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公开(公告)号：CN107403740A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710642794.5
申请日：2017-07-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/265
摘要： 本发明提出一种确定离子注入机注入角度偏差的方法，包括下列步骤：提供标准硅片和离子注入机；将标准硅片上半部分在离子注入机进行特定程式的离子注入；离子注入机将标准硅片旋转180度，使用相同程式进行下半部分的注入；对标准硅片进行热波或方块电阻量测；分别收集标准硅片上下半部分的量测值；根据量测值计算离子注入机注入角度的偏差。本发明提出的确定离子注入机注入角度偏差的方法，此方法通过对硅片扭角的调整进行两次注入，根据硅片两次热波或方块电阻量测值来确定注入机注入角度校正值，以消除硅片晶向对注入机注入角度校正的影响。
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公开(公告)号：CN104198004B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410491316.5
申请日：2014-09-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G01F1/88
摘要： 本发明涉及一种气体质量流量计，依次包括加热电桥传感器、第一放大器、电压比较器以及第二放大器，所述加热电桥传感器检测气体管道中的气体流量并转换为电压信号，所述的电压信号经过第一放大器放大，与初始的设定电压值在所述电压比较器中进行比较，二者的差值经过所述第二放大器的放大，作为执行机构的第一反馈控制信号；还包括压力传感器，所述压力传感器设置于所述气体管道内，所述压力传感器检测到的气体的压力信号，作为执行机构的第二反馈控制信号，所述第一、第二反馈控制信号共同调节所述气体管道中的气体流量。本发明利用压力传感器与加热桥传感器相互关联，实现对气体质量流量计的零点监控，确保实际的气体质量流量与设定值相符。
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公开(公告)号：CN104269351B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410520740.8
申请日：2014-09-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种用于改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，包括：进行干法净化步骤，对所述晶舟进行净化清洁；在所述晶舟表面沉积TEOS缓冲层；在所述TEOS缓冲层上沉积DCS SIN层。本发明改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，有效解决了HCD氮化硅工艺的应力和石英晶舟的裂缝问题。
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公开(公告)号：CN106356273A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201611028746.9
申请日：2016-11-18
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01J37/302
CPC分类号： H01J37/3023
摘要： 本发明提供了一种离子注入即时制造控制系统及离子注入即时制造控制方法。本发明的离子注入即时制造控制系统包括：晶圆装载区传送部分、注入区部分、热波量测区域部分、以及数据反馈计算部分；其中，晶圆装载区传送部分用于将晶圆传递至注入区部分，注入区部分用于执行离子束调整并对晶圆执行离子注入处理；热波量测区域部分在经离子注入处理后的晶圆传递回晶圆装载区传送部分之前对经离子注入处理后的晶圆进行热波量测，并且将热波量测数据传递给数据反馈计算部分；数据反馈计算部分用于根据热波量测数据判断当前离子束是否需要调整，并且根据判断结果控制注入区部分的离子束调整。
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公开(公告)号：CN106191990A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610770371.7
申请日：2016-08-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C30B25/14
摘要： 本发明公开了一种炉管的进气装置，包括：进气口，设于炉管工艺腔的侧壁下端，其连通外部反应气体管路；进气管，设于工艺腔内，其一端连接进气口，另一端封闭，进气管自下而上环绕工艺腔内的晶舟设置；多个喷嘴，沿进气管长度方向并面向晶舟均匀设置；工艺时，通过由进气口向进气管中通入反应气体，并由各喷嘴向晶舟喷射，使晶舟中的每层硅片都均匀接触到反应气体，同时，保持晶舟处于静止不动状态，以在保证产品厚度均匀性的同时，避免因晶舟旋转而带来颗粒污染。
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公开(公告)号：CN106128935A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610510479.2
申请日：2016-06-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L21/02697 , H01L21/67248
摘要： 本发明提供了一种改善镍退火机台晶圆均一性的方法，包括：第一步骤：在硅片表面生长镍金属沉积物以制造镍金属控片；第二步骤：由待监控的退火机台对镍金属控片进行第一次退火；第三步骤：测量镍金属控片第一次退火后的电阻值以检验镍金属控片的相变程度；第四步骤：根据所述电阻值检验出的相变程度获取反馈值，并采用所述反馈值来优化退火机台的机台参数；第五步骤：在优化退火机台的机台参数之后，由待监控的退火机台对镍金属控片进行第二次退火，以得到最终的金属硅化物。
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公开(公告)号：CN105977140A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610584924.X
申请日：2016-07-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L21/0217 , C23C16/345 , C23C16/52 , H01L21/02271
摘要： 本发明提供了一种改善圆晶片内膜厚均匀性的方法，包括：第一步骤：将炉管中的处理温度设置为预定初始工艺温度；第二步骤：在从预定初始工艺温度开始以预定降温速度将温度降温至预定下降温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积；第三步骤：在从预定下降温度开始以预定升温速度将温度升温至预定上升温度的过程中，对炉管中的硅片进行材料沉积。
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公开(公告)号：CN105225936A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510663203.3
申请日：2015-10-14
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/423 , H01L21/67
CPC分类号： H01L29/401 , H01L21/67011 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及半导体制造设备领域，尤其涉及一种消除影响栅极氧化层厚度的方法及装置。方法包括：机台作业对栅极氧化层厚度有影响的制成；禁掉对栅极氧化层厚度有影响的制成；触发湿氧的制成。本发明的装置包括：炉体；影响气体进气口，设置于炉体的下方，通入对栅极氧化层厚度有影响的气体；湿氧进气口，设置于炉体的下方，通入湿氧以去除对栅极氧化层厚度有影响的气体；排气口，设置于炉体的上方，排出炉体内的制成产生的气体。
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公开(公告)号：CN104867853A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510144258.3
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , B08B5/02
CPC分类号： H01L21/67393 , B08B5/02
摘要： 本发明公开了一种FOUP结构和FOUP清洁方法，通过在FOUP两侧侧板的内侧设置一根进气管和一根出气管，形成气体的单向流动通道，且进气管和出气管自上而下开设多个进气口和出气口，使得气流可以均匀分布于纵向空间，同时吹扫到FOUP上部和下部的晶圆，且气流相较现有技术更加平稳、均匀，提高了FOUP内晶圆的清洁均匀性和清洁效率、清洁效果。
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公开(公告)号：CN102856175B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210352952.0
申请日：2012-09-19
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L29/0603 , C23C16/345 , C23C16/402 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02271 , H01L21/3205 , H01L21/32055
摘要： 本发明提供了一种炉管挡片结构制造方法。炉管挡片结构包括：硅衬底基片、布置在所述硅衬底基片上的氮化硅层、布置在所述氮化硅层上的二氧化硅层。在硅衬底基片上形成氮化硅层以形成硅-氮化硅结构；并且在第一步骤得到的硅-氮化硅结构上形成二氧化硅层，以得到形成硅-氮化硅-二氧化硅结构。根据本发明的具有特殊结构的炉管挡片消除挡片对生产片膜厚造成的影响，使产品片上得到的薄膜有良好的片与片之间的均匀性，同时不影响挡片正常的使用、回收。根据本发明的炉管挡片，其结构特点是在硅-氮化硅的结构上再覆盖二氧化硅，使炉管挡片与产品片表面的材料一致，消除淀积过程中的淀积速率差异，使产品片得到更好的片间均匀性。
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