公开(公告)号：CN110707157A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201911097889.9

申请日：2019-11-12

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 赵胜雷 ,  宋秀峰 ,  张进成 ,  朱丹 ,  陈大正 ,  张春福 ,  张金风 ,  毛维 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明公开了一种基于P+型保护环结构的AlGaN/GaN肖特基势垒二极管器件及制作方法，主要解决现有技术击穿电压较低，可靠性较差的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、插入层(4)、势垒层(5)，势垒层(5)上方设有阳极(7)和阴极(8)，势垒层(5)中的阳极下方1～3μm长度内注有Mg离子，形成P+型保护环(6)，该阳极与阴极之间为钝化层(9)。本发明由于在势垒层中设有P+型保护环，降低了阳极下方边缘电场峰值，提高了击穿电压，且工艺简单、成品率高和可靠性好，可作为大功率系统以及开关应用的基本器件。

公开(公告)号：CN110042464A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910262477.X

申请日：2019-04-02

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  徐佳敏 ,  张进成 ,  苏凯 ,  郝跃

IPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/04

摘要： 本发明公开了一种多片单晶金刚石同时扩径生长的方法，包括：在金属托盘上分开固定设置N片第一单晶金刚石；使N片第一单晶金刚石同时生长至第一厚度，以对应形成若干N片第二单晶金刚石，且N片第二单晶金刚石的上表面所处的高度小于等于设置高度处；降低N片第二单晶金刚石的高度，使N片第二单晶金刚石的上表面所处的高度始终小于等于设置高度处，直至N片第二单晶金刚石的厚度为第二厚度。本发明将多片单晶金刚石分开固定设置在金属托盘上，避免了相邻两个单晶金刚石由于扩径生长而产生挤压的情况，避免了多晶的产生，提高了单晶金刚石的结晶质量，同时由于能够同时使多片单晶金刚石扩径生长，因此提高了生长效率，缩短了生长周期，且降低了生长成本。

公开(公告)号：CN105977135B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201610334385.4

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  陈智斌 ,  庞凯 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化锡和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)制备二硫化锡过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V‑Ш比氮化镓层；(6)生长高V‑Ш比氮化镓层。本发明的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化锡和磁控溅射氮化铝，材料质量好，适用衬底范围大，可用于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN107919396A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711017958.1

申请日：2017-10-26

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张金风 ,  刘俊 ,  任泽阳 ,  陈万娇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种基于WO3/Al2O3双层栅介质的零栅源间距金刚石场效应晶体管及制作方法，主要解决现有金刚石场效应晶体管导通电阻大，输出电流和跨导低的问题。其包括金刚石衬底(1)、氢终端表面(2)、WO3第一栅介质层(3)、Al2O3第二栅介质层(4)、源电极(5)、漏电极(6)和栅电极(7)，其中源、漏极位于氢终端表面上的两侧，第一栅介质层位于源、漏极之间的氢终端表面上并覆盖部分源、漏极，第二栅介质层覆盖在第一栅介质层之上，其上方的栅电极下半部分镶嵌在源、漏极之间，上半部分隔着2层栅介质覆盖在源、漏极之上，形成T型栅结构。本发明导通电阻小，跨导和输出电流高，可用于功率器件和电力电子器件。

公开(公告)号：CN107675249A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201710805891.1

申请日：2017-09-08

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 任泽阳 ,  张金风 ,  陈万娇 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/04

摘要： 本发明公开了一种单晶金刚石有效扩径生长方法，其生长步骤是：1)选择八边形的高温高压金刚石衬底，衬底侧面采用相互交替的{100}晶面和{110}晶面；2)将钼托放置在反应室内，在钼托上面放置金箔，将衬底放置在金箔上，对反应室抽真空，再将衬底在反应室内加热直到金箔熔化，将金刚石衬底焊接到钼托上；3)在反应室的生长台上放置钨丝，将焊接了衬底的钼托放置在钨丝上对衬底进行表面缺陷和损伤刻蚀预处理；4)控制反应室压力，温度，微波功率，甲烷浓度及生长时间，在预处理后的衬底上生长厚度为0.5-2.5mm的单晶金刚石外延膜。本发明减少了外延膜中多晶的含量，保证了扩径的有效性，可用于金刚石场效应晶体管的制作。

