也 ,  越智昭浩

IPC分类号： H01L21/265

CPC分类号： H01L21/265 ,  C23C14/48 ,  C23C14/542 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3172 ,  H01J2237/30483

摘要： 本发明提供一种离子注入方法及离子注入装置，其在不利用晶圆的分步旋转而进行离子注入时，实现与对应于容易在利用等离子体的工序及退火工序中产生的面内不均匀图案的形状相应的二维离子注入量面内分布。本发明在对离子束进行往返扫描且沿与离子束扫描方向正交的方向机械扫描晶圆来将离子注入于晶圆中时，利用规定速度校正量的各个控制函数对离子束扫描方向的射束扫描速度和机械扫描方向的晶圆扫描速度同时且独立地进行速度控制，从而生成用于校正其他半导体制造工序的晶圆面内不均匀性的各向同性同心圆形状的晶圆面内离子注入量分布。

公开(公告)号：CN101910447B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880122360.1

申请日：2008-11-07

申请人： 工业等离子体服务与技术IPST有限公司

发明人： P·范登布兰德

IPC分类号： C23C2/36 ,  C23C14/32 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56

CPC分类号： C23C14/16 ,  C23C2/003 ,  C23C2/36 ,  C23C14/28 ,  C23C14/32 ,  C23C14/54 ,  C23C14/542 ,  C23C14/562 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32889 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334

摘要： 本发明涉及用于相继基体的等离子体处理方法和系统，这些基体包括一个或多个钢产品，其中，基体一个接一个地被运输穿过至少一个等离子体处理区域，其特征在于，用来在处理区域中产生等离子体的电功率根据当基体行进穿过这个区域中时存在于这个处理区域中的基体的面积而变化。

公开(公告)号：CN102177015A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200980140480.9

申请日：2009-10-13

申请人： JX日矿日石金属株式会社

发明人： 大坂重雄 ,  黑泽俊雄 ,  夏目隆

IPC分类号： B32B15/04 ,  B32B7/02 ,  C23C14/14

CPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/044 ,  C23C14/08 ,  C23C14/165 ,  C23C14/542 ,  C23C14/562 ,  H05K1/167 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/0391 ,  H05K2203/0361 ,  Y10T428/12493

摘要： 一种带电阻膜的金属箔，在金属箔上具有电阻率比该金属箔高的膜，其特征在于，在该同一金属箔上并置电阻不同的多个电阻膜。目前利用的内置电阻体在铜箔上通过1种物质构成1个电阻体。但是，实际安装时，与一个电阻体相比，二个电阻体、更多个电阻体的电路设计的容许误差增加及工时数降低。本发明的课题是提供在1张金属箔上具有2种以上电阻体的电阻内置金属箔。

公开(公告)号：CN1745453B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200380109320.0

申请日：2003-11-13

申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司

发明人： S·卡德莱克 ,  E·屈格勒 ,  T·哈尔特尔

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

CPC分类号： H01J37/3455 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/35 ,  C23C14/542 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52

摘要： 为了实现具有从真空处理过程中得到的处理结果的预定两维表面分布的基片表面，产生不均匀密度分布的等离子体(5)，并且相对基片(9)以预定移动来使其移动，提供等离子体放电的电功率随时间变化。

公开(公告)号：CN101182627B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200710169464.5

申请日：2007-11-16

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 小田敦 ,  小林敏郎 ,  佐藤惠一 ,  北本博子 ,  神川进 ,  和田宏三

IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/54

CPC分类号： C23C14/243 ,  C23C14/26 ,  C23C14/542

摘要： 本发明提供一种具有令基板的宽度方向的膜厚分布均匀的喷嘴构造的蒸发源以及使用该蒸发源的真空蒸镀装置。通过加热而令蒸镀材料气化或者升华而产生的蒸气从长条的喷嘴开口(2)带状地排出。另一方面，在与上述喷嘴开口(2)对置的状态下在垂直于该喷嘴开口的长度方向的方向上向箭头(A)方向输送被蒸镀基板(3)。上述喷嘴开口(2)的长度方向的每单位面积的蒸气的排出流量相比该喷嘴开口的中央部而言，与基板端部的位置相同的喷嘴宽度方向位置的部分处最大，并且在喷嘴开口(2)内配置对蒸气的流动赋予指向性的多个分隔板(4)。

公开(公告)号：CN102076878A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125503.9

申请日：2009-06-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 堀下芳邦 ,  松原忍 ,  小野敦

IPC分类号： C23C14/34 ,  H02M3/155 ,  H05H1/46

CPC分类号： H05H1/46 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3444 ,  H03H7/38

摘要： 提供一种电源装置，其可抑制基板充电引发的异常放电，可在大面积基板上形成良好的薄膜。本发明的电源装置(E)配置有：第一放电电路(E1)，其通过以规定频率交替性地使极性反转，对与等离子接触的一对靶(T1)、(T2)外加规定电位；第二放电电路(E2)，其对前述一对电极中未从第一放电电路外加电位的电极与接地间外加规定电位。第二放电电路具有反向电位外加装置(3)，其在极性反转时至少对前述电极的一方外加与输出电位相反的电位。