公开(公告)号：CN1505157A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310115499.2

申请日：2003-11-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 古畑武夫 ,  水岛一郎 ,  关原章子 ,  岸田基也 ,  原田翼 ,  中尾隆

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC分类号： H01L21/76847 ,  H01L21/76864 ,  H01L27/10867 ,  H01L29/945

摘要： 本发明的目的是提供一种可靠地与沟槽内的第1导体和第2导体连接，满足高集成化以及细微化要求的半导体器件及其制造方法。解决方案是，半导体器件(100)具备：半导体基板(110)；被形成在半导体基板(110)上的沟槽(135)；被堆积在沟槽(135)内部比较下方的，在上面具有凹坑的第1导体层(150)；埋入第1导体层(135)的凹坑，由比第1导体层(135)熔点还低的导电性材料构成的埋入层(199)；在沟槽(135)内部被设置在埋入层(199)上的，与第1导体层(150)电连接的第2导体层(152)。

公开(公告)号：CN1449015A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN02160425.8

申请日：2002-12-30

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 表成奎

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

摘要： 本发明涉及一种在半导体装置中形成金属互连层的方法，藉由该方法可透过电极电镀法连续地在具极高长宽比的双金属镶嵌图样、通道孔或沟槽中填充无空洞的金属膜。为达此任务，该方法包括下面的步骤：在半导体基板上形成一下方导体层；在该已经形成下方导体层的半导体基板上形成一层间绝缘膜；选择性地蚀刻该层间绝缘膜以形成一特定形状的开孔，透过该开孔可曝露出该下方导体层；沿着已经形成的具特定形状的开孔的梯状构造形成一金属晶种层；藉由一激光制造工艺回流该金属晶种层以形成一厚度均匀的金属晶种层；对该金属晶种层执行氢气还原退火制造工艺；以及藉由电极电镀法在该金属晶种层之上形成一金属膜。

公开(公告)号：CN1062978C

公开(公告)日：2001-03-07

申请号：CN95109193.X

申请日：1995-07-07

申请人： 现代电子产业株式会社

发明人： 张玹珍 ,  李禹奉 ,  文永和 ,  全英昊 ,  高在浣 ,  具永谟 ,  金世桢

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76864 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76859 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种制作TiNO金属阻挡层的方法，该金属阻挡层是在金属层间作为阻止Si原子扩散用的扩散阻挡层，所述方法包括使用Ar和N2气体，通过一个溅射设备制作一TiN膜的步骤，该方法还包括如下步骤：在所述TiN膜上部注入N2O气体；和把所生成的膜层在N2气氛下退火，使氧离子扩散，从而将所述所生成的膜层制成均匀的TiNO膜。

公开(公告)号：CN1057868C

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN96104048.3

申请日：1996-03-04

申请人： 现代电子产业株式会社

发明人： 赵景洙

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/76864 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846

摘要： 本发明公开一种能提高成品率和可靠性的半导体器件的金属互连的方法，包括于先形成有源区再形成绝缘层的半导体衬底的预定部位处形成接触孔；用化学汽相淀积法在接触孔和绝缘层上依次淀积具有预定厚度的钛和氮化钛层；在N2气氛中进行热退火。最后在扩散阻挡层上淀积低电阻率的互连金属，并在接触孔和绝缘层上形成各层的图形，由此形成有源区间的金属互连。另外，本发明还可包括在对所形成的各层构图之前淀积弧形薄膜的步骤。

公开(公告)号：CN107230725A

公开(公告)日：2017-10-03

申请号：CN201610176767.9

申请日：2016-03-25

申请人： 北京大学 ,  北大方正集团有限公司 ,  深圳方正微电子有限公司

发明人： 刘美华 ,  孙辉 ,  林信南 ,  陈建国

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76853 ,  H01L21/76864 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66522

