公开(公告)号：CN108699687A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780010209.8

申请日：2017-02-10

申请人： 爱沃特株式会社

发明人： 奥秀彦 ,  秀一郎

IPC分类号： C23C16/42 ,  C30B29/36 ,  H01L21/306

CPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  G03F1/62 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/30604

摘要： 提供一种能够实现SiC膜的薄膜化的化合物半导体基板、表膜、和化合物半导体基板的制造方法。化合物半导体基板的制造方法具备如下工序：在Si基板的表面侧上形成SiC膜的工序；由湿法蚀刻使SiC膜的背面的至少一部分露出的工序。在使SiC膜的背面的至少一部分露出的工序中，对用于湿法蚀刻的药液至少相对地移动Si基板和SiC膜。

公开(公告)号：CN108475636A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680076386.1

申请日：2016-12-16

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： 让-马克·吉拉尔 ,  高昌熙 ,  伊凡·奥谢普科夫 ,  柳田一孝 ,  大窪清吾 ,  野田直人 ,  尤利安·伽蒂诺

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/24 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： 披露了使用五取代的二硅烷诸如五卤二硅烷或五(二甲基氨基)二硅烷经由气相沉积工艺在基板上沉积含硅膜的方法。

公开(公告)号：CN105658847B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201580002205.6

申请日：2015-02-27

申请人： 昭和电工株式会社

发明人： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B25/20 ,  C23C16/325 ,  C23C16/44 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02661

摘要： 本发明提供在SiC基板上使SiC外延生长来制造外延SiC晶片时得到具有与以往相比进一步降低了层叠缺陷以及彗星型缺陷的高品质外延膜的外延SiC晶片的制造方法。上述外延碳化硅晶片的制造方法的特征在于，在外延生长的开始前流入到生长炉中的生长前气氛气体含有氢气，余量为不活泼气体和不可避免的杂质，其中，上述氢气的含量相对于不活泼气体为0.1～10.0体积％。

公开(公告)号：CN108028183A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054539.2

申请日：2016-09-08

申请人： 信越化学工业株式会社 ,  CUSIC股份有限公司

发明人： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  长泽弘幸

IPC分类号： H01L21/20 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC分类号： C30B33/06 ,  C23C16/01 ,  C23C16/325 ,  C23C16/42 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1608

摘要： 本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。

公开(公告)号：CN107833640A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711023134.5

申请日：2017-10-25

申请人： 中广核研究院有限公司 ,  中国广核集团有限公司 ,  中国广核电力股份有限公司 ,  岭东核电有限公司

发明人： 高长源 ,  陈刘涛 ,  徐杨 ,  温敦古 ,  谭军 ,  邓勇军

IPC分类号： G21C7/10 ,  C22F1/18 ,  C23C16/32 ,  C23C4/10

CPC分类号： Y02E30/39 ,  G21C7/10 ,  C22F1/186 ,  C23C4/10 ,  C23C16/32 ,  C23C16/325

摘要： 本发明公开了一种燃料组件导向管、燃料组件导向管用管材及其制造方法，燃料组件导向管用管材包括管体、分别设置在所述管体内表面和外表面上的保护涂层，所述保护涂层与所述管体形成三层复合结构；在三层复合结构中，所述管体为无明显织构的锆合金中间层。本发明的燃料组件导向管用管材，改变了锆合金管材的织构，使其由径向基极织构变成近似随机的无明显织构，有效减小导向管的辐照生长，提高高燃耗下核反应堆燃料组件导向管的抗弯曲能力，满足核反应堆燃料组件提高燃耗的需求。管体内外表面设置的保护涂层，既保证了管材的辐照生长量少，同时保证了管材的耐腐性能。

公开(公告)号：CN107400877A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710307116.3

申请日：2014-10-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  龚波

IPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/30

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3326 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3003

摘要： 本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源，具体而言，通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上：从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基；将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室；以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前，氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。

公开(公告)号：CN107316805A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710287689.4

申请日：2017-04-27

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大野彰仁 ,  滨野健一 ,  金泽孝

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/325 ,  C30B25/14 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/67011

摘要： 得到能够对晶体缺陷少的碳化硅外延晶片进行制造的碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置。使在生长炉(1)的内壁附着的碳化硅进行氮化、氧化或者氮氧化而得到稳定化。接下来，将衬底(2)搬入至生长炉(1)内。接下来，将工艺气体导入至生长炉(1)内，在衬底(2)之上使碳化硅外延层进行生长而制造碳化硅外延晶片。

公开(公告)号：CN105848880B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201480070996.1

申请日：2014-12-11

申请人： 住友化学株式会社

发明人： 山下恭弘 ,  伊藤丰 ,  中岛秀明

IPC分类号： B32B9/00 ,  C23C16/42

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/308 ,  C23C16/325 ,  C23C16/345 ,  C23C16/507 ,  C23C16/545 ,  H01B1/04 ,  H05K1/028

摘要： 一种层叠膜，其具有挠性基材、形成在上述基材的至少单侧的表面上的第1薄膜层和形成在第1薄膜层上的第2薄膜层，其中，上述第1薄膜层含有硅原子(Si)、氧原子(O)和碳原子(C)，上述第2薄膜层含有硅原子、氧原子和氮原子(N)，上述第1薄膜层和第2薄膜层使用辉光放电等离子体形成。

公开(公告)号：CN106498364A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610924072.4

申请日：2016-10-24

申请人： 三峡大学

发明人： 姜礼华 ,  谭新玉 ,  向鹏 ,  肖婷

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/505

CPC分类号： C23C16/325 ,  C23C16/505

摘要： 本发明公开了一种含碳化硅纳米粒子薄膜材料的低温制备方法，该方法包括以下步骤：（1）玻璃片或硅片的清洗；（2）以硅烷和甲烷为反应气体，通过调整沉积功率、压强、温度及流量比等工艺参数采用等离子体增强化学气相沉积技术在玻璃片或硅片上沉积碳化硅纳米粒子薄膜。本发明方法主要通过优化等离子体增强化学气相沉积技术制备工艺参数，调控碳基和硅基等离子体基元能量和活性，控制它们在玻璃片或硅片表面的生长反应从而在玻璃片和硅片上合成致密分布的碳化硅纳米粒子。经过上述步骤所制备的碳化硅纳米粒子薄膜具有工艺简单、成本低以及碳化硅纳米粒子排列致密性高等优点。

公开(公告)号：CN106435527A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201611177540.2

申请日：2016-12-19

申请人： 湖南顶立科技有限公司

发明人： 戴煜 ,  胡祥龙 ,  周岳兵

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/32

CPC分类号： C23C16/45512 ,  C23C16/325

摘要： 本发明提供了一种碳化硅沉积设备的进气装置，包括MTS储液罐、混合罐和缓冲罐，MTS储液罐上设有氢气输入管道，氢气输入管道开口伸入到MTS液位下方，MTS储液罐的顶部还设有储液罐排气口，储液罐排气口通过第一管道与混合罐的第一进气口相连，混合罐还设有第二进气口，第二进气口用于输入氩气，混合罐设有混合罐排气口，混合罐排气口通过第二管道与缓冲罐的进气口相连，缓冲罐设有缓冲罐排气口，缓冲罐排气口通过第三管道与碳化硅沉积设备的炉体相连。本发明的进气装置，设置混合罐和缓冲罐，工艺气体经过两个罐体之后可以减小压力波动，气体的压力也更容易控制。