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公开(公告)号：CN109616569A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811061576.3
申请日：2018-09-12
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01L41/053 , H01L41/23 , H03H9/64
摘要： 本发明涉及一种使表面声波(SAW)器件的谐振频率的不均匀性降低的方法，该SAW器件包括通过反应溅射沉积在压电基底上的叉指式换能器上的含硅的氧化物的硅氧化物层。该方法包括：将具有叉指式换能器的压电基底定位在基底支撑件上；随后，在所述压电基底和所述叉指式换能器上沉积含硅的氧化物的硅氧化物层以形成SAW器件。所述基底支撑件相对于溅射靶定位，从而所述SAW器件的硅氧化物层具有11埃或更低的算术平均表面粗糙度(Ra)。本发明还涉及该表面声波器件、包括其的电子电路以及电子器件。
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公开(公告)号：CN104979153B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201510158770.3
申请日：2015-04-03
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/768
摘要： 本发明涉及一种蚀刻半导体衬底以露出掩埋在衬底内的一个或多个要素的方法，该方法包括以下步骤：使用等离子体执行第一蚀刻步骤，在第一蚀刻步骤中，对衬底施加偏置功率以产生电偏置；在无偏置功率或偏置功率低于第一蚀刻步骤期间施加的偏置功率的条件下执行第二蚀刻步骤；并且交替重复第一和第二蚀刻步骤。
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公开(公告)号：CN108728809A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810230437.2
申请日：2018-03-20
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3408 , C23C14/345 , C23C14/351 , C23C14/50 , C23C14/505 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H01J37/3452 , H01J37/3467 , H01J37/347 , H01J37/3485 , H01L21/2855 , H01L21/76877
摘要： 本发明公开了一种控制脉冲直流物理气相沉积(PVD)形成的材料层中应力变化的方法及设备。该方法包以下步骤：设置一腔室，其包括形成材料层的靶和在其上能够形成材料层的衬底；以及向腔室内引入气体。该方法还包括在腔室内生成等离子体并且将第一磁场施加到靶附近以将所述等离子体基本上定位成邻近该靶。RF偏压被施加到衬底上以将来自等离子体的气体离子吸引到衬底上，并且第二磁场被施加在衬底附近以将来自等离子体的气体离子引导到形成在衬底上的材料层上的选择性区域。
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公开(公告)号：CN108231578A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711265604.9
申请日：2017-12-05
申请人： SPTS科技有限公司
发明人： 罗兰·芒福德
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/76898
摘要： 本发明涉及使表面光滑的方法。根据本发明，提供一种使硅衬底的表面光滑的方法，该方法包括以下步骤：提供具有后侧表面的硅衬底，其中硅衬底已被研磨以使后侧表面具有相关粗糙度；以及使用等离子体蚀刻处理使硅衬底的后侧表面光滑；其中等离子体蚀刻处理包括以下步骤：执行第一等离子体蚀刻步骤，该第一等离子体蚀刻步骤形成从后侧表面竖立的多个突起；以及执行第二等离子体蚀刻步骤，该第二等离子体蚀刻步骤至少部分地蚀刻突起，以提供呈现镜面反射的光滑后侧表面。
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公开(公告)号：CN107424898A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710358043.0
申请日：2017-05-19
申请人： SPTS科技有限公司
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0035 , C23C16/452 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/32862 , H01J37/32963 , H01J2237/335
摘要： 根据本发明提供了一种使用自由基对等离子体处理装置的室进行清洁的方法，包括以下步骤：在与所述室分离的远程等离子体源内产生等离子体，所述等离子体包括自由基和离子；通过使得自由基能够从所述远程等离子体源进入所述室来清洁所述室，同时防止在所述远程等离子体源产生的离子的大部分进入所述室；对清洁过程中在所述室的组件上形成的DC偏置进行检测；以及使用所检测的DC偏置来确定所述清洁的终点，并且在确定所述终点时终止所述清洁。
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公开(公告)号：CN103107113B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210459115.8
申请日：2012-11-14
申请人： SPTS科技有限公司
发明人： 奥立佛·J·安塞尔
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01J37/32 , H01J37/244
CPC分类号： H01L21/67253
摘要： 本申请公开了一种刻蚀整个宽度的衬底以暴露出被掩埋的特征部的方法。所述方法包括：横跨衬底的宽度刻蚀衬底的面，以实现材料的基本均匀的移除；在刻蚀工艺期间照亮被刻蚀的面；将边缘检测技术应用于自所述面散射或反射的光，以检测被掩埋的特征部的出现；以及响应于被掩埋的特征部的检测来调整所述刻蚀。本申请还公开了一种用于在衬底的宽度上刻蚀衬底以暴露被掩埋的特征部的刻蚀装置。
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公开(公告)号：CN106373877A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610592934.8
申请日：2016-07-25
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/0212 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/67069
摘要： 根据本发明，提供了一种干法气相化学蚀刻结构的方法，包括以下步骤：将该结构放置在蚀刻室中，该结构包括第一材料和第二材料，其中，第一材料选自硅、钼、锗、SiGe和钨，第二材料是二氧化硅或硅氮化物，并且第一材料的至少一个表面是露出的，以便能与气相化学蚀刻剂接触；以及用惰性气体氟化物或卤素氟化物气相化学蚀刻剂蚀刻第一材料；该方法进一步包括使蚀刻室暴露于水蒸气的步骤，使得蚀刻第一材料的步骤在水蒸气的存在下执行。
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公开(公告)号：CN105970190A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610136744.5
申请日：2016-03-10
申请人： SPTS科技有限公司
IPC分类号： C23C16/50
摘要： 根据本发明，提供了等离子体增强化学气相沉积(PE‑CVD)设备和方法，所述设备包括：包括周向泵送通道的腔室；设置在所述腔室内的基板支撑件；将气体引入到所述腔室中的一个或多个气体入口；在所述腔室中产生等离子体的等离子体产生装置；和定位在所述腔室中的上部元件和下部元件,其中,所述上部元件与所述基板支撑件间隔开以限制所述等离子体并界定第一周向泵送间隙，并且所述上部元件用作所述周向泵送通道的径向内壁，并且，所述上部元件与所述下部元件沿径向间隔开以界定第二周向泵送间隙，该第二周向泵送间隙用作所述周向泵送通道的入口，其中，所述第二周向泵送间隙比所述第一周向泵送间隙更宽。
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公开(公告)号：CN103938179A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310493221.2
申请日：2013-10-18
申请人： SPTS科技有限公司
CPC分类号： H01L21/02592 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要： 本发明提供一种在腔室中将非晶硅层沉积在半导体基板或绝缘基板的表面上的方法，其中，在沉积所述非晶硅层之前，用NH3等离子体预处理所述表面。
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公开(公告)号：CN103531461A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310277467.6
申请日：2013-07-03
申请人： SPTS科技有限公司
发明人： 斯蒂芬·R·伯吉斯 , 亚历克斯·西奥多西尓
IPC分类号： H01L21/3065 , B08B15/04
CPC分类号： H01J37/32862
摘要： 本发明提供一种在电感耦合等离子体腔内的台板上蚀刻连续的基片的方法，其中，蚀刻过程在该腔内产生碳质沉积物，该方法包括：(a)中断基片的蚀刻加工；(b)在该腔内运行氧气等离子体或含氧等离子体，并去除气态副产物；以及(c)重新开始基片的蚀刻加工，其特征在于，该方法进一步包括步骤：(d)在步骤(b)之后，在对台板施加偏压的状态下在该腔中运行氩气等离子体。
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