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公开(公告)号：CN1763268A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN119170621B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411689923.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。
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公开(公告)号：CN119287505A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411422569.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米阵列的金刚石超表面制备方法，先在硅片表面刻蚀出向内凹进的纳米阵列，然后将带有纳米阵列的硅片放入金刚石纳米颗粒悬浮液中进行超声植晶，再在种晶后的硅片表面进行金刚石的生长，最后去除带有纳米阵列的硅片，获得具有表面纳米结构的金刚石。本发明提供的方法，通过直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构，再在硅上进行生长金刚石，避免直接在金刚石表面刻蚀制备纳米柱结构获得超表面，在实际生产过程中，由于单晶硅成本较低，直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构和片上生长金刚石工艺成熟，可操作难度低，最终获取金刚石超表面的成本和难度大大降低，有利于实现金刚石超表面的大量制备和后续器件研究。
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公开(公告)号：CN114849485B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202210546270.7
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲水压响应的普适性自主抗膜污染方法，在膜分离过程中，通过周期性地改变跨膜压差，刺激压电滤膜产生电荷，实现膜分离过程和抗膜污染过程的耦合。本发明技术方案集膜污染预防与控制为一体，不借助其它供电设备(特别区别于已有的通过外加电压刺激压电滤膜材料原位振动抗膜污染)、不使用水处理药剂和反冲洗常规抗膜污染手段，仅依靠废水膜分离过程中周期性变化的跨膜压差刺激压电滤膜材料产生电荷，通过原位生成的氧化自由基、静电排斥和介电泳力多重作用，即可预防多重膜污染。在周期性变压运行模式下，膜污染得到显著控制，膜通量较恒压运行方式显著提高，该技术方案可在废水膜分离抗污染领域具有良好的普适性应用前景。
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公开(公告)号：CN118326332A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410452503.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法。在金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延AlN外延层中，首先制备AlN纳米图形化结构，然后在AlN纳米图形化结构上经过三步外延，大幅降低外延层中的位错缺陷，最终可在纳米级厚度获得表面平整，内部无空隙，位错密度极低的AlN外延层。这种在纳米图形化结构上的多步外延方法，形成多种外延晶面，可以快速偏折位错缺陷的延伸方向到水平方向，不仅可以在较低的生长厚度下达到低位错缺陷密度，而且可以获得平整的表面形貌。本发明方法采用的工艺步骤与常规MOCVD晶体外延工艺相兼容，适用于与AlN相关的高质量材料制备工艺体系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118183641A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410452506.X
申请日：2024-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明公开了一种通过消除表面间隙降低AlN表面分解的高温退火方法。首先在AlN模板表面完全覆盖与AlN兼容的覆盖层材料，并进一步在两片AlN模板面对面贴敷时，夹入高纯AlN粉末，以这种贴敷形式进行后续高温退火。所制得的AlN模板表面高温退火分解大大降低，具有大面积均匀光滑的表面；本发明方法采用的工艺步骤与半导体微电子技术相兼容，适用于与AlN相关的高性能光电器件的工艺体系。
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公开(公告)号：CN116678303A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310707021.6
申请日：2023-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了交流驱动型背光源在表征薄膜样品表面形貌中的应用。还公开了一种薄膜表面形貌的表征系统，包括输入区组件、测试区组件和输出区组件，以及相应的薄膜表面形貌的表征方法。本发明可以实现在无探针接触、无电流注入的情况下对薄膜样品的表面形貌进行表征测试的功能，并且可以通过探针的横纵扫描实现构建薄膜上表面三维图像的功能。利用本发明的装置可以进行高效测量，并且交变电场驱动纳米LED阵列可以达到样品表面零损伤的效果。
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公开(公告)号：CN116364745A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310288997.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/15 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: 本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
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公开(公告)号：CN115155332A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210796776.3
申请日：2022-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: B01D69/12 , B01D71/02 , B01D71/34 , B01D71/30 , B01D71/26 , B01D71/42 , B01D71/68 , B01D71/16 , B01D69/02 , B01D61/14 , C02F1/44
Abstract: 本发明公开了一种低压电场耦合导电超滤膜原位抗膜污染的方法，通过结合导电超滤膜和外加电势，诱使颗粒定向移动从而产生疏松多孔的滤饼层，极大减轻孔堵塞的发生，在增大通量的同时延长膜的使用寿命。本发明技术方案以预防膜污染为思路，不使用水处理药剂和反冲洗常规抗膜污染手段，仅依靠多孔膜作为电极在分离过程中，利用膜作为多孔电极而形成的不均匀电场所诱导的颗粒介电泳，不依赖颗粒表面电性，即可预防多种电性的污染物污染。在低压≥0.5V的直流电场或交流电场下，膜污染得到显著控制，膜通量较不加电时显著提高，该技术方案可在废水膜分离抗污染领域具有良好的普适性应用前景。
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公开(公告)号：CN115101593A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210559846.3
申请日：2022-05-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/49 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种胆固醇生物传感器，其特征在于：以HEMT为换能器，在换能器的栅极上固定胆固醇氧化酶，所述栅极表面材料为金。还公开了其制备方法。本发明运用GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构作为换能器，将胆固醇氧化酶固定到器件的金栅上，实现对胆固醇的探测。这样不仅具备了电化学的性能，如测试简单，结构简化，实时反应，成本低等优点，同时由于HEMT结构的本征信号低，受外界其他环境影响小，灵敏度有一个很大的提高。促使胆固醇生物传感器提高了对胆固醇的准确性、专一性、稳定性。
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