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    制造衬底的方法
    71.
    发明授权
    制造衬底的方法 有权

    公开(公告)号：CN102239539B

    公开(公告)日：2013-10-09

    申请号：CN200980148546.9

    申请日：2009-11-11

    申请人： 美光科技公司

    发明人： 斯科特·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  安东·德维利耶

    IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/0035 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： 一种制造衬底的方法包括在衬底上形成隔开第一特征及隔开第二特征。所述第一特征及第二特征相互交替且相对于彼此隔开。在横向修整所述隔开第二特征的宽度的同时，将所述隔开第二特征的宽度横向修整到比对所述隔开第一特征的宽度的任何横向修整更大的程度。在对所述第二特征的横向修整之后，将隔片形成于所述隔开第一特征的侧壁上及所述隔开第二特征的侧壁上。所述隔片具有与所述隔开第一特征的组合物不同且与所述隔开第二特征的组合物不同的某组合物。在形成所述隔片之后，从所述衬底移除所述隔开第一特征及所述隔开第二特征。经由包含所述隔片的掩模图案处理所述衬底。还揭示其它实施例。

    自旋扭矩转移存储器单元结构及方法
    73.
    发明公开
    自旋扭矩转移存储器单元结构及方法 有权

    公开(公告)号：CN103109324A

    公开(公告)日：2013-05-15

    申请号：CN201180044857.8

    申请日：2011-09-13

    申请人： 美光科技公司

    发明人： 斯蒂芬·J·克拉梅尔 ,  古尔特杰·S·桑胡

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  H01L43/08

    摘要： 本文中描述自旋扭矩转移STT存储器单元结构及方法。一个或一个以上STT存储器单元结构包括STT堆叠，所述STT堆叠包含：钉扎铁磁性材料，其与反铁磁性材料接触；隧穿势垒材料，其定位于铁磁性存储材料与所述钉扎铁磁性材料之间；多铁性材料，其与所述铁磁性存储材料接触；及第一电极及第二电极，其中所述反铁磁性材料、所述钉扎铁磁性材料及所述铁磁性存储材料位于所述第一电极与所述第二电极之间。所述STT存储器单元结构可包含第三电极及第四电极，其中所述多铁性材料的至少第一部分位于所述第三电极与所述第四电极之间。

    形成图案的方法
    78.
    发明公开
    形成图案的方法 有权

    公开(公告)号：CN102341888A

    公开(公告)日：2012-02-01

    申请号：CN201080010243.3

    申请日：2010-02-04

    申请人： 美光科技公司

    发明人： 斯科特·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  约翰·斯迈思 ,  张明

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/00

    CPC分类号： H01L21/0274 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： 一些实施例包含形成开口图案的方法。所述方法可包含在衬底上形成间隔特征。所述特征可具有顶部，且可具有从所述顶部向下延伸的侧壁。可沿所述特征的所述顶部和侧壁形成第一材料。所述第一材料可通过跨越所述特征旋转浇铸所述第一材料的保形层形成，或者通过相对于所述衬底沿所述特征进行选择性沉积来形成。在所述第一材料形成之后，可在所述特征之间提供填充材料，同时使所述第一材料的若干区域暴露。然后，可相对于所述填充材料和所述特征二者选择性地移除所述第一材料的所述暴露区域以产生所述开口图案。

    制造衬底的方法
    79.
    发明公开
    制造衬底的方法 有权

    公开(公告)号：CN102239541A

    公开(公告)日：2011-11-09

    申请号：CN200980148590.X

    申请日：2009-11-11

    申请人： 美光科技公司

    发明人： 斯科特·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  安东·德维利耶

    IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/3088 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31138

    摘要： 一种制造衬底的方法包括在衬底上形成隔开第一特征。将可变材料沉积于所述隔开第一特征上且用来自所述隔开第一特征的材料改变所述可变材料以在所述隔开第一特征的侧壁上形成经改变材料。将第一材料沉积于所述经改变材料上，且第一材料具有与所述经改变材料的组合物不同的某组合物。蚀刻所述第一材料以暴露所述经改变材料，且将包含所述第一材料的隔开第二特征形成于所述经改变材料的侧壁上。接着，从所述隔开第二特征与所述隔开第一特征之间蚀刻所述经改变材料。经由包含所述隔开第一特征及所述隔开第二特征的掩模图案处理所述衬底。本发明还揭示其它实施例。

    制造衬底的方法
    80.
    发明公开
    制造衬底的方法 有权

    公开(公告)号：CN102239540A

    公开(公告)日：2011-11-09

    申请号：CN200980148548.8

    申请日：2009-11-11

    申请人： 美光科技公司

    发明人： 斯科特·西里斯 ,  古尔特杰·S·桑胡 ,  安东·德维利耶

    IPC分类号： H01L21/027

    CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

    摘要： 一种制造衬底的方法包括在衬底上形成第一隔开特征及第二隔开特征。所述第一隔开特征具有在组合物上与所述第二隔开特征的高度上最外区域不同的高度上最外区域。所述第一隔开特征及第二隔开特征相互交替。从所述衬底移除每隔一个第一特征，且形成成对紧邻的第二特征，其与所述第一特征中的剩余者中的个别者交替。在此移除动作之后，经由掩模图案处理所述衬底，所述掩模图案包含与所述第一特征中的剩余者中的个别者交替的所述成对紧邻的第二特征。还揭示其它实施例。