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公开(公告)号：CN101271827B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200710185774.6
申请日：2007-10-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/311
CPC分类号： H01L27/1288 , B23K26/0661 , B23K26/0732 , G03F7/20 , G03F7/70291 , H01L27/1214 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78633
摘要： 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。本发明提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。
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公开(公告)号：CN102059454A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010540121.7
申请日：2010-11-11
申请人： 詹诺普蒂克自动化技术有限公司
CPC分类号： B23K26/037 , B23K26/0732 , B23K26/22 , B29C65/1635 , B29C65/1667 , B29C65/1674 , B29C65/1687 , B29C66/112 , B29C66/131 , B29C66/21 , B29C66/47 , B29C66/474 , B29C66/8242 , B29C66/8266 , B29C66/8322
摘要： 本发明涉及一种用于借助激光束(6)进行点焊的设备，其中激光束(6)通过管件(3)引导到待焊接的构件(7.1、7.2)上。通过在管件内部的反射来形成激光束(6)的射束横截面，并且使在射束横截面上的辐射强度分布变得均匀。同时通过管件(3)将压紧力(F)施加到待焊接的构件(7.1、7.2)上。借助多个激光束(6)可制成简单的、牢固的、构件专用的设备，管件(3)设置在所述激光束的下游，通过所述设备，能够同时生成多个或所有用于连接两个构件(7.1、7.2)的焊接点。
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公开(公告)号：CN102057467A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200880129715.X
申请日：2008-06-12
申请人： 株式会社IHI
IPC分类号： H01L21/268
CPC分类号： B23K26/0732 , B23K26/046 , B23K26/0665 , G02B27/0905 , G02B27/0966 , G02B27/48 , H01L21/02678
摘要： 在使用了固体激光的激光退火中，能够容易地对应于半导体膜的激光照射部分的位置变动，对矩形光束的短轴方向的焦点位置进行补正。使用将入射光在短轴方向聚光的短轴用聚光透镜（29）、和将来自该短轴用聚光透镜（29）的出射光投影到上述半导体膜（3）的表面的投影透镜（30），使激光（1）在半导体膜（3）的表面在矩形光束的短轴方向聚光。以位置变动检测器（31）检测出半导体膜（3）的激光照射部分在该半导体膜的垂直方向的位置变动，基于该检测值使短轴用聚光透镜（29）在光轴方向移动。
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公开(公告)号：CN101208778B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200680022992.1
申请日：2006-09-12
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02675 , B23K26/0613 , B23K26/0732 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296
摘要： 一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行的激光退火方法，包括生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝矩形长边方向的线偏振的矩形激光束或者长轴朝长边方向的椭圆偏振的矩形激光束的步骤；使上述矩形激光束入射到基板表面上的步骤；以及将上述矩形激光束的波长设定为与驻波方向所要的晶粒尺寸相当的长度的步骤。
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公开(公告)号：CN100521091C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610121897.9
申请日：2004-02-05
申请人： 三星移动显示器株式会社
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L21/00 , B23K26/073
CPC分类号： H01L21/02532 , B23K26/073 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , H01L21/0268 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/78672 , H01L29/78696 , Y10S438/945
摘要： 本发明公开了一种用于显示器设备的多晶硅薄膜，该薄膜具有彼此不平行的相邻主晶粒间界，其中被主晶粒间界包围的面积大于1μm2，还公开了一种多晶硅薄膜的制造方法，以及用该方法制造的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN100444333C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN03164828.2
申请日：2003-09-30
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268 , B23K26/00
