公开(公告)号：CN1614876A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410090557.5

申请日：2004-11-08

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 山口博司 ,  中冢宏 ,  大西庆治 ,  山川岳彦 ,  中村弘幸

IPC分类号： H03B5/30

CPC分类号： H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/021

摘要： 本发明涉及一种压电谐振器，该压电谐振器包括：一个基片(105)；一个设置在基片上的下电极(103)；一个设置在下电极上的压电部件(101)；一个设置在压电部件上的上电极(102)；以及一个设置在由下电极、压电部件和上电极所构成的振动部件下的空腔(104)。当振动部分的厚度为波长一半时的振动谐振频率定义为fr1，形成空腔材料中的超声波平均速度定义为Vc2，根据谐振频率fr1和超声波平均速度Vc2所确定的数值定义为λc(＝Vc2/fr1)时，则空腔的深度t2可设置为如式Ⅰ所示，式中n是一个任意自然数。

公开(公告)号：CN1595798A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410078536.1

申请日：2004-09-09

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 尹容燮 ,  朴允权 ,  崔蓥

IPC分类号： H03H9/15 ,  H03H9/54

CPC分类号： H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/021

摘要： 本发明公开了一种薄膜谐振器，其包括：形成在衬底上的隔膜层，形成在隔膜层的部分顶表面上的下电极，形成在下电极上的压电层，形成在压电层上的上电极，以及置于下电极和隔膜层之间并具有一预定质量的质量加载层。这种结构能够更精确地调节薄膜谐振器的谐振频率，从而提供更精确的滤波器。

公开(公告)号：CN109039296A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810640995.6

申请日：2018-06-21

申请人： 珠海晶讯聚震科技有限公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/17 ,  H03H9/58

CPC分类号： H03H9/173 ,  H03H9/02031 ,  H03H9/02102 ,  H03H9/02401 ,  H03H9/132 ,  H03H9/584 ,  H03H9/588 ,  H03H2003/021 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/0504 ,  H03H9/174

摘要： 一种制造FBAR滤波器装置的方法，FBAR滤波器装置包括一个谐振器阵列，每个谐振器包括夹在第一和第二金属电极之间的单晶压电薄膜，其中第一电极由空气腔体上的支撑薄膜支撑，所述空气腔体被嵌入硅柄上的二氧化硅层中，具有穿过所述硅柄并进入空气腔体中的硅通孔，在二氧化硅层中的所述空气腔体的侧壁被能抵抗二氧化硅蚀刻剂的边界沟槽所限定。

公开(公告)号：CN108023560A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201710999415.8

申请日：2017-10-24

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 庆济弘 ,  孙晋淑 ,  李华善 ,  李尚泫

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/17

CPC分类号： H03H9/02047 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/02086 ,  H03H9/02118 ,  H03H9/02157 ,  H03H9/173 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/0435 ,  H03H2003/0442

摘要： 本发明提供一种包括体声波谐振器及制造体声波谐振器的方法。所述体声波谐振器包括：基板，基板保护层设置在所述基板的顶表面上；膜层，与所述基板限定腔；以及谐振部，设置在所述膜层上。所述膜层包括第一层和第二层，所述第二层具有与所述第一层的材料相同的材料，并且所述第二层的密度大于所述第一层的密度。

公开(公告)号：CN104660211B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201410655028.9

申请日：2014-11-17

申请人： 太阳诱电株式会社

发明人： 西原时弘 ,  谷口真司

IPC分类号： H03H9/64

CPC分类号： H01P5/16 ,  H01P1/20381 ,  H01P1/2039 ,  H01P5/028 ,  H01P7/08 ,  H03H3/04 ,  H03H9/02102 ,  H03H9/587 ,  H03H9/605 ,  H03H9/706 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/0407

摘要： 本发明涉及声波滤波器和双工器。声波滤波器包括串联共振器和并联共振器，该串联共振器和并联共振器在同一基板上具有压电膜并且具有下电极和上电极，其中：串联共振器和并联共振器中的一方在共振区域中、在下电极或上电极的与压电膜相反的面上具有温度补偿膜，补偿膜具有的温度系数的弹性常数的正负号与压电膜的弹性常数的温度系数的正负号相反；并且串联共振器和并联共振器中的另一方在共振区域中、在与压电膜相比时在下电极侧或上电极侧中的与串联共振器和并联共振器中的一方中的温度补偿膜的相同侧上具有附加膜。

公开(公告)号：CN107528561A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710816568.4

申请日：2017-09-12

申请人： 电子科技大学

发明人： 钟慧 ,  杨泰 ,  张根 ,  秦康宁 ,  张晨 ,  石玉

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/10 ,  H03H9/17

CPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/02007 ,  H03H9/0514 ,  H03H9/1014 ,  H03H9/173 ,  H03H2003/021

