公开(公告)号：CN101440518B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200810169001.3

申请日：2008-10-06

申请人： GLOSIL株式会社 ,  韩国化学研究院

发明人： 吉钟元 ,  文相珍 ,  苏源郁

IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B29/06

CPC分类号： F27B17/0016 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  F27B14/04 ,  F27B14/14 ,  F27B14/20 ,  F27B17/0075 ,  F27D99/0006 ,  F27D2099/0015 ,  Y02P10/253 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016

摘要： 本发明提供一种安装有采用铰链的门开关装置的太阳能电池用多结晶硅锭块制造装置，该装置包括用于开关形成在隔热板上的孔的门，且通过设置在上述门与隔热板之间的铰链开关上述门，在熔解硅原材料后，为了冷却熔锅而使冷却板上升时，上述冷却板以支撑着门的下侧的状态上升，通过铰链，门以开关状被打开，在上述冷却板接近衬托器下侧或者紧贴在衬托器下侧时，上述被打开的门的一侧搭在上述冷却板的一个侧面上。

公开(公告)号：CN101126173B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200710106433.5

申请日：2007-05-29

申请人： 株式会社上睦可

发明人： 早川裕 ,  前田德次

IPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/20 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1072

摘要： 本发明提供一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了CZ法的单晶硅的培育工艺中坩锅内的溶液的液面位置，在单晶硅的培育工艺中，由于可计算对应于所有状况的溶液的假想液面位置，故可高精度地控制溶液和隔热板或水冷体的间隔。另外，在溶液的假想液面位置超过设定的上限而接近隔热板时产生警报，进而在与隔热板接触或接近水冷体时根据需要产生警报，同时强制地停止坩锅的移动，由此，可将溶液和水冷体的接触造成的水蒸气爆炸等重大事故防患于未然。由此，能够作为可进行使用了CZ法的单晶硅的培育装置的安全的操作的溶液的液面位置监视装置广泛地应用。

公开(公告)号：CN100468125C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN03158655.4

申请日：2003-09-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 田中幸一郎

IPC分类号： G02B27/09 ,  G02B6/00 ,  G02B3/06 ,  H01L21/324 ,  H01S3/00

CPC分类号： G02B27/0927 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0994 ,  Y10T117/1008

摘要： 辐照表面上束斑处的不均匀能量分布是由形成光学系统的柱面透镜阵列的结构问题以及加工精度引起的。根据本发明，在形成矩形束斑的光学系统中，用光导来代替用来均化辐照表面上矩形激光束斑短边方向的能量分布的光学系统。此光导是一种能够将发射的光束限制在一定区域内并平行于其光路轴引导和传输其能量流的通路。

公开(公告)号：CN101312117A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200710163150.4

申请日：2007-10-10

申请人： 株式会社岛津制作所

发明人： 秋田典孝 ,  高见芳夫

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06

CPC分类号： B23K26/067 ,  B23K26/0613 ,  H01L21/02675 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供一种结晶装置，在此结晶装置中，提供可以获得高能量密度的输出的可见光源。可见光照射系统是由二维阵列排列的多个可见光激光束源形成的。可见光照射系统包括：光强度分布形成装置，使从各可见光激光束源发出的多道可见光激光束的光强度分布图案化；以及成像光学系统，使经所述光强度分布形成装置图案化的光强度分布的光，成像在被处理基板上的照射区域中。将多个固体激光器或半导体激光器发出的各可见激光束，重叠到符合被处理基板与光轴上的成像位置关系的光强度分布形成装置。当重叠准分子激光束与可见光激光束时，重叠从多个可见光的激光束源发出的多道可见光激光束，借由重叠所述可见光激光束所形成的可见光激光束的光强度分布来形成晶体成长。

公开(公告)号：CN100409404C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200410064008.0

申请日：2004-06-30

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 十文字正之 ,  小川裕之 ,  松村正清 ,  平松雅人 ,  木村嘉伸 ,  谷口幸夫 ,  加藤智也

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L21/02678 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布(BP)的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜时，到达非单晶半导体薄膜上的辐照光束具有一种光强度分布(BP)的光强度和熔化非单晶半导体的光强度，该光强度分布(BP)周期性地重复单调增加和单调减少。此外，在非单晶半导体薄膜的激光束入射表面上设置至少一氧化硅膜。

公开(公告)号：CN100403142C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410083465.4

申请日：2004-09-30

申请人： 株式会社液晶先端技术开发中心

发明人： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  秋田典孝

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  G02F1/00

CPC分类号： H01L21/0268 ,  B23K26/073 ,  C30B13/24 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0961 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

