公开(公告)号：CN1324812C

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200410007006.8

申请日：2004-02-20

申请人： 学校法人浦项工科大学校

发明人： 金汜晚 ,  梁泳龟 ,  禹永允 ,  李载赫 ,  金圣祐

IPC分类号： H04B1/02 ,  H03F3/20

CPC分类号： H03F3/24 ,  H03F1/0205 ,  H03F1/0294 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/336 ,  H03F2200/451 ,  H04B1/0483

摘要： 提供一种利用非线性元件的线性放大(LINC)的功率发射机。该LINC功率发射机包括：数字信号处理单元，控制该LINC功率发射机；调频单元，把从数字信号处理单元输出一个数字信号调制或转换成一个射频(RF)信号； 信号放大单元，使用一个增益放大器和一个功率放大模块放大从该调频单元输出的RF信号；和直流/直流(DC/DC)转换单元，控制该功率放大模块的偏压。其中，该DC/DC变换单元控制该功率放大模块的一个基极偏置和/或一个集电极偏置，并且该功率放大模块操作在饱和状态。

公开(公告)号：CN1926760A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200480042604.7

申请日：2004-07-14

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 森一富 ,  新庄真太郎 ,  服部公春 ,  高桥利成 ,  关博昭 ,  太田彰 ,  末松宪治

IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F3/189

CPC分类号： H03F1/56 ,  H03F1/0261 ,  H03F3/191 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/249 ,  H03F2200/318 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/391 ,  H03F2200/417 ,  H03F2200/451 ,  H03H7/38

摘要： 一种高输出放大器，根据放大元件(3)的输出功率，变更连接在最末级的放大元件(3)和输出端子(8)之间的输出匹配电路(5)的匹配条件。由此，无需降低最大输出时的效率，即可大幅度提高低输出时的效率。并且，不需要安装DC－DC转换器，所以能够防止大型化和高成本的产生。

公开(公告)号：CN1909363A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610128556.4

申请日：2006-07-25

申请人： 英飞凌科技股份公司

发明人： N·V·迪克西特 ,  S·罗普奇 ,  P·佩鲁古帕利

IPC分类号： H03F1/42 ,  H03F1/32 ,  H03F3/16 ,  H03F3/195 ,  H03F3/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/66

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H03F1/301 ,  H03F3/191 ,  H03F3/602 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/366 ,  H03F2200/423 ,  H03F2200/451 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 半导体功率器件包括凸缘、具有栅极、源极和漏极的管芯。源极与凸缘电耦合。漏极匹配电路位于具有输入、输出和偏置输入的凸缘上，输入与漏极耦合。漏极匹配电路包括与漏极和凸缘间的第一电容器串联耦合的电感器和紧邻于第一电容器排列的第二电容器，其中第二电容器与偏置输入耦合并且通过第二电感器与第一电容器并联。输入端机械耦合到凸缘并且与栅极电耦合，输出端机械耦合到凸缘并且与漏极匹配电路的输出电连接，输入偏置端机械耦合到凸缘并且通过偏置输入与漏极电耦合。

公开(公告)号：CN1258870C

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN00816907.1

申请日：2000-10-03

申请人： 因芬尼昂技术股份公司

发明人： C·布莱尔 ,  H·舒登

IPC分类号： H03F1/30

CPC分类号： H03F3/191 ,  H03F1/301 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/456

摘要： 公开了一种用于偏置功率晶体管(2)的电路和方法，，由此来补偿运行特性中的不利变化。该电路包括一个校正晶体管(3)，该校正晶体管(3)具有与功率晶体管(2)大体相同的器件特性。此外，该校正晶体管(3)的至少一维尺寸与功率晶体管(2)的相应尺寸成比例。偏置校正晶体管(3)，使校正晶体管(3)的漏极电流与功率晶体管(2)的漏极电流的比例与尺寸的比例相同。这样，校正晶体管(3)的输出信号是根据功率晶体管(2)的运行特性的不利变化来决定的。校正晶体管(3)的输出信号被放大，并连接到功率晶体管(2)的控制端子上，使得所施加到控制端子的偏置信号补偿功率晶体管(2)的运行特性中的不利变化。

公开(公告)号：CN1090839C

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN97103122.3

申请日：1997-03-13

申请人： 富士通株式会社

发明人： 川合贵久 ,  冈本逸雄

IPC分类号： H03F3/193 ,  H03G1/00

CPC分类号： H03F3/1935 ,  H03F1/306 ,  H03F3/24 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/211 ,  H03F2200/405 ,  H03F2200/54 ,  H03F2200/75 ,  H03G1/0017 ,  H03G1/0029 ,  H03G1/007

摘要： 放大器电路包括：一个第一增强型FET，有一个栅极，加有输入信号及一个栅偏置电压，和一个漏极，通过它输出放大的输出信号，以及一个第二增强型FET，有一个漏极同漏极电压源相连，一个源极同第一FET的漏极相连，和一个栅极，加有提供给第一FET控制漏极电压的控制信号。

公开(公告)号：CN206977389U

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201720457770.8

申请日：2017-04-27

申请人： 意法半导体有限公司

发明人： L·福格特

IPC分类号： H03F1/30 ,  H03F1/02 ,  H03F3/195 ,  H03F1/26

CPC分类号： H03F3/423 ,  H03F1/0272 ,  H03F1/30 ,  H03F1/301 ,  H03F3/189 ,  H03F3/193 ,  H03F2200/15 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451 ,  H03F2200/78 ,  H03G3/30 ,  H03G3/3015 ,  H03G3/3036 ,  H03G3/3047

摘要： 本实用新型涉及射频放大器和电子电路，例如，射频放大器(1)包括电源和偏置级(4)，该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管，该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31)，并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36)，其中，所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的，其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利