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公开(公告)号：CN104952972A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510174196.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1832
Abstract: 本发明公开了一种自支撑CdZnTe薄膜的制备方法，采用近空间升华方法，通过对沉积后的薄膜进行后处理，来分离薄膜与衬底，获取连续平整的样品。本发明工艺以CdZnTe单晶切片为升华源，通过表面处理获得理想的欧姆电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备不受衬底尺寸限制，灵活应用于大面积、低漏电流的辐射探测器的薄膜，有望使得辐射探测器的制造技术更加简便。
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公开(公告)号：CN104730559A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134207.2
申请日：2015-03-26
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/02
Abstract: 本发明公开了一种平面型核辐射探测器件的制备方法，具体为采用CdZnTe晶片制备方法或CdZnTe薄膜制备方法制备平面型核辐射探测器件。本发明还公开了一种可携带式核辐射探测装置，包括探测器感应装置1、前级放大电路2、后级主放大电路3、模拟数字转换电路4、单片机处理器5、显示模块6、报警模块7和USB接口模块8，采用CdZnTe材料作为感应核辐射粒子射线的核辐射吸收层，具有平面式叉指电极结构，在电源模块9中还设有输出的电压为5-50V的DC/DC电压转换模块，核辐射探测装置集成为能够安装在使用者随身携带的物品上的小型器件。本发明方便携带，能实时报警，可长期可持续供电，适合于野外作业，适用于国防军事和有核辐射的民用场合。
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公开(公告)号：CN103993355A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410193673.3
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种CuInS2单晶体的制备方法，把高纯原料粉末Cu、In、S均匀混合，真空封装入反应器，并用单一温区摇摆炉混晶的方法制备了CuInS2多晶锭，作后续籽晶和单晶生长的原料，然后用布里奇曼法制备小的CuInS2单晶块作籽晶，最后用磁场和籽晶辅助的移动加热法生长大的CuInS2单晶，本发明还公开了一种CuInS2单晶体制备装置，由反应容器、垂直炉和外加磁场系统组成。本发明改善了常规移动加热法制备CuInS2晶体时，生长速度较慢的问题，同时提高了晶体的生长速度和晶体的利用率，有效解决大直径单晶CuInS2的制备工艺问题，并为制备性能优越的CuInS2薄膜太阳电池提供理论和实践的基础。
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公开(公告)号：CN103904160A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410107249.2
申请日：2014-03-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , H01L31/115 , H01L31/1836
Abstract: 本发明公开了一种应用于X射线探测的CdZnTe薄膜的制备方法。所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备应用于大面积、低漏电流、高分辨率的X射线探测器的薄膜，有望X射线薄膜探测器的产业化生产。
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公开(公告)号：CN103746037A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410001041.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103531662A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310507778.7
申请日：2013-10-24
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02008 , C30B11/00 , C30B29/46 , H01L31/022408 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础。本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。晶体的尺寸一般为10mm×10mm×3mm，电阻率2×1010Ω·cm；金电极的厚度为100~300nm。
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公开(公告)号：CN102220644B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110151562.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种新的提高碲锌镉晶体性能的方法和装置，属特殊晶体热处理工艺技术领域。其特点包括：利用生长后的晶体内存在的Te沉淀/夹杂相来吸附晶体中的有害杂质，然后利用热迁移机制（处在液态下Te沉淀在温度梯度温场中会向着高温方向移动）将晶锭置于一定的温度梯度温场中进行长时间退火，使晶体内的Te沉淀/夹杂相携带着杂质移动到晶体的尾端，最后切除尾部，得到提纯的碲锌镉晶体。采用本发明对完成生长的碲锌镉晶锭进行退火改性，能够显著的减少碲锌镉晶体中的杂质和缺陷的含量。
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公开(公告)号：CN102942157A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210384637.6
申请日：2012-10-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种采用正面腐蚀方式制造流量传感器的方法。本方法在基底的正面利用反应离子刻蚀法形成用于制作空腔的槽，槽的深度决定了空腔上方基底的厚度，然后在基底的表面和槽的侧壁与底部淀积阻挡层，选择性的去除基底的表面和槽底部的阻挡层，在槽的侧壁形成侧壁保护层，以侧壁保护层为掩模，继续刻蚀槽，形成深槽。采用湿法腐蚀法腐蚀深槽，在基底的内部形成腔体；然后于正面特定区域内制造含金属的加热装置和测温装置，随后沉积保护层。如此可以高效率低成本的获得加热装置和测温装置所处特定区域下方厚度可控的硅基底腔体。
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公开(公告)号：CN102544230A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210039923.9
申请日：2012-02-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , C23C14/22 , C23C14/06 , C23C16/448
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。其中CZT薄膜制备方法是：采用掺少量Zn(x小于1%)的Cd1-xZnxTe多晶或单晶圆盘做升华源，用近空间升华法直接制备x
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公开(公告)号：CN101881809B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010215748.5
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种20倍聚光电池的测量系统装置，属于太阳能电池测试方法技术领域。本发明的20倍聚光太阳电池测试系统装置是利用传统的商业化太阳电池测试仪的光源和测量部件，加装了经过设计的聚光单元，改造了电接触部分，由铜板平行接触与电池电极相连。组成了能够测量20倍标准以下聚光电池的测量仪。
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