公开(公告)号：CN101436618A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810176180.3

申请日：2008-11-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1892 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

摘要： 在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物薄膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。

公开(公告)号：CN100444409C

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN02817933.1

申请日：2002-10-11

申请人： 夏普株式会社

发明人： 佃至弘

IPC分类号： H01L31/04 ,  C01B33/02

CPC分类号： H01L31/182 ,  C30B15/007 ,  C30B15/36 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种在其表面上具有晶粒间界线的多晶硅板，并且晶粒间界线中的至少一条是准线性晶粒间界线(1)；所述硅板用于生产太阳能电池；使用具有点状突起或线形突起的不规则表面的衬底可形成硅板，这使得可控制晶粒间界线。同样，可提供廉价的和高质量的硅板。此外，通过使用这种硅板生产太阳能电池，也可提供廉价的和高质量的太阳能电池。

公开(公告)号：CN1893120A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610100509.9

申请日：2006-06-30

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 岛正树

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/0725 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明的光电动势装置，在光入射侧配置有将非晶硅层(8)作为光电变换层的光电动势组件，在其后侧配置有将微晶硅层(5)作为光电变换层的光电动势组件，其特征在于，将利用红外吸收分光法测量作为光电变换层的非晶硅层(8)和微晶硅层(5)所得到的Si－H拉伸模式的峰值面积设定为I[Si－H]，将Si－O拉伸模式的峰值面积设定为I[Si－O]，将它们的比设定为α(＝I[[Si－O]/I[Si－H])时，第二光电动势组件的作为光电变换层的微晶硅层(5)的α2大于第一光电动势组件的作为光电变换层的非晶硅层(8)的α1，而且，第二光电动势组件的短路电流Isc2大于第一光电动势组件的短路电流Isc1。

公开(公告)号：CN1825593A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610002503.8

申请日：1997-02-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  宫永昭治 ,  小山润 ,  福永健司

IPC分类号： H01L27/11

CPC分类号： H01L27/0688 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02675 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108 ,  H01L27/1112 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1872 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S257/903 ,  Y10S257/904 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。

公开(公告)号：CN1501514A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114921.2

申请日：2003-11-13

申请人： 佳能株式会社

发明人： 盐崎笃志 ,  杉山秀一郎

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/078

CPC分类号： H01L31/03685 ,  B32B17/10788 ,  H01L31/076 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： 提供一种光电元件，在设置了透明性保护部件后的最终制品状态下其转换效率高、制造成本低、轻质、且综合性能优越。该光电元件，从光入射侧依次包含具有i型非晶态半导体的第一pin结、具有i型微晶半导体的第二pin结和具有i型微晶半导体的第三pin结，其特征在于：上述第一pin结的光入射侧至少具有透明性保护部件和透明电极层，且在上述多个pin结产生的光电流中，由上述第三pin结产生的光电流最少。

公开(公告)号：CN1495914A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03158850.6

申请日：1999-06-30

申请人： 佳能株式会社

发明人： 狩谷俊光 ,  佐野政史 ,  西尾丰

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。

公开(公告)号：CN1140933C

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN98117950.9

申请日：1998-07-31

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松山深照

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L21/67155 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种有多个pin结的光电元件，每个pin结由p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层形成，每层包括IV族元素作主要成分的非单晶材料，光电元件的第一个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶碳化硅(微晶SiC)，第二个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶硅，第一个pin结比第二个pin结更靠近光入射侧。由此提供的光电元件成本低、几乎无光退化、有高的光电转换效率，且其制备方法能以实用的淀积速率形成i型微晶硅和微晶SiC。

公开(公告)号：CN1213861A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98117950.9

申请日：1998-07-31

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松山深照

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03685 ,  H01L21/67155 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1812 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种有多个pin结的光电元件,每个pin结由p型半导体层、i型半导体层、n型半导体层形成,每层包括Ⅳ族元素作主要成分的非单晶材料,光电元件的第一个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶碳化硅(微晶SiC),第二个pin结包括作i型半导体层的主要成分的微晶硅,第一个pin结比第二个pin结更靠近光入射侧。由此提供的光电元件成本低、几乎无光退化、有高的光电转换效率,且其制备方法能以实用的淀积速率形成i型微晶硅和微晶SiC。

公开(公告)号：CN104350607B

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201280073884.2

申请日：2012-10-15

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 西山绫 ,  渕上宏幸 ,  时冈秀忠

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/074

CPC分类号： H01L31/02363 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 目的在于得到一种抑制缺陷的产生、光电变换效率高的太阳能电池。该太阳能电池具备形成有金字塔状的凹凸部P的n型单晶硅基板1的单晶体等的硅基板、和在该单晶硅基板上形成的非晶质或者微晶半导体层，在所述单晶硅基板的表面设置的金字塔状的凹凸部P的谷部形成了平坦部F。通过该结构，能够使由大致(111)面形成的70～85°的陡峭的凹部角度广角化为115～135°。因此，能够消除由倒角形状所引起的原子台阶状的形状变化，能够抑制非晶质或者微晶半导体层中的外延生长以及缺陷。

公开(公告)号：CN103489949B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201310231152.8

申请日：2013-06-09

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 米泽岳洋 ,  马渡芙弓 ,  山崎和彦

IPC分类号： H01L31/054 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

CPC分类号： Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池用层叠体、使用该薄膜太阳能电池用层叠体的薄膜太阳能电池及其制造方法。本发明的薄膜太阳能电池用层叠体（3）依次具备基板（30）、透明导电层（31）、光电转换层（32）及透明电极层（33），其中透明电极层（33）含有：铟锡氧化物颗粒、锑掺杂氧化锡颗粒等透明导电性氧化物颗粒；及硅醇盐的水解物、聚苯乙烯、丙烯酸树脂等透光性粘合剂，且该透明电极层具有能够贴合金属箔或形成于基材上的金属膜的粘结性。