公开(公告)号：CN107170795A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710197668.3

申请日：2017-03-29

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  丛冠宇 ,  郝跃 ,  杜鸣 ,  张金风

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种源‑漏复合场板垂直型电力电子器件，其自下而上包括：肖特基漏极(11)、衬底(1)、漂移层(2)、孔径层(3)、两个对称的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和栅极(10)，势垒层上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极下方有两个注入区(8)，除肖特基漏极底部以外的所有区域覆盖有钝化层(12)，电流阻挡层之间形成孔径(5)；电流阻挡层采用二级台阶结构，钝化层左右两边的上部和背面分别刻有整数个源阶梯和漏阶梯，阶梯上淀积有金属，分别形成源场板(13)和漏场板(14)，源场板与源极电气连接，漏场板与漏极电气连接。本发明双向击穿电压高、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。

公开(公告)号：CN105914232A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610298895.0

申请日：2016-05-06

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张金风 ,  黄旭 ,  安阳 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种T栅N面GaN/AlGaN鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有微波功率器件的最高振荡频率小，欧姆接触电阻大，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；栅电极采用T型栅，且包裹在GaN/AlGaN异质结的两侧和上方，形成三维立体栅结构。本发明器件具有栅控能力好，欧姆接触电阻小及最高振荡频率高的优点，可用作小尺寸的微波功率器件。

公开(公告)号：CN105810562A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610334076.7

申请日：2016-05-19

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 张进成 ,  庞凯 ,  陈智斌 ,  吕佳骐 ,  朱家铎 ,  许晟瑞 ,  林志宇 ,  宁静 ,  张金风 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04

CPC分类号： H01L21/02458 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/35 ,  C23C16/303 ,  C23C28/04 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了一种基于二硫化钼和磁控溅射氮化铝的氮化镓生长方法，主要用于改善氮化镓材料质量。其生长步骤是：(1)生长二硫化钼过渡层；(2)磁控溅射氮化铝过渡层；(3)热处理；(4)生长氮化铝缓冲层；(5)生长低V?Ш比氮化镓层；(6)生长高V?Ш比氮化镓层。本发明生长的氮化镓薄膜的优点在于，结合了二硫化钼和磁控溅射氮化铝，氮化镓材料质量好，适用衬底范围大，有利于制作高性能的氮化镓基器件。

公开(公告)号：CN104393044A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410660754.X

申请日：2014-11-18

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 毛维 ,  郝跃 ,  范举胜 ,  李敏娜 ,  杨林安 ,  刘红侠 ,  王冲 ,  郑雪峰 ,  张金风

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明公开了一种绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14)。钝化层内刻有栅槽(10)与漏槽(11)；钝化层与保护层之间淀积有直角栅场板(12)和直角漏场板(13)；直角栅场板与绝缘栅极电气连接，且下端完全填充栅槽；直角漏场板与肖特基漏极电气连接，且下端完全填充漏槽，直角栅场板靠近绝缘栅极一侧边缘与栅槽靠近绝缘栅极一侧边缘对齐，直角漏场板靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。本发明工艺简单，正、反向特性好，成品率高，可作为开关器件。

公开(公告)号：CN118824853A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410811540.1

申请日：2024-06-21

申请人： 西安电子科技大学

发明人： 付裕 ,  钱鹏 ,  张金风 ,  任泽阳 ,  苏凯 ,  张景豪 ,  张进成 ,  何晓宁 ,  肖雨佳 ,  马尚 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/772

摘要： 本发明公开了一种高阈值电压增强型金刚石高压场效应晶体管的制备方法，包括：选取金刚石衬底并在金刚石衬底上同质外延生长未掺杂的本征金刚石层；在本征金刚石层的上表面的源极区域和漏极区域选择性生长重掺杂p型金刚石；对本征金刚石层和重掺杂p型金刚石的上表面进行氢化处理形成氢终端表面，并将氢终端表面转换为硅终端表面；刻蚀掉栅极区域以外的硅终端表面以形成氢终端表面；在氢终端表面和硅终端表面的上表面沉积钝化层并开设源极窗口和漏极窗口；在钝化层上表面的栅极区域制备栅极，在源极窗口和漏极窗口分别制备源极和漏极。本发明制备的增强型金刚石高压场效应晶体管兼具高阈值电压、高击穿电压和低导通电阻。