公开(公告)号：CN103094039B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201210414355.6

申请日：2012-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  川浦广

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32807 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/4667

Abstract: 等离子体处理装置，包括：长形的腔室，其具有开口部；气体供给装置，其向腔室内供给气体；螺旋线圈，其在与腔室的长边方向平行的方向上具有细长的形状；以及高频电源，其连接于螺旋线圈，该等离子体处理装置还包括：基材载置台，其与开口部相对配置，并且保持基材；以及移动机构，其在腔室的长边方向与开口部的长边方向平行配置的状态下，能够在与开口部的长边方向垂直的方向上相对地移动腔室与基材载置台。

公开(公告)号：CN103295868B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310066970.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/268 ,  H01J37/321 ,  H05H1/30 ,  H05H2001/4667

Abstract: 本发明提供等离子体处理装置及方法，其能够稳定且高效率地产生等离子体，并能够在短时间内高效率地对基材的所希望的被处理区域整体进行处理。该等离子体处理装置包括：开口部，其开口宽度大于1mm；电介质部件，其划定由环状空间构成的环状腔室，该环状空间与所述开口部相连通；气体供给配管，其用于将气体导入所述环状腔室的内部；线圈，其设置在所述环状腔室附近；高频电源，其与所述线圈连接；基材载置台，其用于将基材与所述开口部相接近地配置。

公开(公告)号：CN102782817B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201180012319.0

申请日：2011-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  中山一郎 ,  斋藤光央

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H05H1/30

CPC classification number: H05H1/30 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32376 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/324

Abstract: 在基材载置台(1)的基材载置面(1a)上载置有基材(2)。感应耦合型等离子体喷枪单元(3)包括：筒状腔室(7)，其包括设有长方形的狭缝状的等离子体喷出口(4)且由绝缘体材料构成的圆筒(5)、及闭塞圆筒(5)的两端的盖(6)；气体喷出口(8)，其向筒状腔室(7)内供给气体；螺线管(9)，其使筒状腔室(7)内产生高频电磁场。通过从高频电源(41)向螺线管(9)供给高频电力，由此使筒状腔室(7)内产生等离子体(P)并将其从等离子体喷出口(4)向基材(2)照射。能够使等离子体喷枪单元(3)和基材载置台(1)相对地移动并同时对基材表面进行热处理。

公开(公告)号：CN102576749B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080045578.9

申请日：2010-10-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中山一郎 ,  山西齐 ,  大井户良久 ,  上木原伸幸 ,  奥村智洋

IPC: H01L31/18 ,  C01B33/02 ,  C01B33/037

CPC classification number: C01B33/02 ,  C01B33/037 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。

公开(公告)号：CN103165684A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210490965.4

申请日：2012-11-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 黑宫未散 ,  奥村智洋

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02168 ,  C03C17/34 ,  C03C2217/445 ,  C03C2217/478 ,  C03C2217/734 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明的目的在于，确保射入太阳能电池单元的光量，并且抑制防反射膜的反射率的劣化而确保耐久性。通过在第一防反射膜(4a)表面形成空隙率低于第一防反射膜(4a)的第二防反射膜(4b)，可以抑制大气中的CO2或H2O透过防反射膜(4)，抑制与透过性构件(5)表面的碱金属和/或碱土金属离子反应，确保射入太阳能电池单元的光量，并且抑制防反射膜的反射率的劣化而确保耐久性。

公开(公告)号：CN101151707B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680010324.7

申请日：2006-03-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 水野文二 ,  中山一郎 ,  佐佐木雄一朗 ,  奥村智洋 ,  金成国 ,  伊藤裕之

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。

公开(公告)号：CN101356625B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200780001172.9

申请日：2007-10-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  佐佐木雄一朗 ,  冈下胜己 ,  伊藤裕之 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32412 ,  H01L21/2236

Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。

公开(公告)号：CN1617656B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200410085941.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥村智洋 ,  末次宪一郎 ,  川添启司 ,  斋藤光央 ,  古泽彰男

IPC: H05K3/34

CPC classification number: H05K3/3489 ,  H05K3/288 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/095

Abstract: 本发明提供一种电子部件的处理方法，其是将具有端子部的电子部件的树脂包覆剥离的电子部件的处理方法，其特征在于，包含将等离子照射到以铜为主要成分且表面由树脂包覆的包覆线上的步骤。

公开(公告)号：CN101090053B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200710109959.9

申请日：2007-06-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 阿部敬行 ,  本间义康 ,  奥村智洋 ,  冈田启介 ,  福田一人

IPC: H01J9/00 ,  H01J9/24 ,  H01J17/49 ,  H01J17/16

CPC classification number: H01J11/12 ,  H01J9/242 ,  H01J11/36 ,  H01J2211/361 ,  Y10T428/1059

Abstract: 一种用简单的方法来控制交叉的隔壁的高度的偏差，不产生放电单元间的串扰的等离子体显示器面板(PDP)及其制造方法。凹部(122)设置在与烧制前的第1隔壁(120a)和与烧制前的第1隔壁(120a)正交的烧制前的第2隔壁(120b)的交叉部(121)相接的位置。形成这样的凹部(122)的话，交叉部(121)的体积当量的表面积和在交叉部(121)与该交叉部(121)邻接的交叉部之间的烧制前的第1隔壁(120a)和烧制前的第2隔壁(120b)的体积当量的表面积的值就会大体上相等。结果，烧制后交叉部(115)的高度不会变高，成为高度统一的隔壁，在放电单元间不会产生串扰。

公开(公告)号：CN101303953B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810096738.7

申请日：2008-05-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下英毅 ,  井上浩伸 ,  畑中基 ,  奥村智洋

IPC: H01J17/49 ,  H01J17/02 ,  H01J9/00 ,  H01J11/02

CPC classification number: H01J11/38 ,  H01J9/02 ,  H01J11/12

Abstract: 本发明提供一种具有不存在裂纹及黄变等的电介质层的等离子显示面板，其具有在第1基板上设置有第1电极和第1电介质层和保护层的前面板，以及在第2基板上设置有第2电极和第2电介质层和荧光体层的背面板而成，在前面板中，在第1基板上设置第1电极，在第1基板上设置第1电介质层并使其覆盖第1电极，在第1电介质层上设置有保护层，另外，在背面板中，在第2基板上设置第2电极，在第2基板上设置第2电介质层并使其覆盖第2电极，在第2电介质层上设置荧光体层，配置前面板与背面板并使保护层与荧光体层相向，在前面板与背面板之间设置有放电空间，其特征在于，至少第1电介质层的碳浓度为1.0×103ppm以上而且1.0×105ppm以下。