溅射设备和磁体单元
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104487607B

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201380036961.1

    申请日:2013-03-14

    发明人: 铃木英和

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明提供了当磁体单元的宽度被减小时在靶的表面上获得充分的漏磁通密度的溅射设备和磁体单元。该溅射设备设置有靶保持件以及具有长边和短边的矩形磁体单元。磁体单元具有:第一磁体;布置在第一磁体周围且在与第一磁体的磁化方向不同的相反方向上被磁化的第二磁体;第三磁体,该第三磁体在短边方向上的第一磁体与第二磁体之间的至少中央位置并且在短边方向上在第一磁体和第二磁体之间的区域的一部分被磁化。第三磁体的面对第二磁体的表面具有与第二磁体的在靶保持件侧的表面相同的极性,并且第三磁体的面对第一磁体的表面具有与第一磁体的在靶保持件侧的表面相同的极性。

    可变半径的双磁控管
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105051246A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201480006631.2

    申请日:2014-01-23

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 双磁控管,特别有用于RF等离子体溅射,包括:径向静止开环磁控管(82),包括相对磁极(90、92)且绕中央轴(14)旋转以扫描溅射目标(20)的外部区域;和径向可移动式开环磁控管(84),包括相对磁极(96、98)且与该静止磁控管一起旋转。在处理期间(图2),该可移动式磁控管以开口端邻接于该静止磁控管的开口端径向地放置于外部区域中,以形成单一开环磁控管。在清理期间(图3),该可移动式磁控管的部分径向地向内移动以扫描及清理目标未被该静止磁控管扫描的内部区域。该可移动式磁控管可装设于臂(114)上,该臂于旋转碟状平板(100)的周边处绕轴(118)转动,该静止磁控管装设于该碟状平板,使得该臂离心地根据旋转速率或方向在径向位置间移动。

    可配置的可变位置式封闭轨道磁电管

    公开(公告)号:CN104937134A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201480005804.9

    申请日:2014-02-24

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本文提供用于磁电管组件的方法和设备。在一些实施方式中,磁电管组件包括:第一底板;第二底板,所述第二底板相对于第一底板在第一位置与第二位置之间是可移动的;外部磁极,所述外部磁极为环形并包括耦接至第一底板的外部磁极区段和耦接至第二底板的外部磁极区段;和内部磁极,所述内部磁极设置于外部磁极内,其中外部磁极和内部磁极限定闭环磁场,并且其中当在第一位置和第二位置两者中设置第二底板时维持所述闭环磁场。

    用于涂覆衬底的方法和涂覆器

    公开(公告)号:CN104766779A

    公开(公告)日:2015-07-08

    申请号:CN201510157919.6

    申请日:2010-09-30

    IPC分类号: H01J37/34

    摘要: 提供一种用具有可旋转靶(20)的阴极组件(10)涂覆衬底(100)的方法。可旋转靶具有至少一个位于其内的磁体组件(25)。该方法包括将磁体组件定位在第一位置,使得其相对于平面(22)不对称地排列达预定第一时间间隔,所述平面从衬底(100)垂直延伸到可旋转靶的轴线(21);将磁体组件定位在第二位置处达预定第二时间间隔,第二位置相对于所述平面(22)不对称地排列;并且在涂覆过程中向可旋转靶提供随时间而变化的电压。此外,提供一种涂覆器,其包括具有可旋转弯曲靶的阴极组件;以及两个定位在可旋转弯曲靶内的磁体组件,其中,两个磁体组件之间的距离能变化。

    磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备

    公开(公告)号:CN103887130A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210562303.3

    申请日:2012-12-21

    IPC分类号: H01J25/50 H01J23/02 C23C14/35

    摘要: 本发明提供一种磁控管和磁控溅射设备,包括极性相反的外磁极和内磁极,其中,在垂直于所述磁控管的径向截面上,所述内磁极为由两段螺旋线首尾串接而形成的不对称的闭合环形,且该螺旋线遵循下述极坐标方程:r=a×θn+b×(cosθ)m+c×(tanθ)k+d,其中,r和θ为极坐标,n,m和k分别为θ、cosθ和tanθ的指数,且-2<n<2,-2<m<2,-2<k<2;而且,所述内磁极和与之形状相对应的外磁极相互不接触地嵌套在一起,以在二者之间形成闭合且不对称的通道;并且,该通道在磁控管扫描靶材表面时经过靶材的中心和边缘。本发明提供一种磁控管,不仅可以实现采用较低的溅射气压就能够满足启辉和维持等离子体的工艺条件,而且还可以提高薄膜厚度在基片径向方向上的均匀性,从而可以提高成膜质量。