CPC分类号： B23K26/0608 , B23K26/0604 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78675 , H01L29/78678
摘要： 在半导体器件的制造工艺中，当CW激光器的谐波照射到半导体膜上并相对扫描该谐波时，形成几个沿扫描方向延伸的长晶粒。在该扫描方向上，这样形成的半导体膜在特性上基本接近单晶体。然而，CW激光器的谐波的输出小，从而造成了低的退火效率。在本发明中，通过将CW激光器的二次谐波和CW激光器的基波同时照射到相同的部分来执行对输出的辅助。通常，所述基波具有1μm左右的波长带，并且在半导体膜中吸收得不是很好。当将具有可见光波长的谐波或者具有短于可见光的波长的谐波与基波同时照射到半导体膜上时，由于所述基波在由谐波融化的半导体膜中吸收得很好，所以退火效率就显著地得到提高。
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公开(公告)号：CN100443950C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200410055832.X
申请日：2004-08-04
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 田中幸一郎
CPC分类号： G03F7/70075 , B23K26/0604 , B23K26/067 , B23K26/0732 , B23K2101/40 , G02B6/4206 , G02B27/0927 , G02B27/0994 , H01S3/005
摘要： 柱形透镜阵列无法被制造成各个柱形透镜具有相同的曲率半径和相同的表面精度。因此，当用柱形透镜阵列来执行激光退火时，被柱形透镜阵列分裂的各个束斑无法在相同的表面内被完全地叠加。结果，就形成了矩形束边沿部分能量被衰减了的区域，激光束的强度分布从而变得不均匀。在本发明中，柱形透镜阵列结合光波导被使用。在激光束沿预定方向被柱形透镜阵列分裂之后，各个分裂的束被组合，然后激光束被入射到沿与预定方向相同的方向作用的光波导中。这能够修正由柱形透镜阵列加工不精确所造成的激光束强度的变化。
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公开(公告)号：CN101256947A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810092402.3
申请日：2002-08-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所
发明人： 田中幸一郎
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , C30B13/24 , B23K26/06 , B23K26/067 , B23K26/073 , B23K26/10
CPC分类号： H01L21/02691 , B23K26/066 , B23K26/067 , B23K26/0676 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/10 , B23K2101/40 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L21/2026 , H01S3/0071
摘要： 本发明涉及激光辐照装置、激光辐照方法、以及半导体器件制造方法。提供一种方法和装置，用来在辐照表面上恒定地建立激光束的能量分布，将激光束均匀地辐照到整个辐照表面。本发明还提供在工艺中包括该激光辐照方法的半导体器件的制造方法。本发明的特征是用光学系统将多个激光束在辐照表面上的形状形成为椭圆形或矩形，在辐照表面沿第一方向移动的同时，发射多个激光束，且辐照表面沿第二方向移动，以及辐照表面在沿与第一方向相反的方向移动的同时，发射多个激光束。在辐照表面沿第一方向移动的同时可以发射多个激光束，并在辐照表面沿与第一方向相反的方向移动的同时，可以发射多个激光束，以及辐照表面也可以沿第二方向移动。
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公开(公告)号：CN101208778A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200680022992.1
申请日：2006-09-12
申请人： 株式会社IHI
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02675 , B23K26/0613 , B23K26/0732 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L27/1285 , H01L27/1296
摘要： 一种通过在基板表面形成的半导体膜上照射激光束而进行的激光退火方法，包括生成与行进方向垂直的截面为矩形且电场朝矩形长边方向的线偏振的矩形激光束或者长轴朝长边方向的椭圆偏振的矩形激光束的步骤；使上述矩形激光束入射到基板表面上的步骤；以及将上述矩形激光束的波长设定为与驻波方向所要的晶粒尺寸相当的长度的步骤。
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公开(公告)号：CN101185208A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680019002.9
申请日：2006-04-27
申请人： 浜松光子学株式会社
CPC分类号： B23K26/0732 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K2101/18 , B23K2103/04 , G02B19/0014 , G02B19/0057 , G02B27/0927 , H01S5/005 , H01S5/02252 , H01S5/4012 , H01S5/405
摘要： 本发明涉及一种激光装置(10)，其具有包括激光阵列堆栈(12a～12c)的多个光源(11a～11c)。激光束(32b、32c)分别被狭缝镜(14)以及偏振光束分光器(16)进行偏向，并与激光束(32a)合成。这些激光束具有互相倾斜的光轴和互相平行的慢轴。聚光光学系统(20)将来自各光源的激光束汇聚在沿着与慢轴方向相垂直的方向彼此分离的位置上。
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