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公开(公告)号：CN103997086B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410192237.4
申请日：2014-05-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统，包括供电模块，其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源，均包括两组串接的超级电容器组；充电模块，包括正、负电源充电器，它们的电源输入端分别连接外部交流电源，正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端；智能充放电控制模块，输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息，控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电，实现对音频功率放大器的不间断供电，并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰，改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。
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公开(公告)号：CN104786856A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510241689.1
申请日：2015-05-13
申请人： 遂宁市东乘车辆有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然科技集团有限责任公司
CPC分类号： Y02T10/7005 , Y02T10/7083 , Y02T10/7241
摘要： 本发明公开了一种具有太阳能充电功能的电动汽车的电驱动控制系统，基于车辆控制中心的控制，包括蓄电池模块、太阳能电池模块、控制开关模块、牵引电机逆变模块，太阳能电池模块的电能输出端通过牵引电机逆变模块连接车辆的牵引电机，蓄电池模块的电能输出端通过控制开关模块连接牵引电机逆变模块的电能输入端，太阳能电池模块的电能输出端还通过控制开关模块连接蓄电池模块，车辆控制中心分别控制连接太阳能电池模块、蓄电池模块、控制开关模块和牵引电机逆变模块的控制信号输入端。本发明能够实现太阳能与锂电池共同为电动汽车提供动力、利用太阳能电池为高压蓄电池充电，或者只利用高压蓄电池为电动汽车提供动力。本发明适用于任何电动汽车。
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公开(公告)号：CN104766914A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510188014.5
申请日：2015-04-20
申请人： 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/46 , H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/64
CPC分类号： H01L33/46 , H01L25/075 , H01L33/005 , H01L33/54 , H01L33/62
摘要： 本发明提供了一种高取光率的高压LED芯片结构，属于光电子发光器件领域。包括多个微晶粒单元，每个微晶粒单元包括衬底以及衬底上依次生长的N型氮化物层、发光层、P型氮化物层和透明导电层，所述N型氮化物层连接N型电极，所述透明导电层连接P型电极，所述各微晶粒单元之间由金属导电层连接形成串联或/和并联，所述金属导电层底面设有钝化层，其特征在于，所述高压LED芯片表面还设置涂覆层，所述涂覆层的表面是非平整的。本发明通过对表面涂覆层粗化处理形成非平整的结构，有效提高了高压LED芯片的取光效率及出光量，提升了高压LED芯片的性能，且成本低廉，操作简单。
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公开(公告)号：CN103997086A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410192237.4
申请日：2014-05-08
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种放大器用超级电容器式电池供电系统，包括供电模块，其包括交替充放电且结构相同的第一电源与第二电源，均包括两组串接的超级电容器组；充电模块，包括正、负电源充电器，它们的电源输入端分别连接外部交流电源，正、负电源充电器的电源输出端分别连接第一、第二电源的正、负电源输出端口和公共地端；智能充放电控制模块，输入端采集充电模块的充放电状态反馈信息，控制信号输出端分别控制连接供电模块和充电模块。本发明通过控制电路实现交流电源对第一、第二电源轮番充放电，实现对音频功率放大器的不间断供电，并完全杜绝市电交流对功放电路的干扰，改善音质效果实现HIFI功能。本发明适用于驱动音频功率放大器工作。
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公开(公告)号：CN117650058A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311661337.2
申请日：2023-12-06
申请人： 电子科技大学
摘要： 发明提出了一种半导体晶圆级的减薄制备技术并直接进行晶圆级柔性封装的方法。该方法的特点在于：在原晶圆钝化焊点处通过电镀形成金属柱，再通过旋转涂胶等方法，在已形成金属柱的晶圆正面上形成一层聚酰亚胺柔性封装层，此后通过化学机械抛光将聚酰亚胺柔性封装层研磨至裸露出金属柱，之后便可进行晶圆背面减薄与晶圆正面植球等工艺，完成晶圆级柔性封装。本发明最大限度减小了柔性芯片的寄生参数，并实现了规模化晶圆级柔性芯片封装，大幅提高了生产良率。本发明属于半导体技术领域。
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公开(公告)号：CN113517336A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110793513.2
申请日：2021-07-13
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种MOS型超结功率器件的终端结构，从器件边缘向器件有源区方向依次为终端区、过渡区和元胞区，终端区、过渡区和元胞区共用第一导电类型半导体衬底以及位于第一导电类型半导体衬底上方的第一导电类型外延层；本发明提供的MOS型超结功率器件的终端结构，降低了终端区内电荷不平衡的影响，增强了终端区内部的电场强度，提升了终端区的耐压水平。本发明适用于各种电子产品。
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公开(公告)号：CN108538831B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810314684.0
申请日：2018-04-10
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，具体提供一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，用以同时实现保护输入输出端口和电源钳位；本发明SCR器件包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件，其中，辅助控制器件作为控制主泄放器件的开关，辅助控制器件在正常工作时使主泄放器件关断，不影响被保护电路的正常工作；在ESD事件到来时，辅助控制器件使主泄放器件导通，泄放ESD电流；同时，通过设计内部的RC通路的参数，能够降低主泄放器件的触发电压，且该触发电压可调制。
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公开(公告)号：CN107342286B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710490849.5
申请日：2017-06-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/739
摘要： 一种具有表面双栅控制的横向RC‑IGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管，通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭，达到和传统结构相同的器件功能：当RC‑IGBT正向工作时，MOS管关闭，传统结构中的N+集电区被MOS管隔离，此时器件相当于纯粹的IGBT，完全消除了传统结构中的电压折回现象；当器件反向工作时，通过第二栅极来控制MOS管开启，续流二极管得以正常工作。同时，与传统的纵向结构器件不同，本发明属于横向器件，器件建立在外延层上，器件的实现无需背面工艺，大大降低了工艺难度；通过RESURF结构，也增强了器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN108538831A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810314684.0
申请日：2018-04-10
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，具体提供一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，用以同时实现保护输入输出端口和电源钳位；本发明SCR器件包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件，其中，辅助控制器件作为控制主泄放器件的开关，辅助控制器件在正常工作时使主泄放器件关断，不影响被保护电路的正常工作；在ESD事件到来时，辅助控制器件使主泄放器件导通，泄放ESD电流；同时，通过设计内部的RC通路的参数，能够降低主泄放器件的触发电压，且该触发电压可调制。
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公开(公告)号：CN108039363A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711239512.3
申请日：2017-11-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/41 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种光驱动SiC/GaN基半导体器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本发明还公开了制作上述光驱动SiC/GaN基半导体器件的工艺。本发明在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。
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