摘要： 本发明提供一种氮化镓半导体器件的制备方法，包括：在氮化镓外延基底上沉积第一氮化硅层，在第一氮化硅层上形成源极接触孔、漏极接触孔；在源极接触孔和漏极接触孔内、第一氮化硅层上沉积第一金属层；在第一金属层上形成欧姆接触电极窗口；对整个器件进行高温退火处理，第一金属层与氮化镓外延基底中的氮化铝镓层反应形成合金，降低第一金属层与氮化铝镓层的接触电阻；在第一氮化硅层和氮化铝镓层上形成栅极接触孔；在栅极接触孔内沉积氮化硅介质层、在栅极接触孔和栅极接触孔的外边缘沉积第二金属层。降低第一金属层与氮化铝镓层的接触电阻，避免出现氮化镓半导体器件的漏电以及软击穿的问题，增强氮化镓半导体器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN107017301A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611128342.7

申请日：2016-12-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕相钦 ,  吴建志 ,  杨哲勋 ,  陈鸿文

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0684

摘要： 一种半导体结构，包含半导体衬底、介电层、缓冲层、至少一个凹槽和至少一个导体。介电层位于半导体衬底上。缓冲层位于半导体衬底和介电层之间。凹槽穿过介电层和缓冲层延伸进半导体衬底内，其中缓冲层相对于蚀刻工艺具有去除速率以形成凹槽。缓冲层的去除速率介于半导体衬底的去除速率和介电层的去除速率之间。导体位于凹槽内。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

公开(公告)号：CN106463361A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021601.3

申请日：2015-05-08

申请人： 应用材料公司

发明人： 克里斯·帕贝利科 ,  罗伊·沙维夫 ,  约翰·L·克洛克 ,  埃迈什·T·伊斯梅尔

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/76882 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D5/505 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L2221/1089

摘要： 一种用于至少部分地填充工件上的特征的方法，所述方法包括使用电镀电解液在工件上形成的种晶层上电化学沉积金属化层，所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子，约6至约13的pH范围，有机添加剂，以及第一金属络合剂与第二金属络合剂。

公开(公告)号：CN106030792A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009551.7

申请日：2015-02-19

申请人： 高通股份有限公司

发明人： J·J·徐 ,  J·J·朱 ,  C·F·耶普

IPC分类号： H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76847 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体器件包括具有将第一互连层(110)耦合至沟槽(302)的通孔(304)的管芯。该半导体器件还包括在沟槽的侧壁和毗邻表面上以及在通孔的侧壁上的阻挡层(306)。该半导体器件具有在第一互连层的表面上的掺杂导电层(308)。该掺杂导电层在通孔的侧壁之间延伸。该半导体器件进一步包括在通孔和沟槽两者中的在阻挡层上的导电材料(202)。该导电材料在布置在第一互连层的表面上的掺杂导电层上。

公开(公告)号：CN102543734B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201010579748.3

申请日：2010-12-08

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 赵超 ,  王文武

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/78 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种带有存储功能的MOS器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面上覆盖有第一介质层，所述第一介质层中形成有金属互连结构；形成第二介质层，覆盖所述第一介质层和金属互连结构的表面；在所述第二介质层中形成开口，所述开口的底部暴露出所述金属互连结构；在所述开口的底部形成合金层，所述合金层的材料为铜和其他金属的合金；对所述合金层和金属互连结构进行热处理，在所述金属互连结构的表面形成含金属的氧化物层。所述含氧的化合物层与形成于所述半导体衬底中的MOS器件共同构成带有存储功能的MOS器件。本发明的工艺可控性较高，有利于改善器件性能。

公开(公告)号：CN104241197A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410259232.9

申请日：2014-06-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 伊斯梅尔·T·埃迈什 ,  罗伊·沙维夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76882 ,  H01L2221/1089

摘要： 本发明是在具有高薄层电阻的工件上的电化学沉积。一种用于至少部分填充工件上的部件的方法通常包括以下步骤：获得包括部件的工件；将第一导电层沉积在部件中，其中第一导电层的薄层电阻大于10欧姆/方；通过电化学沉积将第二导电层沉积在部件中，其中电气接触件至少部分地浸没在沉积化学品中。