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公开(公告)号：CN115224113A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202211124222.5
申请日：2022-09-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
摘要： 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。
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公开(公告)号：CN114978243A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210531401.4
申请日：2022-05-16
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明涉及通信领域，公开一种多模通信设备组网方法、通信方法及其系统、设备和芯片。所述组网方法包括：向入网节点发送关于其与待入网节点之间的可用通信模式的应答信息，该可用通信模式被划分为多个集合，每个集合中的模式彼此不兼容且不同集合中的模式兼容；及通过组网协商过程在满足预设协商结果时将基于应答信息选择的每个集合中的最优模式锁定为所述两个节点间的握手信息，以由入网节点根据握手信息上报相应路由信息，以供根节点更新组网路由信息，其中从每个集合中最多选择一个最优模式，得到多个最优模式，该多个最优模式在同一时刻被采用，本发明可确定任意相邻两层节点之间的多个相互兼容的最优模式，从而确保组网后高质量的通信性能。
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公开(公告)号：CN114420182B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN114420182A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210318852.X
申请日：2022-03-29
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 复旦大学
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 本申请实施例提供一种非易失性存储单元的数据处理方法、装置及存储介质，属于半导体技术领域。方法包括：获取待处理数据；确定待处理数据对应的数据热度类别；向非易失性存储单元施加与待处理数据的数据热度类别对应的编程电压信号，以将待处理数据写入非易失性存储单元。本实施方式在对非易失性存储单元进行数据写操作时，基于考虑数据的数据热度类别，针对待处理数据的不同数据热度类别向非易失性存储单元施加不同大小的编程电压，从而使得不同数据热度类别的数据在非易失性存储单元中具有不同的数据保持时间，进而能够有效降低功耗。
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公开(公告)号：CN114414999A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210184553.1
申请日：2022-02-28
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种芯片工艺角检测电路、方法和芯片，该电路包括：对称振荡环RO及至少两个非对称振荡环ARO1和ARO2；所述对称振荡环RO，用于根据振荡次数检测所述芯片的SS、TT、FF工艺角，所述振荡次数是通过所述对称振荡环RO对应的计数单元获取；所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2，用于根据振荡次数检测所述芯片的FS、SF工艺角，所述振荡次数是通过所述非对称振荡环ARO1和所述非对称振荡环ARO2分别对应的计数单元获取。该电路增大了工艺角检测范围和工艺角检测的温度范围，提高了检测精度。
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公开(公告)号：CN113746770A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111044240.8
申请日：2021-09-07
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H04L27/26
摘要： 本发明公开了一种线性调频通信系统及其信道估计方法、装置、介质和芯片，其中方法包括以下步骤：根据当前导频符号的信道估计值提前解调下一个导频符号的前后数据符号以获得下一个导频符号的前后数据符号的内容；根据下一个导频符号的内容和下一个导频符号的前后数据符号的内容，调整下一个导频符号的起始位置，从起始位置对下一个导频符号进行信道估计以获得下一个导频符号的信道估计值。由此，基于下一个导频符号的内容以及前后数据符号的内容对下一个导频符号的起始位置进行调整，并根据调整后的起始位置进行信道估计，能够有效提高信道估计性能以及线性调频信号的解调性能。
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公开(公告)号：CN113609511A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202111164095.7
申请日：2021-09-30
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： G06F21/60
摘要： 本公开实施例公开了一种数据处理和密钥保护方法、装置、设备、存储介质和程序。其中，所述数据处理方法，用于消除数据串中的全零窗口，包括：数据获取步骤，获取输入的密钥数据；数据随机化步骤，对所述密钥数据进行随机化处理，得到随机化数据；全零窗口消除步骤，将随机化数据减去预设非零序列，得到全零窗口消除数据，从而消除全零窗口。
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公开(公告)号：CN112710600A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011455614.0
申请日：2020-12-10
申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 清华大学
IPC分类号： G01N17/00 , G01N21/3504
摘要： 本发明提供一种聚碳酸酯类材料稳定性快速评价方法，属于高分子材料检测分析领域。所述方法包括：利用高灵敏度红外光谱仪实时监测原位反应仓中的样品在一定条件下老化早期产生的痕量气相产物来评价聚碳酸酯类材料的稳定性，该方法检测精度高，在聚碳酸酯类材料老化早期就能检测到痕量的气相老化产物，能够实现在材料发生老化的同时在线监测老化产物，因此极大程度缩减了老化评价周期。本发明的方案能够将整个聚碳酸酯类材料稳定性的测试时间缩短为6‑10小时，解决了目前聚碳酸酯类材料稳定性的评价方法耗时很长的问题。
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公开(公告)号：CN116299082A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310203775.8
申请日：2023-03-02
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
摘要： 本发明提供一种3D混叠结构的三维磁场传感器及其制备方法，属于传感器封装技术领域。所述三维磁场传感器包括：外围集成电路单元和三个磁敏感单元，所述外围集成电路单元与三个磁敏感单元在垂直方向上堆叠设置；三个磁敏感单元包括基于霍尔(Hall)效应的Z轴磁敏感单元和基于各向异性磁阻(AMR)效应的X轴磁敏感单元及Y轴磁敏感单元；三个磁敏感单元与外围集成电路单元通过硅通孔导线相互电连接。采用硅通孔技术及3D堆叠技术，可以有效克服传统键合引线互联法带来的面积和体积消耗大、集成度低的缺点，为AMR/Hall混合三轴磁场传感器的微小型化和商业化应用带来可能。
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公开(公告)号：CN115241183B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211122807.3
申请日：2022-09-15
申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L23/64
摘要： 本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化，提高系统的集成度和可靠性。
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