摘要： 本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相对。

公开(公告)号：CN100394536C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410056554.X

申请日：2004-08-09

申请人： 硅电子股份公司

发明人： 克里斯托夫·佐伊林 ,  罗伯特·赫茨尔 ,  赖因霍尔德·瓦利希 ,  维尔弗里德·冯·阿蒙

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/3225 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012

摘要： 本发明涉及一种制造单晶硅晶圆的方法，该方法包括下列步骤：通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制造一薄层，或在该硅晶圆的正面上制造一薄层，其电阻与该硅晶圆其余部分的电阻不同，或在该硅晶圆的背面上制造一外杂质吸收剂层，及在选定满足下列不等式的温度下将该硅晶圆施以热处理，其中，[Oi]是硅晶圆内的氧浓度，[Oi]eq(T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，δSiO2是二氧化硅的表面能，Ω是沉积氧原子的体积，r是平均COP半径，及k是波兹曼常数，在实施热处理期间，至少该硅晶圆有时是曝露于含氧气体中。本发明还涉及一硅晶圆，该晶圆的正面或背面上载有上述的一种层且实质上无空位集块(COP)。

公开(公告)号：CN101163824A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013157.1

申请日：2006-04-18

申请人： II-VI有限公司

发明人： 阿维纳什·K·古普塔 ,  爱德华·西门纳斯 ,  伊利娅·茨维巴克 ,  多诺万·L·巴雷特 ,  安德鲁·E·苏奇兹

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00

CPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016 ,  Y10T117/108

摘要： 针对物理气相传输方法和系统，本发明提供了装有具有间隔开的位置关系的源材料和籽晶的生长容器。本发明还提供了至少一个皿，该皿具有至少一根在皿内部和皿外部之间延伸的毛细管，其中所述皿的内部装有掺杂剂。将各个皿放置在所述的生长容器的内部。在生长容器中装入各个皿之后，通过在生长容器中进行生长反应来利用源材料在籽晶上形成晶体，其中所形成的该晶体掺杂有所述的掺杂剂。

公开(公告)号：CN101076618A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200580006256.2

申请日：2005-02-25

申请人： 索拉克斯有限公司

发明人： 大卫·L·本德

IPC分类号： C30B15/10 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B15/12 ,  C30B15/002 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B15/10 ,  C30B15/14 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1068 ,  Y10T117/1072 ,  Y10T117/108 ,  Y10T117/1088 ,  Y10T117/1092

摘要： 用于单晶硅锭连续生长的基于Czochralski法的改进系统，包括低长宽比、大直径以及基本平坦的坩埚，该坩埚包括围绕晶体的任选堰。低长宽比坩埚基本消除对流并减少最终单晶硅锭中的氧含量。独立的水平可控硅预熔化室为生长坩埚提供熔融硅的连续源，有利地消除了在晶体提拉过程中对垂直移动以及坩埚抬升系统的需求。坩埚下面的多个加热器建立横跨熔体的相应热区。分别控制各加热器的热输出以提供横跨熔体以及在晶体/熔体界面处的最佳热分布。提供多个晶体提拉室用于连续加工和高生产量。

公开(公告)号：CN1277155C

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN03137474.3

申请日：2003-06-25

申请人： LG.菲利浦LCD株式会社

发明人： 郑允皓

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/00 ,  G02F1/1333

CPC分类号： B23K26/0661 ,  B23K26/066 ,  C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B28/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  Y10S438/942 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1012

摘要： 一种用于形成多晶硅层的方法，包括：在非晶硅层上设置一掩模，所述的掩模具有多个透射区，多个透射区沿着第一方向和基本上与第一方向垂直的第二方向以阶梯排列的方式相互间隔设置，每一个透射区有一中央部分和第一侧部分与第二侧部分，第一侧部分和第二侧部分在第一方向上与中央部分的相对的两端相邻，其中每一部分在第一方向上有一长度而在第二方向上有一宽度，并且其中第一部分和第二部分的宽度沿着第一方向从中央部分开始向外减小；第一次通过掩模将一激光束照射到非晶硅层上，形成与多个透射区对应的多个第一照射区，每一个第一照射区有一中央部分以及在中央部分两侧的第一侧部分和第二侧部分；将衬底和掩模彼此相对移动，以使每一个透射区的第一侧部分与每一个第一照射区的中央部分重叠；通过掩模第二次将激光束照射到非晶硅层上，形成与多个透射区对应的多个第二照射区。