摘要： 本发明涉及一种空腔型薄膜体声波谐振器，包括从下往上依次设置的衬底、隔离层、支撑层、底电极层、压电层及顶电极层，隔离层上表面中部向下凹陷形成凹槽，支撑层和衬底将凹槽封闭形成封闭空腔，该封闭空腔下表面的高度低于衬底上表面的高度，且该封闭空腔的下表面为平整面，所述支撑层材料为SiC。同时本发明还公开了该声波谐振器的制备方法。本发明通过SiC支撑层使得器件结构稳定，提高了功率容量。可以有效的将热量散发出去，减小器件热稳态温度，热稳定性好。本发明方法采用丙酮溶液剥离工艺(lift-off)去除非晶硅层，简化了CMP工艺，研磨时间减少，研磨均匀性改善，提高了器件的频率稳定性及成品率。

公开(公告)号：CN102668376B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201080052988.6

申请日：2010-11-22

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 伊藤是清

IPC分类号： H03H9/145 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/17

CPC分类号： H01L41/053 ,  H01L41/18 ,  H01L41/313 ,  H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02007 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/05 ,  H03H2003/021 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T156/1153

摘要： 本发明提供一种即使在压电薄膜与支撑体之间设置用于接合的中间层，谐振特性也不会劣化的压电设备及压电设备的制造方法。在注入氢离子在压电单晶基板(1)内形成离子注入部分之后，在压电单晶基板(1)的背面(12)形成金属制的中间层(32)。然后，经由该中间层(32)对压电单晶基板(1)与支撑体(30)进行接合。将形成了离子注入部分的复合压电体(2)、或者对压电单晶基板(1)进行了加热分离的复合压电基板(3)以450℃至700℃进行加热，使中间层的金属氧化来使导电性降低。这样，通过形成金属的中间层，从而能够使压电基板与支撑体可靠地贴紧，而且由于使中间层的金属氧化，因此能够使中间层的导电性降低，能够提供一种谐振特性良好的压电设备。

公开(公告)号：CN106489238A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580036972.9

申请日：2015-06-17

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 岸本谕卓

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/17

CPC分类号： H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/173 ,  H03H9/25 ,  H03H2003/021

摘要： 在压电基板(200)的背面形成牺牲层(600)(S101)。在压电基板(200)的背面形成支承层(300)平坦化，形成作为压电谐振器(10)的支承层(30)。对支承层(30)与牺牲层(600)的表面进行研磨，由此形成牺牲层(600)的表面相对于支承层(30)的表面凹陷的凹部(31)(S103)。凹部(31)由向支承层(30)中的支承层(30)与牺牲层(600)的界面附近扩展的形状构成。在具有凹部(31)的支承层(30)与牺牲层(600)的表面使用粘接材料(50)来粘接支承基板(40)(S104)。设置凹部(31)，由此牺牲层(600)与支承基板(40)之间的密接强度降低，在牺牲层(600)的除去工序中，牺牲层(600)变得易于除去。(300)，以便覆盖牺牲层(600)(S102)。使支承层

公开(公告)号：CN106130498A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610490516.8

申请日：2016-06-28

申请人： 河海大学常州校区

发明人： 华迪 ,  蔡春华 ,  齐本胜 ,  谈俊燕

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/10

CPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/02015 ,  H03H9/1007 ,  H03H2003/021 ,  H03H2003/023

摘要： 本发明公开了一种FBAR谐振器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的FBAR，由于外延单晶硅工艺成熟，其所形成的硅微结构机械性能良好，尤其利用外延单晶硅所形成的腔体结构密封性能十分优异。由此形成的FBAR谐振频率主要由薄膜体厚度决定，并受环境温度影响，其谐振频率随温度的升高而减小，并且呈现明显的单调性，该特性可用作温度、气压等数据检测。结合MEMS微加工技术，该FBAR体积小，成本低，响应时间短。

公开(公告)号：CN105978519A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610269245.3

申请日：2016-04-27

申请人： 北京无线电计量测试研究所

发明人： 崔巍 ,  潘立虎 ,  叶林 ,  周伟平 ,  郑文强 ,  王作羽 ,  刘小光 ,  哈斯图亚

IPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/05 ,  H03H9/19

CPC分类号： H03H3/02 ,  H03H9/0538 ,  H03H9/19 ,  H03H2003/021

摘要： 本申请公开了一种石英晶体谐振器，用以缓解现有技术中的石英晶体谐振器产生的频率老化问题。该石英晶体谐振器包括：上电极、下电极以及石英晶片。所述下电极，包括：下电极衬底、下电极金属膜以及下电极金属引线；所述下电极衬底由绝缘材料制成；所述下电极衬底与所述上电极，分别设置在所述石英晶片的相对的两侧；所述下电极金属膜附着于所述下电极衬底；所述下电极金属膜位于所述下电极衬底与所述石英晶片之间，且所述下电极金属膜与所述石英晶片之间存在空隙；所述下电极金属引线，设置在所述下电极衬底与所述石英晶片之间存在的空隙中；所述下电极金属引线与所述下电极金属膜相连接。申请还公开了一种石英晶体谐振器的制作方法。