公开(公告)号：CN107204291A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710153480.9

申请日：2017-03-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 曾根雄司 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管、存储和显示元件、显示装置和系统的制法。用于制造包括栅绝缘层、活性层、和钝化层的场效应晶体管的方法。所述方法包括形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程。所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。

公开(公告)号：CN106356406A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610552716.1

申请日：2016-07-14

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

Abstract: 公开场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。场效应晶体管包括：基底；钝化层；形成于基底和钝化层之间的栅绝缘层；形成为与栅绝缘层接触的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成且与栅绝缘层、源电极、和漏电极接触的半导体层；以及与栅绝缘层接触且经由栅绝缘层面对半导体层的栅电极，其中钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第一复合氧化物，和其中栅绝缘层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合氧化物。

公开(公告)号：CN105684135A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201480059693.X

申请日：2014-10-23

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 早乙女辽一 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  新江定宪

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0278 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/7869

Abstract: 场效应晶体管，包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。

公开(公告)号：CN105261649A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510408238.2

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一 ,  新江定宪 ,  草柳岭秀

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  C09D5/24 ,  G09G3/22 ,  G09G2300/0421 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明涉及涂布液、场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统。所述场效应晶体管包括：配置成施加栅电压的栅电极；配置成取出电流的源电极和漏电极；由n-型氧化物半导体形成且与所述源电极和所述漏电极接触地设置的有源层；以及设置在所述栅电极和所述有源层之间的栅绝缘层，其中所述n-型氧化物半导体包括选自Re、Ru、和Os的至少一种作为掺杂剂。

公开(公告)号：CN102007131B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN200980113662.7

申请日：2009-04-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 后藤大辅 ,  鸟居昌史 ,  堀内保 ,  有贺保 ,  生野弘 ,  匂坂俊也 ,  山本谕 ,  折户武志 ,  毛利匡贵 ,  冈田崇 ,  加藤拓司 ,  松本真二

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

CPC classification number: C07D495/04 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0558

Abstract: 由通式(I)表示的[1]苯并噻吩并[3，2-b][1]苯并噻吩化合物：其中X和Y各自独立地为氢原子，卤素原子，或具有任选地具有卤素原子的直链或支链脂肪族烷基作为部分结构的官能团、具有任选地具有卤素原子的脂环族烷基作为部分结构的官能团、具有任选地具有卤素原子的直链或支链脂肪族烯基作为部分结构的官能团、具有任选地具有卤素原子的脂环族烯基作为部分结构的官能团、具有羧基作为部分结构的官能团或具有硫醇基作为部分结构的官能团；且X和Y相同或各自独立地不同，条件是X和Y的至少一个具有直链或支链脂肪族烯基、脂环族烯基、羧基或硫醇基作为部分结构。

公开(公告)号：CN104507686A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380040170.6

申请日：2013-07-19

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  松本真二 ,  曾根雄司 ,  高田美树子 ,  早乙女辽一

IPC: B41J2/135 ,  B05C5/00

CPC classification number: B41J2/162 ,  B23P15/16 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1632 ,  B41J2/1634 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2202/11 ,  Y10T29/49401

Abstract: 本发明公开一种喷嘴板，其具有沿厚度方向贯穿该喷嘴板的喷嘴孔。所述喷嘴板包括形成于喷嘴孔处的排出口，若排出口的开口形状的四个角部的曲率记为R1、R2、R3和R4，则排出口的开口形状配置为近似满足方程式R1＝R2≥R3＝R4≈0。

公开(公告)号：CN104205340A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015030.3

申请日：2013-03-14

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 松本真二 ,  植田尚之 ,  中村有希 ,  安部由希子 ,  高田美树子 ,  曾根雄司 ,  早乙女辽一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/445 ,  H01L23/5328 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供导电薄膜，其包含：含有铟和锡的金属氧化物；以及金。

公开(公告)号：CN102194998B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201110050041.8

申请日：2011-03-02

Applicant: 株式会社理光 ,  国立大学法人九州大学

Inventor： 加藤拓司 ,  山本谕 ,  匂坂俊也 ,  田野隆德 ,  篠田雅人 ,  后藤大辅 ,  松本真二 ,  毛利匡贵 ,  油谷圭一郎 ,  安达千波矢 ,  鸟居昌史

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/52 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/0051 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供有机半导体元件和有机电极。所述有机半导体元件含有：含有第一有机化合物层和第二有机化合物层的源电极，所述层中至少之一具有有机半导体活性区；和含有所述第一有机化合物层和所述第二有机化合物层的漏电极。所述有机电极含有：层压膜，其中由以下通式I表示的四硫富瓦烯衍生物的层和受电子化合物的层被层压。通式I。

公开(公告)号：CN102365274B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080013567.2

申请日：2010-03-17

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 篠田雅人 ,  山本谕 ,  匂坂俊也 ,  加藤拓司 ,  冈田崇 ,  后藤大辅 ,  松本真二 ,  毛利匡贵

IPC: C07D339/06 ,  C07D495/04 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: C07D339/06 ,  C07D495/04 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

Abstract: 通式(I)所示的四硫富瓦烯衍生物：在通式(I)中，X表示选自碳原子、硫原子和氮原子的原子，且各X可相同或不同；条件是当X为碳原子或氮原子时，R1-R8各自表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、和取代或未取代的硫代烷氧基中之一，且可相同或不同；并且Y1和Y2各自表示通式(II)和通式(III)所示的结构之一，且可相同或不同。

公开(公告)号：CN101772529B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200880102194.9

申请日：2008-09-11

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 匂坂俊也 ,  冈田崇 ,  佐佐木正臣 ,  鸟居昌史 ,  加藤拓司 ,  有贺保 ,  山本谕 ,  后藤大辅 ,  松本真二

IPC: C08G73/02 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H05B33/14

CPC classification number: C08G73/0266 ,  C08G61/12 ,  C08G73/02 ,  C08G73/026 ,  C08G2261/3162 ,  C08G2261/3422 ,  C08G2261/90 ,  C09D11/102 ,  C09D179/02 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1416 ,  C09K2211/1425 ,  C09K2211/1433 ,  C09K2211/1458 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

Abstract: 一种包含由通式(I)表示的重复单元的聚合物，其中Ar1表示取代或未取代的芳烃基团；Ar2和Ar3各自独立地表示取代或未取代的芳烃基团的二价基团；且R1和R2各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳烃基团。通式(I)